Miniaturisierbare Plasmaquelle
    71.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102010001395B4

    公开(公告)日:2013-11-14

    申请号:DE102010001395

    申请日:2010-01-29

    Abstract: Eine Plasmaquelle mit einem Oszillator, welcher ein aktives Element (1) und einen mit dem aktiven Element (1) verbundenen Resonator (2) besitzt, wobei der Resonator (2) einen Hohlkörper (6), einen Gaseinlass, einen an einem distalen Ende des Hohlkörpers (6) um eine Längsachse des Hohlkörpers (6) angeordneten Gasauslass und eine entlang der Längsachse des Hohlkörpers (6) angeordnete Spule (7) aufweist, wobei ein distales Ende der Spule (7) relativ zum Gasauslass so angeordnet ist, dass sich eine Plasmastrecke zwischen dem als eine erste Plasmaelektrode fungierenden distalen Ende der Spule (7) und dem als eine zweite Plasmaelektrode fungierenden Gasauslass des Hohlkörpers (6) ausbilden kann, wobei die Spule (7) an einem proximalen Ende des Hohlkörpers (6) aus dem Inneren des Hohlkörpers (6) durch eine elektrisch kontaktfreie Durchführung (16) herausgeführt ist und ein proximales Ende der Spule (7) den Hohlkörper (6) an dessen Außenseite kontaktiert, wobei die Spule (7) an einem zwischen dem proximalen Ende der Spule (7) und der Durchführung gelegenen ersten Kontaktbereich (18) mit einem ersten Tor des aktiven Elementes (1) gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Spule (7) eine effektive Länge von einem Viertel einer Wellenlänge bei einer Resonanzfrequenz des Resonators (2) aufweist, wobei die Spule (7) an einem zwischen dem proximalen Ende der Spule und der Durchführung gelegenen zweiten Kontaktbereich (17) mit einem zweiten Tor des aktiven Elementes (1) gekoppelt ist.

    Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas

    公开(公告)号:DE102012204447B4

    公开(公告)日:2013-10-31

    申请号:DE102012204447

    申请日:2012-03-20

    Inventor: KUEHN SILVIO

    Abstract: Es wird eine Vorrichtung (200) zur Erzeugung eines Plasmas offenbart, die eine als Hohlraum ausgebildete Plasmaquelle (241) und einen Resonator (201) aufweist, welcher einen Wellenleiter (211, 212, 2131) und die Plasmaquelle (241) umfasst, wobei der Wellenleiter (212, 213) mit der Plasmaquelle (241) wirkverbunden ist; die Vorrichtung (200) ein erstes Kopplungsmittel (231) zur Energie-Einspeisung (251) und ein zweites Kopplungsmittel (232) zur Energie-Auskopplung (252) aufweist, wobei jedes Kopplungsmittel (231, 232) Energie- und Signal-führend (251, 252) mit dem Wellenleiter wirkverbunden ist; die Vorrichtung ein aktives Element (261) zur Energieversorgung des Resonators (201) aufweist, welches mit dem ersten (231) und mit dem zweiten (232) Kopplungsmittel wirkverbunden ist, wobei die Plasmaquelle (241) zumindest teilweise in einem Bereich des Wellenleiters (211, 212, 213) integriert ist, der sich zwischen dem ersten Kopplungsmittel (231) und dem zweiten Kopplungsmittel (232) erstreckt.

    Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Plasmapulsen

    公开(公告)号:DE102012200878A1

    公开(公告)日:2013-07-25

    申请号:DE102012200878

    申请日:2012-01-23

    Inventor: GESCHE ROLAND

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von Plasmapulsen sowie ein entsprechendes computerlesbares Speichermedium, welche insbesondere einsetzbar sind, um eine dreidimensionale Plasmabehandlung mit hoher Präzision auszuführen. Das Verfahren zum Erzeugen von Plasmapulsen ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei Quellen mit mindestens einer Zeitfunktion beaufschlagt werden, wobei die mindestens zwei Quellen jeweils ein von einer der Zeitfunktionen erzeugtes elektro-magnetisches Feld abstrahlen und die mindestens eine Zeitfunktion und die mindestens zwei Quellen derart zusammenwirken, dass in mindestens zwei vorgegebenen Raum-Zeit-Punkten mindestens eine vorgegebene Feldstärke sequentiell in zeitlicher Abfolge realisiert wird. Ein alternatives Verfahren sieht mindestens eine Quelle und mindestens ein Reflexionselement vor zur Realisierung der vorgegebenen Feldstärke. Die Vorrichtung zum Erzeugen von Plasmapulsen umfasst mindestens zwei Quellen und mindestens eine Datenverarbeitungseinrichtung oder mindestens eine Quelle, mindestens ein Reflexionselement und mindestens eine Datenverarbeitungseinrichtung und ist derart konfiguriert, dass ein Verfahren zum Erzeugen von Plasmapulsen ausführbar ist.

    Proceso para la solidificación de un material fundido no metálico

    公开(公告)号:ES2402446T3

    公开(公告)日:2013-05-03

    申请号:ES09749132

    申请日:2009-11-12

    Abstract: Proceso para la solidificación de un material fundProceso para la solidificación de un material fundido no metálico (130), que se encuentra en un crisido no metálico (130), que se encuentra en un crisol (120), en el que, por medio de varios inductoreol (120), en el que, por medio de varios inductores (100), se generan campos magnéticos, para lo cuas (100), se generan campos magnéticos, para lo cual los inductores (100) son alimentados con un priml los inductores (100) son alimentados con un primer conjunto de corrientes alternas ( 11a, 11b, 11cer conjunto de corrientes alternas ( 11a, 11b, 11c, 11d) desfasadas y con una primera frecuencia (f1, 11d) desfasadas y con una primera frecuencia (f1), de manera que mediante la superposición de camp), de manera que mediante la superposición de campos magnéticos se genere un campo de ondas progresios magnéticos se genere un campo de ondas progresivas (W1) en el material fundido (130), y éste sea vas (W1) en el material fundido (130), y éste sea alimentado con al menos un segundo conjunto de coralimentado con al menos un segundo conjunto de corrientes alternas (12a, 12b, 12c, 12d) desfasadas crientes alternas (12a, 12b, 12c, 12d) desfasadas con una segunda frecuencia (f2), caracterizado porqon una segunda frecuencia (f2), caracterizado porque mediante la superposición del campo magnético gue mediante la superposición del campo magnético generado con la segunda frecuencia (f2), se genera enerado con la segunda frecuencia (f2), se genera un segundo campo de ondas progresivas (W2) en el mun segundo campo de ondas progresivas (W2) en el material fundido (130), que se mueve en dirección caterial fundido (130), que se mueve en dirección contraria al campo de ondas progresivas (W1), por lontraria al campo de ondas progresivas (W1), por lo que los dos campos de ondas progresivas generadoo que los dos campos de ondas progresivas generados (W1, W2) recorren el material fundido (130) en us (W1, W2) recorren el material fundido (130) en una dirección (Y) esencialmente vertical. na dirección (Y) esencialmente vertical.

    Vorrichtung zur induktiven Energieübertragung

    公开(公告)号:DE102011113740A1

    公开(公告)日:2013-03-21

    申请号:DE102011113740

    申请日:2011-09-15

    Abstract: Es wird eine Vorrichtung zur induktiven Energieübertragung umfassend eine in einer Umgebung, insbesondere in Wasser mobile Sensoreinheit mit einem Sender zur Übertragung von Sensordaten, einem Energiespeicher und einer als Sekundärspule bezeichnete Spule, und eine Basiseinheit mit einer als Primärspule bezeichneten Spule und einer Versorgungsschaltung, die die Primärspule zur Erzeugung eines Magnetfeldes elektrisch versorgt, wobei die Primärspule Energie an die Sensoreinheit überträgt, wenn die Sekundärspule sich im Magnetfeld befindet, vorgeschlagen. Die Basiseinheit umfasst außerdem einen Kondensator, der mit der Primärspule einen Schwingkreis bildet, und einen Regelkreis umfasst, der ausgebildet ist, die Spannung am Kondensator zu messen, eine Abweichung der gemessenen Spannung von der bei Resonanzfrequenz des Schwingkreises maximalen Spannung am Kondensator bei einer Verstimmung des Schwingkreises durch die mobile Sensoreinheit zu detektieren und die Frequenz des Schwingkreises so zu korrigieren, dass die Spannung über den Kondensator maximiert wird.

    Heterostruktur-Pufferschicht für Heterostruktur-Feldeffekttransistoren

    公开(公告)号:DE102011004080A1

    公开(公告)日:2012-08-16

    申请号:DE102011004080

    申请日:2011-02-14

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Heterostruktur-Feldeffekttransistor (HFET) mit einem Substrat (201), einer auf dem Substrat (201) angeordneten Nukleationsschicht (202), einer auf der Nukleationsschicht (202) angeordneten kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203), einer auf der kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203) angeordneten ersten AlGaN-Schicht (204) und auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Source-Elektrode (205), einer auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Drain-Elektrode (206) und einer zwischen der Source-Elektrode (205) und der Drain-Elektrode (206) auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Gate-Elektrode (207). Erfindungsgemäß ist zwischen der kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203) und der ersten AlGaN-Schicht (204) eine unintentionally-doped GaN-Schicht vorgesehen. Ein zweiter Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines solchen HFETs.

    Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist

    公开(公告)号:DE102010041061A1

    公开(公告)日:2012-03-22

    申请号:DE102010041061

    申请日:2010-09-20

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Kristallisationsanlage zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist, sowie ein dazugehöriges Kristallisationsverfahren. Die Kristallisationsanlage umfasst dazu: – einen Container zur Aufnahme einer Schmelze des Materials; – ein Heizer-Magnet-Modul, das a) einen unterhalb des Containers angeordneten Bodenheizer mit einer Vielzahl von in 3 oder mehr Heizer-Magnet-Segmenten angeordneten Heizer-Magnet-Spiralen umfasst, wobei die Heizer-Magnet-Segmente zusammengesetzt eine zum Beheizen des Containers und zur Erzeugung von magnetischen Feldern bereitstehende Grundfläche des Bodenheizers bilden, jedoch keinen gemeinsamen geometrischen Mittelpunkt in der Grundfläche des Bodenheizers besitzen; und/oder b) einen oberhalb des Containers angeordneten Deckenheizer mit einer Vielzahl von in 3 oder mehr Heizer-Magnet-Segmenten angeordneten Heizer-Magnet-Spiralen umfasst, wobei die Heizer-Magnet-Segmente zusammengesetzt eine zum Beheizen des Containers und zur Erzeugung von magnetischen Feldern bereitstehende Grundfläche des Deckenheizers bilden, jedoch keinen gemeinsamen geometrischen Mittelpunkt in der Grundfläche des Deckenheizers besitzen; und – eine Steuer- und Stromversorgungseinheit, mit der die Heizer-Magnet-Segmente separat mit einer vorgebbaren Stromstärke, Frequenz und Phasenverschiebung belegbar sind, wobei die Steuer- und Stromversorgungseinheit ausgelegt ist, wenigstens ein Karussell-Magnetfeld (KMF) durch sequentielle Belegung der Heizer-Magnet-Segmente mit einer vorgebbaren Stromstärke, Frequenz und Phasenverschiebung zu erzeugen, derart, dass eine Kristallisationsfront der Schmelze mit konvexer Kontur entsteht.

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