公开(公告)号：DE102007035836B4

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：DE102007035836

申请日：2007-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZIMMERHACKL OLAF ,  HONOLD ALFRED

IPC: B65G49/00

Abstract: Verfahren zum Austauschen von Transportbehältern zwischen einem automatisierten Transportsystem (270) und einer Prozessanlage (260a, 260b) einer Fertigungsumgebung (250), wobei das Verfahren umfasst: Zuführen eines ersten Substratbehälters (273) zu einem ersten Transferplatz (201a) eines zweidimensionalen Arrays aus Transferplätzen (201), wobei auf jeden der Transferplätze (201) von einem Fahrzeug (272) des automatisierten Transportsystems (270) zugegriffen wird; Überführen des ersten Substratbehälters (273) zu einer ersten von mehreren Ladestationen (LP1, LP2, LP3) der Prozessanlage (260a, 260b), wobei der erste Transferplatz (201a) vertikal über der ersten der mehreren Ladestationen (LP1, LP2, LP3) angeordnet ist; Überführen eines zweiten Substratbehälters (273) von einer zweiten der mehreren Ladestationen (LP1, LP2, LP3) zu dem ersten Transferplatz (201a) des zweidimensionalen Arrays; und Aufnehmen des zweiten Substratbehälters (273) von dem ersten Transferplatz (201a) mittels eines Fahrzeugs (272) des automatisierten Transportsystems (270).

公开(公告)号：DE102008053954B4

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102008053954

申请日：2008-10-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WIRTZ RENE ,  SELTMANN ROLF

IPC: G03F7/20 ,  G01B9/00 ,  G01M11/02

Abstract: Verfahren mit folgenden Schritten: • Ermitteln von Messdaten (101, 101s), die den besten Fokus für eine Anzahl an Positionen (P1, ..., P6) über einen Bereich eines Belichtungsfeldes eines von einer Belichtungsanlage (100) belichteten Substrats (150) angeben; und • Einstellen eines oder mehrerer Belichtungsanlagenparameter derart, dass eine nicht-ebene Fokusoberfläche auf der Grundlage der Messdaten (101, 101s) erzeugt wird, • wobei der eine oder die mehreren Belichtungsanlagenparameter einen oder mehrere Parameter zum Steuern der Linsenaberration eines optischen Systems der Belichtungsanlage (100) umfasst oder umfassen; und • wobei das Einstellen eines oder mehrerer Belichtungsanlagenparameter umfasst: • Bestimmen einer Korrektur erster Ordnung der Fokusoberfläche auf der Grundlage der Messdaten (101, 101s) und Anwenden der Korrektur erster Ordnung, um einen Neigungswinkel eines Substrats (150) zu bestimmen; • Bestimmen mindestens einer Korrektur höherer Ordnung der Fokusoberfläche auf der Grundlage der Messdaten (101, 101s) mittels eines Polynoms höherer Ordnung und Verwenden der mindestens einen Korrektur höherer Ordnung zur Bestimmung eines Linsenaberrationsparameters.

公开(公告)号：DE102010028462B4

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102010028462

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOENTSCHEL JAN ,  KURZ ANDREAS ,  GRIEBENOW UWE ,  SCHEIPER THILO

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Abstandshalterschicht über einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor, wobei die Abstandshalterschicht Silizium und Stickstoff aufweist und wobei der erste Transistor in und über einem ersten aktiven Gebiet ausgebildet ist und ein im Wesentlichen amorphisiertes Halbleitergebiet in Drain- und Sourcebereichen enthält, und wobei der zweite Transistor in und über einem zweiten aktiven Gebiet ausgebildet ist; Ausheizen des ersten und des zweiten Transistors derart, dass das im Wesentlichen amorphisierte Halbleitergebiet in Anwesenheit der Abstandshalterschicht rekristallisiert wird; Verringern des Anteils an Stickstoff in der Abstandshalterschicht durch Einbau von Sauerstoff durch Ionenimplantation; Bilden eines Abstandshalters aus der Abstandshalterschicht jeweils an den Seitenwänden von Gateelektrodenstrukturen des ersten und des zweiten Transistors; und Abscheiden eines dielektrischen Materials über dem Abstandshalter.

公开(公告)号：DE102008063429B4

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：DE102008063429

申请日：2008-12-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOENTSCHEL JAN ,  MULFINGER G ROBERT ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L23/525 ,  H01L23/58 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren mit: Bereitstellen eines Halbleiterbauelements (250) mit einem Transistor (200) mit einem nicht-planaren Kanalgebiet, das in mehreren Halbleiterstegen (210) ausgebildet ist, wobei jeder der mehreren Halbleiterstege (210) einen ersten Endbereich (210S), einen zweiten Endbereich (210D) und einen zwischen dem ersten und dem zweiten Endbereich (210S, 210D) angeordneten Kanalbereich aufweist, und einer durchgehend ausgebildeten, sich über die mehreren Halbleiterstege erstreckenden Gateelektrodenstruktur (220); und Einstellen einer elektrischen Konfiguration des Transistors (200) durch individuelles Schalten des ersten Endbereichs (210S) eines oder mehrerer der mehreren Halbleiterstege (210) mit einem ersten Knoten, der einen Drainanschluss (230D) oder einen Sourceanschluss (230S) des Transistors (200) darstellt, mittels Transistorelementen (262), die eine wiederholte Neukonfiguration ermöglichen, oder mittels Widerstandsstrukturen, die zumindest ein einmaliges Schalten ermöglichen, wodurch ein Übergang von einem Zustand hoher Leifähigkeit in einen Zustand geringer Leitfähigkeit der Widerstandstrukturen oder umgekehrt ermöglicht wird.

公开(公告)号：DE102010001404B4

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102010001404

申请日：2010-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHEIPER THILO ,  BEYER SVEN ,  HOENTSCHEL JAN ,  WEI ANDY

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Gateelektrodenstruktur (160) eines Transistors (150) auf einem Halbleitergebiet (103a), wobei die Gateelektrodenstruktur (160) ein Platzhalterelektrodenmaterial (163) aufweist, welches in Form von Polysilizium, einer Silizium-Germanium-Mischung oder amorphem Silizium vorliegt; Bilden von Drain- und Sourcegebieten (151) in dem Halbleitergebiet (103a); Entfernen eines Teils des Platzhalterelektrodenmaterials (163), so dass eine Gateöffnung (164) in der Gateelektrodenstruktur (160) gebildet wird, wobei ein Rest des Platzhalterelektrodenmaterials (163r) in der Gateelektrodenstruktur (160) derart bewahrt wird, dass er darunter liegende Materialien der Gateelektrodenstruktur (160) bedeckt; Einführen einer Dotierstoffsorte (105) in das Halbleitergebiet (103a) durch die Gateöffnung (164) hindurch; Ausführen eines Ausheizprozesses (106) nach dem Einführen der Dotierstoffsorte (105), wobei der Rest des Platzhalterelektrodenmaterials (163r) zu einer höheren Integrität der darunter liegende Materialien der Gateelektrodenstruktur (160) führt; und Bilden eines Elektrodenmetalls (165, 166) in der Gateöffnung (164).

公开(公告)号：DE102010029525B4

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：DE102010029525

申请日：2010-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHUMAKOV DMYTRO ,  HERTZSCH TINO

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/108

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines Kondensatordielektrikumsmaterials auf einem ersten Kontaktgebiet, das in einem aktiven Gebiet eines Halbleiterbauelementes ausgebildet ist; Bilden eines dielektrischen Materials zwischen einer ersten Gateelektrodenstruktur und einer zweiten Gateelektrodenstruktur derart, dass ein Hohlraum in dem dielektrischen Material erzeugt wird, wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur zumindest auf dem aktiven Gebiet ausgebildet sind; Bilden einer ersten Kontaktöffnung in dem dielektrischen Material derart, dass eine Verbindung zu dem Hohlraum entsteht, wobei die erste Kontaktöffnung lateral außerhalb des aktiven Gebiets angeordnet ist; Bilden einer zweiten Kontaktöffnung in dem dielektrischen Material derart, dass eine Verbindung zu einem zweiten Kontaktgebiet, das in dem aktiven Gebiet gebildet ist, hergestellt wird; und Bilden eines ersten Kontaktelements in der ersten Kontaktöffnung, eines zweiten Kontaktelements in der zweiten Kontaktöffnung und einer Kondensatorelektrode in dem Hohlraum durch Abscheiden eines leitenden Materials in die erste und die zweite Kontaktöffnung.

公开(公告)号：DE102010001406B4

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：DE102010001406

申请日：2010-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MARXSEN GERD ,  METZGER JOACHIM ,  BINDER ROBERT ,  LENSKI MARKUS

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer ersten Gate-Elektrodenstruktur eines ersten Transistors und einer zweiten Gate-Elektrodenstruktur eines zweiten Transistors aus einem Gate-Schichtstapel, der ein Halbleitermaterial, ein dielektrisches Material mit großem &egr; und eine erste Austrittsarbeitsmetallschicht zum Einstellen einer Austrittsarbeit der ersten Gate-Elektrodenstruktur aufweist; Entfernen des Halbleitermaterials von der ersten und der zweiten Gate-Elektrodenstruktur, so dass die erste Austrittsarbeitsmetallschicht in der ersten und der zweiten Gate-Elektrodenstruktur freigelegt wird; Entfernen der ersten Austrittsarbeitsmetallschicht von der zweiten Gate-Elektrodenstruktur; Bilden einer zweiten Austrittsarbeitsmetallschicht in der zweiten Gate-Elektrodenstruktur; und Bilden eines leitenden Elektrodenmaterials in der ersten und der zweiten Gate-Elektrodenstruktur nach dem Bilden der zweiten Austrittsarbeitsmetallschicht.

公开(公告)号：DE102010028463B4

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102010028463

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHUMAKOV DMYTRO ,  GRIMM VOLKER

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren mit. Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Materialsystem, das über einem Substrat eines Halbleiterbauelements ausgebildet ist, wobei das dielektrische Materialsystem mindestens eine erste dielektrische Schicht und eine zweite dielektrische Schicht aufweist; Bilden einer ersten leitenden Barrierenschicht an inneren Seitenwandoberflächenbereichen in der Öffnung; Bilden eines Grabens in dem dielektrischen Materialsystem derart, dass der Graben einen oberen Bereich der Öffnung umfasst; Bilden einer zweiten leitenden Barrierenschicht über den inneren Seitenwandoberflächenbereichen in der Öffnung und in dem Graben; Vergrößern einer Tiefe der Öffnung in Anwesenheit der ersten und zweiten leitenden Barrierenschicht derart, dass diese sich durch das dielektrische Materialsystem erstreckt; und Füllen der Öffnung und des Grabens mit einem leitenden Material.

公开(公告)号：DE102010003451B4

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102010003451

申请日：2010-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  HEINRICH JENS ,  WEI ANDY

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines Opfermaskenmaterials über einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors, wobei die Gateelektrodenstruktur ein Platzhaltermaterial und eine über dem Platzhaltermaterial gebildete dielektrische Deckschicht aufweist; Entfernen der dielektrischen Deckschicht in Anwesenheit des Opfermaskenmaterials, so dass eine Oberfläche des Platzhaltermaterials freigelegt wird; Entfernen des Opfermaskenmaterials; Bilden einer Materialschicht über dem Transistor; Entfernen eines Teils der Materialschicht durch Ausführen des Ätzprozesses derart, dass die Oberfläche des Platzhaltermaterials freigelegt wird; und Ersetzen des Platzhaltermaterials durch ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial.

公开(公告)号：DE102010038746B4

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：DE102010038746

申请日：2010-07-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  JAVORKA PETER ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/314 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/52 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer dielektrischen Materialschicht über einem Halbleitergebiet und einem Isolationsgebiet, wobei das Halbleitergebiet und das Isolationsgebiet darauf ausgebildet eine oder mehrere Leitungen besitzen, und wobei das Isolationsgebiet Vertiefungen aufweist; Ausführen eines Abtragungsprozesses derart, dass die dielektrische Materialschicht zumindest von einem Bereich des Halbleitergebiets abgetragen wird und derart, dass ein Teil der dielektrischen Materialschicht in den Vertiefungen des Isolationsgebiets bewahrt wird; Bilden von Drain- und Sourcegebieten in dem Halbleitergebiet nach der Bildung des dielektrischen Materials; nach dem Bilden der Drain- und Sourcegebiete, Bilden einer zweiten dielektrischen Materialschicht über dem Halbleitergebiet und dem Isolationsgebiet und Ausführen eines zweiten Abtragungsprozesses derart, dass das zweite dielektrische Material zumindest von einem zweiten Bereich des Halbleitergebiets entfernt wird und derart dass ein Teil der zweiten dielektrischen Materialschicht in den Vertiefungen des Isolationsgebiets bewahrt wird; und nach dem Bilden des zweiten dielektrischen Materials, Bilden eines dielektrischen Zwischenschichtmaterialssystems über dem Halbleitergebiet und dem Isolationsgebiet nach dem Ausführen des Abtragungsprozesses.