公开(公告)号：KR1020040086317A

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：KR1020047011711

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 전자 디바이스용 기재상에 배치된 절연막의 표면에 적어도 산소 원자 함유 가스를 포함하는 처리 가스에 기초한 플라즈마를 조사하여 그 절연막과 전자 디바이스용 기재의 계면에 하지막을 형성한다. 절연막과 전자 디바이스용 기재 사이의 계면에 그 절연막의 특성을 향상시킬 수 있는 양질의 하지막을 얻을 수 있다.