公开(公告)号：KR100665009B1

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020040098108

申请日：2004-11-26

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  한국화학연구원

Inventor： 이종호 ,  정하균 ,  조성욱 ,  정경열 ,  허강헌 ,  김정욱

IPC: B22F9/30

Abstract: 분무열분해 공정으로 니켈분말을 제조하는 방법과 이 방법으로 부터 얻어지는 니켈분말 및 이를 이용한 적층세라믹 커패시터가 제공된다.
본 발명의 니켈분말의 제조방법은, 니켈전구체의 용액을 액적화하는 단계와,
상기 액적을 100~700℃의 건조대에서 건조하는 단계,
이어 900~1500℃의 열분해대에서 열분해하는 단계를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의하면 니켈분말은 초미분의 혼입은 적고 치밀한 구조를 갖는 유용한 효과를 갖는다.
니켈분말, 분무열분해, 초미분, 니켈초산염

公开(公告)号：KR100632001B1

公开(公告)日：2006-10-09

申请号：KR1020050069342

申请日：2005-07-29

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 손성범 ,  허강헌 ,  나은상 ,  송태호 ,  정한승 ,  김찬공

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: A glass composition, glass frit, and dielectric composition for low temperature sintering, and a multi-layered ceramic condenser using the same are provided to uniformly sinter BaTiO3 dielectric layer at a low temperature. A glass composition includes aLi2O-bK2O-cCaO-dBao-eB2O3-fSiO2, wherein a, b, c, d, e, and f satisfy the relationship of a+b+c+d+e+f=100, a between 2 and 10, b between 2 and 10, c between 0 and 25, d between 0 and 25, e between 5 and 20, and f between 50 and 80. A dielectric composition includes BaTiO3 as a main component and a residue comprising a glass composition of aLi2O-bK2O-cCaO-dBao-eB2O3-fSiO2.

Abstract translation: 提供一种用于低温烧结的玻璃组合物，玻璃料和介电组合物，以及使用该组合物的多层陶瓷电容器，以在低温下均匀烧结BaTiO3介电层。 其中a，b，c，d，e和f满足a + b + c + d + e + f = 100的关系，a 2与a 2之间的关系为a 2 O 2 -bK 2 O·cCaO-dBao-eB 2 O 3 -fSiO 2 和10之间，b在2和10之间，c在0和25之间，d在0和25之间，e在5和20之间，以及f在50和80之间。电介质组合物包括BaTiO 3作为主要成分和包含玻璃组成 的Li2O-bK2O-cCaO-dBao-eB2O3-fSiO2。

公开(公告)号：KR100586946B1

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：KR1020040000244

申请日：2004-01-05

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 문병두 ,  허강헌 ,  김우섭

IPC: C04B35/624

Abstract: 본 발명은 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 제조방법 및 이에 따라 제조된 향상된 분산성을 갖는 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물에 관한 것으로,
적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 제조방법에 있어서, MgOR, MnOR, BaOR 및 CaOR의 알콕사이드 화합물, 그리고 YOR, DyOR, HoOR 및 ErOR로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종의 알콕사이드 화합물(여기서, R은 -CH
3 , -CH
2 CH
3 , -CH
2 CH
2 CH
3 또는 -CH
2 CH
2 CH
2 CH
3 의 알킬기임)을 도전성 금속분말이 용해된 금속분말 졸에 pH 4.0-8.0을 유지하면서 첨가혼합한 다음 열처리하여 금속분말 졸을 겔화시켜 유전체 조성물을 제조함을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 제조방법이 제공된다. 또한 상기 방법으로 제조된 향상된 분산성을 갖는 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물이 제공된다.
본 발명의 방법은 알콕사이드 형태의 첨가제를 사용함으로써 유전체 조성물의 분산성을 향상시켜 유전특성 및 전기적 특성이 우수하고 신뢰성이 향상된 적층 세라믹 콘덴서를 제조할 수 있다.
적층 세라믹 콘덴서, 알콕사이드, 분산성, 겔화, 유전체

公开(公告)号：KR100568286B1

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：KR1020030094873

申请日：2003-12-22

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 정한승 ,  허강헌 ,  김우섭 ,  문병두

IPC: H01G4/12

CPC classification number: C04B35/628 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/62821 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/663 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/1227

Abstract: 첨가제가 고도로 분산되도록 세라믹 분말에 첨가제를 분산, 코팅하는 방법에 관한 것이다. Mg, Y, Dy, Mn, Ba 및 Ca의 질산염, 초산염, 산화물 및 탄산염으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 하나의 금속염 수용액 또는 금속염의 졸에 에테닐벤젠을 첨가하고 그 후, (Ba
(1-x) Ca
x )TiO
3 , 0≤x≤0.05) 세라믹 분말을 첨가, 예비혼합하는 단계; 예비혼합물을 비즈 밀에서 해쇄 및 혼합하는 단계; 분무건조하는 단계; 및 400~700℃로 열처리하는 단계를 포함하는 세라믹 분말에 첨가제를 균일하게 분산, 코팅하는 방법이 제공된다. 액상법으로 유전체 분말에 첨가제를 고분산시킴으로써 첨가제가 편석되지 않고, 미립분말의 소결제어 및 분산성이 향상된다. 첨가제가 고분산된 유전체 분말은 1005 size 1㎌이상의 고용량 적층세라믹 콘덴서 제조에 적합하고 개선된 신뢰성을 나타낸다.
유전체 세라믹 분말, 금속의 수용성염, 에테닐 벤젠, 신뢰성, 고분산

公开(公告)号：KR1020050096744A

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：KR1020040022415

申请日：2004-03-31

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 서동환 ,  허강헌 ,  강성형 ,  유진영

IPC: C01G23/04

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C01G23/003 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2004/62 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/6281 ,  C04B35/62815 ,  C04B35/62821 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79

Abstract: 본 발명은 유전체용 산화물 분말을 제조하는 방법 및 유전체용 산화물 분말 및 이 산화물 분말을 사용하여 제조된 유전체를 포함하는 적층 세라믹 콘덴서에 관한 것으로서, 입도 분포가 좁은 범위를 갖고, OH
- 기의 함량이 낮고, C/A 축 비가 크고, 그리고 페로브스카이트 구조를 갖는 미립의 유전체용 산화물 분말 및 이 산화물 분말을 사용하여 제조된 유전체를 포함하는 적층 세라믹 콘덴서를 제공하고자 하는데, 그 목적이 있는 것이다.
본 발명은 ABO
3 (A는 원자가가 2인 원소 및 희토류 원소중에서 선택된 1종 또는 2종이상이고, B는 Ti 임) 페로브스카이트구조를 갖는 산화물 분말을 제조하는 방법에 있어서, 상기 A 자리에 들어가는 원소가 1종 또는 2종이상 용해된 화합물과 TiO
2 원료를 혼합하고, 건조 및 분쇄한 후, 진공하에서 하소 열처리하여 상기 A 자리 원소 함유 산화물이 TiO
2 입자 표면에 코팅되도록 한 다음, 코팅된 TiO
2 에, A 자리 원소/Ti 비가 0.995∼1.025가 되도록 A 자리 원소 함유 산화물을 첨가하여 습식혼합한 후, 건조 및 분쇄한 다음, 진공하에서 1차 하소한 후, 분쇄하고, 2차 하소한 후, 분쇄하여 페로브스카이트 구조를 갖는 유전체용 산화물 분말을 제조하는 방법, 유전체용 산화물 분말 및 이 산화물 분말을 사용하여 제조된 유전체를 포함하는 적층 세라믹 콘덴서를 그 요지� �� 한다.

公开(公告)号：KR1020050096237A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：KR1020040021088

申请日：2004-03-29

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 허강헌 ,  박선철 ,  이상균

IPC: H01G4/10

Abstract: 적층세라믹콘덴서용 티탄산바륨계 파우더 제조방법이 제공된다.
본 발명은, 0.99≤x≤1, 0.8≤y≤1, 0.996≤M(=x/y)≤1.002를 만족하는 Ba
x Ti
y O
3 파우더를 마련하는 공정; 상기와 같이 마련된 Ba
x Ti
y O
3 파우더에, CaCO
3 또는, Ca(NO
3 )
2 , Ca(NO
2 )
2 , Ca(COOCH
3 )
2 , Ca(OH)
2 및 CaCl
2 로 이루어진 그룹중 선택된 1종을 혼합한후 건조하는 공정; 및 상기 건조된 파우더를 하소하여 입도 0.1∼0.5㎛의 변성 BaCaTiO
3 파우더를 합성한후, 미분쇄하는 공정;을 포함하는 적층세라믹콘덴서용 티탄산바륨계 파우더 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020050091138A

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：KR1020040016239

申请日：2004-03-10

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 진연식 ,  허강헌 ,  김우섭 ,  최창학

IPC: H01G4/12

Abstract: 본 발명은 소결조제로서 유리를 포함하는 유전체 조성물과 이를 이용한 적층세라믹 커패시터에 관한 것이다. 이 유전체 조성물은, ABO
3 로 표현되는 주성분을 포함하는 유전체 조성물에 있어서, 상기 유전체 조성물에는 Li
2 O-SiO
2 -MO 타입의 유리가 포함되며, 상기 MO는 상기 A, B에서 선택된 1종 또는 2종이상이며, Li
2 O는 5~30중량%, SiO
2 는 50~90중량%, MO는 5~30중량%을 만족한다. 또한, 본 발명의 적층세라믹 커패시터는 적층된 복수의 유전체 세라믹층과 유전체 세라믹층 사이에 정전용량을 형성하도록 배치되는 내부전극과 상기 내부전극에 전기적으로 접속된 외부전극을 포함하여 이루어지고, 상기 유전체 세라믹층은 상기한 유전체 조성물이다.

公开(公告)号：KR100501199B1

公开(公告)日：2005-07-18

申请号：KR1020030084509

申请日：2003-11-26

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 권영근 ,  허강헌 ,  최재열 ,  이창수 ,  박명준

IPC: H01F17/00

Abstract: 본 발명은 적층칩 부품의 단자전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 적층칩 콘덴서의 제조방법에 관한 것으로서, 우수한 생산성 및 편리성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라 단자 전극표면으로의 그라스 용출을 방지할 수 있는 칩부품 단자전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 제조된 적층칩 부품을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있는 것이다.
본 발명은 도전성 금속 파우더 : 65∼75 중량%, 그라스 프릿: 3∼15 중량%, 및 필러로서 SiO
2 : 0.7 ∼10중량%, Al
2 O
3 : 0.4 ∼10중량% 및 ZrO
2 : 0.2 ∼8.0중량%로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 또는 2종이상을 함유하고, 필러가 2종 이상이면 그 합량이 0.6∼10중량%가 되도록 조성되는 기본 페이스트에, 이 기본 페이스트의 중량에 대하여 5∼20중량%의 바인더를 포함하여 이루어진 칩 부품 단자 전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 적층칩 부품의 제조 방법을 그 요지로 한다.
본 발명에 의하면, 우수한 생산성 및 편리성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라 단자 전극표면으로의 그라스 용출을 방지할 수 있어 도금성, 납땜성 및 단자 전극의 치밀도를 개선시킬 수 있는 효과가 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1020050063926A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020030095173

申请日：2003-12-23

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 최창학 ,  허강헌 ,  진연식

IPC: C04B35/49

CPC classification number: H01B3/12 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/30

Abstract: Y5V특성이 우수한 적층칩 세라믹캐패시터용 유전체조성물의 제조방법이 제공된다.
본 발명은, BaCO
3 ,CaCO
3 ,TiO
2 및 ZrO
2 로 조성된 원료분말을 통상의 조건으로 혼합,하소한후 분쇄하여, (Ba
x Ca
1-x )
M (Ti
y Zr
1-y )O
3 로 조성되고 0.99≤x≤1, 0.8≤y≤0.894, 1.000≤M≤1.003을 만족하는 BCTZ분말을 제조하는 공정; 및 후속하는 배치공정에서 상기와 같이 제조된 BCTZ 분말에 대한 중량%로, BaCO
3 :0.01~0.5%, CaCO
3 :0.01~0.025%, 및 V
2 O
5 , Ta
2 O
5 , Nb
2 O
5 중 선택된 1종 이상을 0.5%이하로 추가로 혼합함을 특징으로 하는 F특성이 우수한 MLCC용 유전체 조성물의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100444224B1

公开(公告)日：2004-08-16

申请号：KR1020010070539

申请日：2001-11-13

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김준희 ,  허강헌 ,  김종한 ,  김우섭

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/475 ,  C03C8/14 ,  C03C14/004 ,  C04B35/462 ,  C04B35/468 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85

Abstract: A dielectric ceramic composition of high dielectric constant and low dielectric loss, which can be co-fired with Ag electrodes, is provided for use in various parts of electric and electronic appliances. The composition is represented by the following chemical formula:a wt. % {x BaO-y1 Nd2O3-y2 Sm2O3-w Bi2O3-z TiO2}+b wt. % (ZnO-B2O3-SiO2-PbO based glass frit)+c wt. % CuOwherein, 10.0 mol %

Abstract translation: 提供可以与Ag电极共烧的高介电常数和低介电损耗的介电陶瓷组合物，用于电气和电子设备的各种部件。 该组合物由以下化学式表示：a wt。 ％{x BaO-y1 Nd2O3-y2 Sm2O3-w Bi2O3-z TiO2} + bwt。 ％（ZnO-B2O3-SiO2-PbO基玻璃料）+ cwt。 ％CuO其中，10.0mol％≤x≤20.0mol％; 7.0摩尔％≤y1+y2≤20.0摩尔％; 0.5摩尔％≤w≤5.0摩尔％; 60.0摩尔％≤z≤80.0摩尔％，条件是x + y1 + y2 + w + z = 100; 80.0wt。 ％<= a <= 98.0wt。 ％; 1.0wt。 ％≤b≤10.0wt。 ％; 1.0wt。 ％≤c≤10.0wt。 ％。