Abstract:
A small image forming apparatus and a method thereof are provided to enable an electrostatic latent image on a drum surface by itself, thereby drastically reducing time for printing print data. A drum forms an electrostatic latent image corresponding to print data to be printed on a surface by itself(110). A developing unit generates a developing image by developing the formed electrostatic latent image(120). A transferring unit transfers the generated developing image on a print medium(130). A fusing unit fuses the transferred developing image on the print medium(140).
Abstract:
본 발명은 디지털 방송 녹화장치의 타이틀 관리방법에 관한 것으로, 방송을 예약녹화 할 때 실제 녹화되는 방송 외에 녹화 중인 방송의 하이라이트를 요약한 타이틀을 녹화하여 다음 예약녹화 시 녹화 저장공간이 부족하여 해당 타이틀을 지우게 되더라도 하이라이트된 타이틀이 남아 있어 사용자에게 요약된 타이틀을 제공할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다. 이를 위해 본 발명은 디지털 방송 녹화장치에서 예약녹화 타이틀을 관리하는 방법에 있어서, 예약녹화 시 방송신호를 수신하여 원래의 방송신호를 녹화하는 단계; 녹화 중인 방송의 하이라이트를 요약한 타이틀을 녹화하는 단계; 및 다음 예약녹화 시 녹화 저장공간이 부족한가를 판단하여 녹화 저장공간이 부족한 경우 원래의 방송신호를 녹화한 타이틀을 삭제하는 단계;를 포함한다.
Abstract:
수직나노튜브를 이용한 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 개시된 메모리 소자는, 소스 영역이 형성된 기판과, 기판 상에 일단이 소스 영역과 연결되어 전자 이동 채널이 되는 수직 성장된 나노튜브 컬럼 어레이와, 나노튜브 컬럼의 측면에 증착되는 메모리셀과, 메모리셀의 측면에 형성되는 제어 게이트 및, 나노튜브 컬럼의 타단과 연결되는 드레인 영역을 포함한다. 이온 도핑이 필요없는 단순한 공정을 통해 초고집적 메모리를 구현할 수 있다.
Abstract:
A flat panel display device is provided to prevent the performance degradation such as generation of a dark spot and brightness degradation by sealing a light-emitting element inside of the display device. A flat panel display device includes a bank unit(131), light-emitting elements(120), a dummy bank unit(135), and a sealing protection layer(140). The bank is arranged in a predetermined pattern on a display region, and defines a plurality of apertures. The light-emitting elements are arranged on the apertures. The dummy bank unit is integrally formed with the bank unit on a non-display region. An organic film and an inorganic film are alternatively stacked on the sealing protection layer of a multi-layer structure. The sealing protection layer separates the light-emitting elements from an external device. The organic film is arranged on a border of the sealing protection layer which is contacted with the light-emitting elements. The sealing protection layer of the multi-layer is extended from the display region to the non-display region, and is arranged to an outermost circumference of the dummy bank unit.
Abstract:
A efficient context adaption method and an apparatus thereof in a CABAC(Context Adaptive Binary Arithmetic Coding) process are provided to improve efficiency when information previously processed for blocks surrounding the current block is used and reduce the number of memories and bus accesses required for storing the neighboring information. A context adaption method in a CABAC process includes a step of determining the type of the syntax element of a next macroblock for which context adaption is carried out using neighboring information of the current macroblock(S100), a step of determining the condition and neighboring information to be used for context adaptation of the next macroblock on the basis of the type of the syntax element of the next macroblock(S110), a step of applying the determined condition to the determined neighboring information to generate a condition result(S120), and a step of storing the generated condition result(S130).
Abstract:
본 발명은 액티브 영역에 복수개의 도핑층을 갖는 전하트랩 메모리 셀을 이용한 노아(NOR) 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법에 관한 것이다. 종래 전하트랩 메모리 셀의 구조와 달리 본 발명에서 사용되는 메모리 셀은 액티브 영역에 복수개의 도핑층을 적절히 형성함으로써, 소스/드레인 영역과 PN 접합을 이루는 부분에서 전자가 밴드간 터널링이 되도록 유도하고, 상기 전자를 소정의 역 바이어스 상태에서 가속시켜 애벌런치 현상을 유도하여 이때 생성된 홀을 각 전하트랩 메모리 셀의 전하트랩층으로 주입시키는 방식으로 프로그램하고, 이레이즈시에는 FN 터널링으로 채널에 있는 전자를 상기 각 셀의 전하트랩층으로 주입시키는 방식으로 노아 플래시 메모리 어레이를 동작하는 방법을 제공한다. 전하트랩, 플래시 메모리, 터널링, 애벌런치, NOR
Abstract:
소노스 메모리 소자의 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 기판에 이격되게 형성되어 있고 소정의 도전성 불순물이 도핑된 제1 및 제2 불순물 영역과, 상기 제1 및 제2 불순물 영역사이의 상기 기판 상에 형성된 게이트 산화막과, 상기 게이트 산화막 상에 형성된 제1 트랩층과, 상기 제1 트랩층 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 소노스 메모리 소자의 동작 방법에 있어서, 상기 제1 및 제2 불순물 영역은 각각 소오스 및 드레인 영역으로서, 상기 제1 불순물 영역에 4.7V를 인가하고, 상기 제2 불순물 영역에 인가하는 전압(V2)은 0보다 작고 -3V이상(0V>V2≥-3V)이며, 상기 게이트 전극에 4V를 인가하여 상기 소노스 메모리 소자에 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하는 소노스 메모리 소자의 동작 방법을 제공한다.
Abstract:
An image distortion preventing device and method are provided to generate an image as if resonance frequency is not changed by reflecting unexpected variation of the resonance frequency due to inevitable temperature variation of an optic scanner, to an image signal or a driving signal in real time. An image distortion preventing device includes a signal insertion unit(230) for inserting a sensing signal into an image signal having information on an image and outputting the inserted result as a scanning signal; a scanning unit(240) generating the light in response to the scanning signal and operated according to a driving signal determining the scanning direction of the light to scan the light; a sensing unit(260) detecting the sensing signal by sensing the scanned light; and a sensing condition reflecting unit(270) for inspecting whether the sensing signal is detected correspondingly to a pre-set sensing condition or not and re-setting at least one of the image signal and the driving signal in response to the inspection result.
Abstract:
An organic light-emitting device of an active matrix drive type and a method for manufacturing the same are provided to prevent deterioration of the device by forming an organic thin film transistor with low process temperature after forming the organic thin film diode with high process temperature. In an organic light-emitting device of an active matrix drive type, an organic light emitting diode(300) includes a transparent electrode(340), an organic light emitting layer(330), and a pixel electrode(310) laminated on an upper side of a transparent substrate(100) in sequence. A planarized layer(410) covers the organic light emitting diode(300). A pixel circuit drives the organic light emitting diode(300) by using an organic thin film transistor(200) arranged on an upper surface of the planarized layer(410).