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公开(公告)号：KR100853086B1
公开(公告)日：2008-08-19
申请号：KR1020070040384
申请日：2007-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , Y10T428/2991
Abstract: A nanocrystal-metal oxide composite and a preparation method thereof are provided to obtain excellent emission, excellent light stability and excellent chemical stability by employing a nanocrystal of which a surface is substituted with at least two kinds of surfactant. A nanocrystal-metal oxide composite comprises metal oxide and nanocrystal of which a surface is substituted with at least two kinds of surfactant, and one of the surfactants is hydrophilic while the other of the surfactants is alkylamine surfactant. The hydrophilic surfactant is at least one represented by the following formula 1: [formula 1] A_n-(R_m)-B_1, wherein A is selected from a group consisting of thiol group, amino group, carboxylic group, phosphonic group, phosphine oxide group, nitrile group and thiocyanate group, B is selected from a group consisting of hydroxylic group, carboxylic group, amino group, phosphonic group and sulphonic group, R is at least one selected from a group consisting of hydrocarbon group such as alkyl and aryl, polyether, ethylene oxide and propylene oxide, n and l is an integer of 1 or more, respectively, and m is an integer from 1 to 22. The alkyl amine surfactant is selected from a group consisting of monomethyl amine, dimethyl amine, trimethyl amine, monoethyl amine, diethyl amine, triethyl amine, isopropyl amine, diisopropyl amine, mono-n-propyl amine, di-n-propyl amine, tri-n-propyl amine, mono-n-butyl amine, di-n-butyl amine, tri-n-butyl amine, mono-sec-butyl amine, di-sec-butyl amine, tri-sec-butyl amine, mono-tert-butyl amine, di-tert-butyl amine, cyclohexyl amine, dicyclohexyl amine, octyl amine, dodecyl amine, hexadecyl amine, dimethyl amino ethyl amine, N-ethyl ethylene diamine, N,N-dimethyl-1,3-propane diamine and mixture thereof. A preparation method of the nanocrystal-metal oxide composite comprises steps of: reacting the surface of a nanocrystal with at least two kinds of surfactant for substitution; and mixing the nanocrystal of which the surface is substituted with surfactants, precursors of metal oxide, solvent and water and drying the mixture in order to obtain the nanocrystal-metal oxide composite. Further, the metal oxide is selected from TiO2, ZnO, SiO2, SnO2, WO3, Ta2O3, BaTiO3, BaZrO3, ZrO2, HfO2, Al2O3, Y2O3, ZrSiO4, Fe2O3, Fe3O4, CeO, CrO3 and a mixture thereof.
Abstract translation: 提供一种纳米晶金属氧化物复合物及其制备方法，通过使用表面被至少两种表面活性剂代替的纳米晶体，以获得优异的发光性，优异的光稳定性和优异的化学稳定性。 纳米晶体 - 金属氧化物复合物包括金属氧化物和纳米晶体，其表面被至少两种表面活性剂取代，并且一种表面活性剂是亲水性的，而另一种表面活性剂是烷基胺表面活性剂。 亲水性表面活性剂为由下式1表示的至少一种：[式1] A_n-（R_m）-B_1，其中A选自硫醇基，氨基，羧基，膦酸基，氧化膦基 ，腈基和硫氰酸酯基，B选自羟基，羧基，氨基，膦酸基和磺酸基，R是选自烃基如烷基和芳基中的至少一种，聚醚 ，环氧乙烷和环氧丙烷，n和l分别为1以上的整数，m为1〜22的整数。烷基胺表面活性剂选自单甲胺，二甲胺，三甲胺， 单乙胺，二乙胺，三乙胺，异丙胺，二异丙胺，单正丙胺，二正丙胺，三正丙胺，单正丁胺，二正丁胺， 三正丁胺，单仲丁胺，二仲丁胺，三 - 仲丁胺，单叔丁胺，二叔丁胺，环己胺，二环己基胺，辛胺，十二烷基胺，十六烷基胺，二甲基氨基乙胺，N-乙基乙二胺，N，N-二甲基 -1,3-丙二胺及其混合物。 纳米晶体 - 金属氧化物复合物的制备方法包括以下步骤：使纳米晶体的表面与至少两种表面活性剂反应以进行取代; 将表面被取代的纳米晶体与表面活性剂，金属氧化物的前体，溶剂和水混合并干燥该混合物以获得纳米晶体 - 金属氧化物复合物。 此外，金属氧化物选自TiO 2，ZnO，SiO 2，SnO 2，WO 3，Ta 2 O 3，BaTiO 3，BaZrO 3，ZrO 2，HfO 2，Al 2 O 3，Y 2 O 3，ZrSiO 4，Fe 2 O 3，Fe 3 O 4，CeO，CrO 3及其混合物。
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公开(公告)号：KR100839727B1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020080013862
申请日：2008-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체 나노결정의 표면에 하나 이상의 금속입자가 결합된 반도체 나노결정-금속 복합체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체는 종래 반도체 나노결정의 기본 특성 외에도 광전(photo current) 특성 및 향상된 결합성을 가지므로 반도체 나노결정의 응용을 넓힐 수 있으며, 본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체는 별도의 복잡한 공정을 거치지 않고 상온에서 용이하게 합성될 수 있다.
반도체 나노결정-금속복합체, 금속나노입자, 상온 합성, 광전 특성, 결합성-
公开(公告)号：KR1020070121380A
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：KR1020060056365
申请日：2006-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A thin film containing nano crystalline particles is provided to reduce the grain boundary of a thin film by using a nano crystal as a nucleus of crystal growth in a thin film including nano crystalline particles. At least one kind of nano particle precursor is melted in a dispersant and an organic solvent and is heated at a high temperature for a predetermined interval of time to grow a crystal so that nano crystalline particles are fabricated. The organic dispersant existing on the surface of the nano crystalline particles is replaced by a dispersant having a high affinity with a solvent. A molecular precursor is melted in an organic solvent to fabricate a molecular precursor solution. The solution of the nano crystalline particles is mixed with the molecular precursor solution to fabricate a mixture solution of nano particles and molecular precursor. After the mixture solution is coated on the substrate, a heat treatment is performed to obtain a thin film. The nano crystalline particles can be semiconductor nano crystalline particles or metal oxide nano crystalline particles.
Abstract translation: 提供含有纳米结晶粒子的薄膜，通过在纳米结晶粒子的薄膜中使用纳米晶体作为晶体生长的核心来减少薄膜的晶界。 将至少一种纳米颗粒前体在分散剂和有机溶剂中熔融，并在高温下加热预定的时间以生长晶体，从而制造纳米结晶颗粒。 存在于纳米结晶粒子表面的有机分散剂由与溶剂亲和性高的分散剂代替。 分子前体在有机溶剂中熔化以制备分子前体溶液。 将纳米结晶颗粒的溶液与分子前体溶液混合以制备纳米颗粒和分子前体的混合溶液。 将混合溶液涂布在基板上之后，进行热处理以获得薄膜。 纳米结晶颗粒可以是半导体纳米结晶颗粒或金属氧化物纳米结晶颗粒。
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74.发明授权광경화성 반도체 나노결정, 반도체 나노결정 패턴형성용 조성물 및 이들을 이용한 반도체 나노결정의 패턴 형성 방법 有权可光固化半导体纳米晶体，用于图案形成半导体纳米晶体的光固化组合物和使用其制备纳米晶体的方法
公开(公告)号：KR100697511B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020030073338
申请日：2003-10-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C08F2/28 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B29/60 , C30B33/00 , G03F7/0043 , G03F7/0047 , G03F7/027 , H01L51/426 , H01L51/502 , Y02E10/549 , Y10S428/917 , Y10S977/773 , Y10T428/24802 , Y10T428/265 , Y10T428/2991 , Y10T428/2998 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663
Abstract: 본 발명은 감광성 반도체 나노 결정 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 감광성 작용기를 가진 화합물로 표면 배위된 반도체 나노결정, 반도체 나노결정의 감광성 조성물 및, 상기 감광성 반도체 나노결정 또는 상기 조성물로부터 필름을 형성하고 이를 노광 및 현상하여 반도체 나노결정의 패턴을 수득하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 별도의 주형을 사용하거나 마스크의 분리 과정 없이, 필름형성, 노광 및 현상의 간단한 공정을 통해 화합물 반도체 나노결정의 패턴을 형성할 수 있으며, 수득된 반도체 나노결정의 패턴은 패턴 형성 전 반도체 나노결정과 동일한 발광특성을 나타내므로, 유·무기 혼합물을 포함하는 전기 발광소자에서 유용하게 사용할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100621309B1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020040027014
申请日：2004-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/08 , B82Y30/00 , C01G1/12 , C01G11/006 , C01G11/02 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/565 , C09K11/883 , H05B33/14 , Y10S428/917 , Y10S977/773 , Y10S977/774 , Y10S977/775 , Y10S977/834
Abstract: 본 발명은 황 전구체로서 싸이올 화합물을 이용한 황화 금속 나노결정의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 용매 중에서 금속 전구체와 싸이올 화합물을 반응시켜 황화 금속 결정을 성장시켜 나노 크기의 결정 상으로 합성하거나, 용매 중에서 금속 전구체와 싸이올 화합물을 반응시켜 코어 표면에 황화 금속 결정층을 성장시켜 코어-쉘(core-shell) 구조의 나노결정을 합성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의해 균일한 크기의 나노 입자를 제조할 수 있고, 원하는 결정 구조를 선택적으로 얻을 수 있으며, 다양하게 형태를 조절하여 황화 금속 나노결정을 제조할 수 있다.
황화 금속 나노결정, 싸이올 화합물, 코어-쉘 구조, 습식 합성법, 화합물 반도체-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060093642A
公开(公告)日：2006-08-25
申请号：KR1020050114068
申请日：2005-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C30B7/00 , C30B29/40 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B29/605 , Y10S977/718 , Y10S977/768 , Y10S977/773 , Y10S977/784 , Y10S977/79 , Y10S977/827
Abstract: 본 발명은 반도체 나노결정 씨드(seed)의 표면으로부터 선택적인 방향에 물질 조성이 다른 반도체 나노결정을 와이어 형태로 성장시킨 이종 구조(heterostructure)의 반도체 나노 와이어 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 나노 와이어의 성장이 나노 결정 씨드에 의해 개시되므로, 나노 결정 씨드의 종류, 형태 및 크기를 조절함으로써 나노 와이어의 직경을 조절할 수 있고, 전기 광학적 특성이 조절된 와이어를 습식 공정으로 제조할 수 있다.
반도체 나노 결정, 씨드, 이종 구조 반도체 나노 와이어, 습식 공정-
公开(公告)号：KR1020060085220A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020060057343
申请日：2006-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B82B3/00 , H01L21/027 , H01L21/20 , H01L33/00 , A07
Abstract: 본 발명은 나노 결정의 다층 박막 제조방법과 이를 이용한 유·무기 하이브리드 전기 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 (i) 감광성 화합물에 의해 표면 배위된 나노 결정 또는 감광기와 혼합 가능한 물질에 의해 표면 배위된 나노 결정과 감광성 화합물의 혼합액을 기판 위에 코팅하고, 건조한 후 자외선에 노광하여 나노 결정 박막을 형성하는 단계; 및 (ii) 상기 (i) 단계에서 수득된 나노 결정 박막 위에 상기 (i) 단계를 반복하는 단계를 포함하는 나노 결정의 다층 박막 제조방법과 상기 방법에 의해 제조된 나노 결정의 다층 박막 을 발광층으로 이용한 유·무기 하이브리드 전기 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명의 유·무기 하이브리드 전기 발광 소자는 본 발명에서 제조된 나노 결정의 다층 박막을 발광층으로 이용함으로써 발광 효율과 발광 세기를 증진시킬 수 있고, 발광 소자의 전기적 특성도 조절할 수 있다.
나노 결정, 다층 박막, 전기 발광 소자, 발광층-
公开(公告)号：KR1020060084668A
公开(公告)日：2006-07-25
申请号：KR1020050005445
申请日：2005-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L29/127 , H01L33/06 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/56 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/95
Abstract: Disclosed herein is a quantum dot phosphor for light emitting diodes, which includes quantum dots and a solid substrate on which the quantum dots are supported. Also, a method of preparing the quantum dot phosphor is provided. Since the quantum dot phosphor of the current invention is composed of the quantum dots supported on the solid substrate, the quantum dots do not aggregate when dispensing a paste obtained by mixing the quantum dots with a paste resin for use in packaging of a light emitting diode. Thereby, a light emitting diode able to maintain excellent light emitting efficiency can be manufactured.
Abstract translation: 本文公开了一种用于发光二极管的量子点荧光体，其包括量子点和支撑量子点的固体基板。 另外，提供了制备量子点荧光体的方法。 由于本发明的量子点荧光体由支撑在固体基板上的量子点组成，所以当分配通过将量子点与用于封装发光二极管的糊状树脂所获得的糊剂分配时，量子点不会聚集 。 由此，可以制造能够保持发光效率优异的发光二极管。
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