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公开(公告)号：KR1020060026789A
公开(公告)日：2006-03-24
申请号：KR1020040075658
申请日：2004-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28097 , H01L21/823835 , H01L29/4975 , H01L29/665 , H01L29/66545
Abstract: 반도체 장치 내 적어도 하나의 금속 게이트 패턴의 형성방법들을 제공한다. 이 형성방법들은 반도체 제조공정의 영향으로부터 트랜지스터의 문턱전압의 변화를 최소화시킬 수 있는 방안을 제시해준다. 이를 위해서, 반도체 기판의 활성영역을 가로질러서 달리는 적어도 하나의 정렬 패턴 및 그 패턴의 측벽들을 덮는 스페이서들을 차례로 형성하는 것을 포함한다. 상기 정렬 패턴은 도전막 패턴 및 정렬 캐핑막 패턴을 차례로 적층해서 형성한다. 상기 정렬 패턴 및 스페이서들을 덮는 매립 층간절연막을 형성한다. 상기 도전막 패턴을 노출시키도록 매립 층간절연막, 정렬 패턴 및 스페이서들에 평탄화 공정을 수행해서 스페이서 패턴들을 형성한다. 상기 스페이서 패턴들은 매립 층간절연막 및 도전막 패턴 사이에 개재되도록 형성한다. 상기 스페이서 패턴들 및 매립 층간절연막을 마스크로 사용해서 도전막 패턴의 일부분에 디스포저불(Disposable) 금속 실리사이드 막을 형성한다. 상기 디스포저불 금속 실리사이드 막을 반도체 기판으로부터 제거한다. 상기 스페이서 패턴들 및 매립 층간절연막을 마스크로 사용해서 도전막 패턴의 나머지 부분에 구속된(Confined) 금속 실리사이드 막을 연이어 형성한다. 상기 스페이서 패턴들 및 매립 층간절연막을 식각 버퍼막으로 사용해서 구속된 금속 실리사이드 막에 식각 공정을 수행하여 금속 게이트 패턴을 형성한다.
트랜지스터, 문턱전압, 정렬패턴, 스페이서 패턴, 층간절연막, 금속 실리사이드 막.-
公开(公告)号：KR100555565B1
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040023802
申请日：2004-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/24
Abstract: 코발트 샐리사이드막을 포함하는 반도체 장치의 제조방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 의한 반도체 장치의 제조방법은 게이트 라인에는 CVD 코발트 샐리사이드막을 형성하며, 소오스/드레인 영역에는 PVD 코발트 샐리사이드막을 형성한다. 그리고, CVD 코발트 샐리사이드막과 PVD 코발트 샐리사이드막을 형성하는 순서는 서로 바뀔 수 있다.
반도체, 코발트, 샐리사이드, 덩어리화, PVD 코발트, CVD 코발트-
公开(公告)号：KR1020060005871A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：KR1020040054860
申请日：2004-07-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L29/665
Abstract: 자기정렬 실리사이드층을 가지는 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 소자는 기판에 형성되어 활성영역을 한정하는 소자분리막과 상기 활성영역 상부를 가로지르는 게이트 패턴을 포함한다. 상기 게이트 패턴의 양 측벽에 스페이서 절연막이 형성된다. 상기 게이트 패턴의 상부(upper portion)에 제 1 및 제 2 살리사이드층(salicide layer)가 형성되고, 상기 스페이서 절연막과 상기 소자분리막 사이의 활성영역에 각각 제 1 살리사이드층(salicide layer)이 형성된다. 상기 게이트 패턴 상부의 제 1 및 제 2 살리사이드층은 번갈아 서로 연결되어 형성된다. 폭이 좁은 게이트 패턴에 제 1 살리사이드층이 집괴되어 형성된 후 제 2 살리사이드층으로 패치하여 이어진 살리사이드층을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 提供了具有自对准硅化物层的半导体器件及其制造方法。 该器件包括形成在衬底上的隔离层并且限定穿过有源区的有源区和栅极图案。 间隔绝缘膜形成在栅极图案的两个侧壁上。 第一和第二金属硅化物层形成在栅极图案的上部上，并且第一金属硅化物层形成在间隔件绝缘膜和隔离膜之间的有源区上， 是的。 栅极图案上的第一和第二硅化物层交替地彼此连接。 可以通过在窄栅极图案中聚集第一硅化物层然后修补到第二硅化物层以形成硅化物层来形成硅化物层。
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公开(公告)号：KR1020050040706A
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020040081986
申请日：2004-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/7685 , H01L21/32134 , H01L21/76843 , H01L21/76864
Abstract: 박막 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어, 실리콘 기판 상에 제1 금속막을 형성한 후, 상기 제1 금속막 상에 제2 금속막을 형성한다. 이때, 상기 제1 금속막 중에서 상기 실리콘 기판의 표면에 면접하고 있는 제1 금속막은 상기 실리콘 기판과 반응하여 금속 실리사이드막으로 전환되고, 상기 제1 금속막 내에 함유된 불순물은 상기 제2 금속막으로 포집된다. 그리고, 상기 제2 금속막과 상기 금속 실리사이드막으로 전환되지 않은 제1 금속막을 제거하여 상기 실리콘 기판 상에 상기 금속 실리사이드막으로 이루어지는 오믹막을 형성한 후, 상기 오믹막을 포함하는 결과물 상에 금속 배선을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020040108141A
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：KR1020030038889
申请日：2003-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device is provided to improve switching-speed of an MOS(Metal Oxide Semiconductor) transistor by obtaining a strained channel from an insulating layer with tensile stress using a heat treatment. CONSTITUTION: An MOS transistor is formed at a predetermined region of a semiconductor substrate. A stress layer is formed on the substrate including the MOS transistor(15). Physical stress of the stress layer is converted into tensile stress or the tensile stress of the stress layer is increased by using a heat treatment(21).
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，以通过使用热处理从具有拉伸应力的绝缘层获得应变通道来提高MOS（金属氧化物半导体）晶体管的开关速度。 构成：在半导体衬底的预定区域形成MOS晶体管。 在包括MOS晶体管（15）的衬底上形成应力层。 应力层的物理应力被转化为拉伸应力，或者通过使用热处理来增加应力层的拉伸应力（21）。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR2019950020923U
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR2019930032194
申请日：1993-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정석우
IPC: G11B31/00
Abstract: 본고안은영상재생기기(VCR)에오디오카셋트를내장시켜 TV 신호와비데오테이프재생신호중의음성신호와 FM 및 AM 음성신호를오디오카셋트로녹음시킬수있도록한 것으로 TV 어학강좌나어학용비데오테이프의방송내용을오디오카셋트로휴대하여가며들을수 있다. 본고안은영상재생기기부(100)와오디오카셋트부(200)가하나의메인마이콤(300)에의하여그 구동이제어되게연결한후 메인마이콤(300)의밴드선택신호와채널동조신호출력에의하여 TV RF부(410)와 FM부(420) 및 AM부(430)의동작을선택하게구성하는한편입력선택신호를출력시켜 TV RF부(410)의출력을스위칭소자(440)에서선택하여출격시키게구성한다.
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