公开(公告)号：KR1020100070598A

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020080129219

申请日：2008-12-18

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 강동헌 ,  이인경 ,  임건자 ,  김태완 ,  최원영 ,  이태영

IPC: C09K3/14

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing(CMP) slurry composition is provided to reduce the etching speed to a metal wiring while maintaining the polishing speed of the composition, and to reduce the erosion and the dishing while maintaining the tungsten removal time. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing(CMP) slurry composition contains ultrapure water, an abrasive, an oxidizer, and a corrosion inhibitor. The corrosion inhibitor is either phosphoric acid or phosphoric acid salt. The abrasive contains 0.01~15wt% of metal oxide selected from the group consisting of silica, alumina, ceria, zirconia, and titania. The phosphoric acid salt is selected from the group consisting of potassium monohydregen phosphate, dibasic potassium phosphate, monoammonium phosphate, and others.

Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光（CMP）浆料组合物以降低对金属布线的蚀刻速度，同时保持组合物的抛光速度，并且在保持除钨时间的同时减少侵蚀和凹陷。 构成：化学机械抛光（CMP）浆料组合物含有超纯水，磨料，氧化剂和腐蚀抑制剂。 腐蚀抑制剂是磷酸或磷酸盐。 研磨剂含有选自二氧化硅，氧化铝，二氧化铈，氧化锆和二氧化钛中的0.01〜15wt％的金属氧化物。 磷酸盐选自磷酸二氢钾，磷酸氢二钾，磷酸二氢铵等。

公开(公告)号：KR1020080025595A

公开(公告)日：2008-03-21

申请号：KR1020060090280

申请日：2006-09-18

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 임건자 ,  이인경 ,  김원래 ,  강동헌

IPC: C09K3/14

Abstract: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to improve stability of the oxidant against decomposition and reliability in the physical properties, thereby ensuring a stable fabrication process of a semiconductor device. A chemical mechanical polishing slurry composition comprises: a polishing agent comprising at least one metal oxide selected from the group consisting of seria, zirconia and titania; an oxidant; and a stabilizer for stabilizing the decomposition of the oxidant caused by the polishing agent. The polishing agent is used in an amount of 0.01-50 wt% based on the total CMP composition. The stabilizer is at least one selected from the group consisting of phosphoric acid, phosphate, sulfuric acid, sulfate, sulfurous acid, sulfite and glycols.

Abstract translation: 提供化学机械抛光浆料组合物以提高氧化剂对物理性能的分解和可靠性的稳定性，从而确保半导体器件的稳定制造工艺。 化学机械抛光浆料组合物包括：抛光剂，其包含选自丝网，氧化锆和二氧化钛中的至少一种金属氧化物; 氧化剂 以及用于稳定由抛光剂引起的氧化剂分解的稳定剂。 基于总CMP组成，抛光剂的用量为0.01-50重量％。 稳定剂是选自磷酸，磷酸盐，硫酸，硫酸盐，亚硫酸，亚硫酸盐和二醇中的至少一种。

公开(公告)号：KR100725552B1

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020040066768

申请日：2004-08-24

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  이재석 ,  강동헌 ,  이인경 ,  유제홍

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 높은 연마속도를 가지고, 결함 발생위험도 적으며, 저장안정성 및 연마 재현성이 뛰어난 금속 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 금속산화물, 폴리에틸렌글리콜(PEG) 및 탈이온수를 포함하는 슬러리 조성물에 있어서, 상기 무기산으로 질산을 전체 슬러리 조성물 대비 0.001 내지 0.1 중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 슬러리 조성물은 PEG를 포함하므로써 저장안정성 또는 분산안정성이 뛰어나고, 연마속도가 높다. 따라서, 본 발명에 따른 슬러리를 사용할 경우, 반도체 제조과정에 있어 높은 생산성을 기대할 수 있다.
또한, 연마시 부식 또는 균열(seam) 등의 결함이 현저하게 감소하여 반도체 제조 공정에서 높은 수율을 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR100724287B1

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020050002948

申请日：2005-01-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 금속 착물을 함유하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 탈이온수를 용매로 하며, 연마제로서 금속산화물, 산화제로서 과산화 화합물 및 무기산, 두 개 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 글리콜(Glycol) 유도체, 금속 착물(Metal Complex) 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 연마용 슬러리 조성물을 개시한다.
본 발명에 의한 금속배선 연마용 슬러리 조성물은 연마 속도가 안정적이며, 산화물 침식 및 산화물 손실 등의 패턴 연마 특성이 우수하며, 반도체 제조공정에 사용시 부식 또는 균열 등의 결함을 현저하게 감소시켜 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.
금속배선 연마용 슬러리 조성물, 금속 착물, 글리콜, 연마제, 산화제

公开(公告)号：KR100699185B1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：KR1020050131424

申请日：2005-12-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  강동헌 ,  임건자 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: Provided is a CMP slurry for polishing a metal wire which is used tolevel the surface of a wafer, maximizes the selectivity between an insulating layer and a metal and improves erosion and dishing problem. The CMP slurry comprises an oxidant; 0.1-15 wt% of an abrasive; a ligand compound; 0.05-5 wt% of a stabilizer; 0.001-0.2 wt% of a pH controller; and 0.05-1 wt% of an amine compound. Preferably, the amine compound is at least one selected from the group consisting of an alkylamine, an alcoholamine, an aromatic amine and a heterocyclic amine; the oxidant comprises a peroxide compound and an inorganic acid; the abrasive is at least one selected from the group consisting of silica, alumina, ceria and titania; and the ligand compound is a propylenediaminetetraacetic acid-metal compound.

Abstract translation: 提供了一种用于抛光金属线的CMP浆料，其用于使晶片的表面水平化，使绝缘层和金属之间的选择性最大化并且改善了侵蚀和凹陷问题。 CMP浆料包含氧化剂; 0.1-15重量％的磨料; 配体化合物; 0.05-5重量％的稳定剂; 0.001-0.2重量％的pH控制器; 和0.05-1重量％的胺化合物。 优选地，所述胺化合物是选自烷基胺，醇胺，芳族胺和杂环胺中的至少一种; 氧化剂包括过氧化物和无机酸; 研磨剂是选自二氧化硅，氧化铝，二氧化铈和二氧化钛中的至少一种; 配体化合物是丙二胺四乙酸 - 金属化合物。

公开(公告)号：KR100502842B1

公开(公告)日：2005-07-22

申请号：KR1020020085261

申请日：2002-12-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 금속산화물 미분말, 산화제, 킬레이트 착물, 및 pH 조절제를 초순수에 분산시켜 금속배선 연마용 슬러리 조성물을 제조함에 있어서, 상기 산화제로서 기존의 과산화물 대신에 하이드라진류를 사용하는 것을 특징으로 하는 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 사용된 하이드라진류는 슬러리 내에서 자연분해되지 않기 때문에 연마직전에 별도로 첨가해야 하는 불편함이 없고, 슬러리의 장기저장에 따른 연마속도의 저하가 없어 안정적인 연마재현성이 보장되며, 과산화물계 산화제에 의해 빈번히 발생하는 코로젼(corosion) 또는 심(seam) 등의 연마결함이 방지된다.

公开(公告)号：KR1020050067847A

公开(公告)日：2005-07-05

申请号：KR1020030098871

申请日：2003-12-29

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 본 발명은 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 과산화 화합물, 알코올, 카르복시산, 리놀레산, 무기 산화제, 금속 착화합물, pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것이며, 본 발명에 의하면 텅스텐 배선의 CMP 공정시 스크래치 및 잔류 입자 등의 결함을 방지할 수 있으며, 금속산화물의 연마입자 침강 및 뭉침을 방지하여 저장안정성이 개선되는 효과를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050018361A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：KR1020030055759

申请日：2003-08-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  이재석 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: PURPOSE: Provided is CMP slurry having uniform polishing performance and dispersion stability useful for enhancing polishing speed and flatness of surface of metallic wirings in CMP process. CONSTITUTION: The composition comprises 0.1-25 wt.% of metal oxide fine powder, 0.1-10 wt.% of peroxides, 0.001-0.1 wt.% of inorganic acid, 0.01-10 wt.% of carboxylic acid, 0.001-0.5 wt.% of metal complex, 0.001-0.1 wt.% of tetramethylammonium hydroxide(TMAH) as pH controller and the balance of deionized water. TMAH preferably improves slurry stability, thereby ensuring polishing reproduction and reduction of scratch. The carboxylic compound increase polishing velocity and optimize use of peroxides and organic oxidant to prevent corrosion or seam during CMP process.

Abstract translation: 目的：提供具有均匀抛光性能和分散稳定性的CMP浆料，其用于提高CMP工艺中金属配线表面的抛光速度和平坦度。 组成：组合物包含0.1-25重量％的金属氧化物细粉，0.1-10重量％的过氧化物，0.001-0.1重量％的无机酸，0.01-10重量％的羧酸，0.001-0.5重量％ ％的金属络合物，0.001-0.1重量％的四甲基氢氧化铵（TMAH）作为pH控制器，余量为去离子水。 TMAH优选提高浆料稳定性，从而确保抛光再生和减少划痕。 羧化合物增加抛光速度，并优化使用过氧化物和有机氧化剂，以防止CMP过程中的腐蚀或接缝。

公开(公告)号：KR100465448B1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：KR1020020014076

申请日：2002-03-15

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 어동선 ,  이가영 ,  강동헌 ,  장원범 ,  박현철

IPC: G03F7/004

Abstract: PURPOSE: A photoresist composition for forming a positive image in a semiconductor, an LCD, a circuit board or a print board is provided to obtain a pattern having excellent resolution with ease. CONSTITUTION: The photoresist composition comprises: (1) a poly(hydroxystyrene) resin having the formula 1; (2) a crosslinkable photosensitizer having the formula 2; (3) a non-crosslinkable photosensitizer having the formula 3; (4) an organic base; and (5) an organic solvent: wherein each of l, m and n is a real number satisfying the condition that l/(l+m+n) is ranged from 0.62 to 0.8, m/(l+m+n) is ranged from 0.04 to 0.06 and n/(l+m+n) is ranged from 0.16 to 0.32.

Abstract translation: 目的：提供用于在半导体，LCD，电路板或印刷板中形成正像的光刻胶组合物，以便容易地获得具有优异分辨率的图案。 构成：光刻胶组合物包含：（1）具有式1的聚（羟基苯乙烯）树脂; （2）具有式2的可交联光敏剂; （3）具有式3的不可交联的光敏剂; （4）有机碱; （5）有机溶剂：其中l，m和n中的每一个是满足l /（l + m + n）为0.62-0.8的条件的实数，m /（l + m + n）为 范围从0.04至0.06，并且n /（1 + m + n）在0.16至0.32的范围内。

公开(公告)号：KR1020040059573A

公开(公告)日：2004-07-06

申请号：KR1020020085247

申请日：2002-12-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: PURPOSE: A slurry composition for polishing an aluminium wire is provided to increase polishing velocity without generation of corrosion or seam and to improve the dispersion stability of polishing particles, thereby enhancing polishing reproducibility. CONSTITUTION: The slurry composition comprises 0.5-10 wt% of at least one kind of metal oxide fine powder selected from the group consisting of alumina, ceria and zirconia; 1-5 wt% of an oxidizing agent; 0.001-1 wt% of a chelate complex; 0.001-2 wt% of glycol; a pH controller; and ultrapure water. Preferably the final pH of the composition is 4-10. Preferably the oxidizing agent is at least one selected from the group consisting of hydrogen peroxide, benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide and sodium peroxide; the chelate complex is one selected from the group consisting of PDTA-Fe, EDTA-Fe and PDTA-Mg; and the glycol is at least one selected from the group consisting of monoethylene glycol and diethylene glycol.

Abstract translation: 目的：提供用于抛光铝线的浆料组合物以增加抛光速度而不产生腐蚀或接缝，并提高抛光颗粒的分散稳定性，从而提高抛光重现性。 构成：浆料组合物包含0.5-10重量％的选自氧化铝，二氧化铈和氧化锆的至少一种金属氧化物细粉末; 1-5重量％的氧化剂; 0.001-1重量％的螯合络合物; 0.001-2重量％的乙二醇; pH控制器 和超纯水。 优选地，组合物的最终pH为4-10。 优选地，氧化剂是选自过氧化氢，过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡和过氧化钠中的至少一种; 螯合络合物选自PDTA-Fe，EDTA-Fe和PDTA-Mg; 并且所述二醇是选自由单乙二醇和二甘醇组成的组中的至少一种。