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公开(公告)号：KR100217032B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019970024736
申请日：1997-06-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C1/04
CPC classification number: B22F3/225 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C1/045 , H01L23/3736 , H01L2924/0002 , B22F1/025 , B22F3/22 , B22F3/26 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은, 액상 소결시 생길 수 있는 성형체의 불균일한 수축을 없애고, 저비용으로 단순히 텅스텐 분말만을 사출 성형함으로써, 텅스텐 골격 구조 및 상기 골격 구조를 포함하는 텅스텐-구리 복합 재료를 제공하기 위하여, 크기가 2 내지 5㎛이고 중량 퍼센트로 99.9 이상의 순도를 갖는 텅스텐 분말 표면을 중량 퍼센트로 0.06(600ppm)
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公开(公告)号：KR100153154B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019960019037
申请日：1996-05-31
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 박종구
IPC: C04B35/583
Abstract: 본 발명은 경질 입방정 질화붕소 소결체의 제조에 있어서, 소결 조제로서 탄화티타늄, 질화티타늄, 탄질회티타늄 및 붕화티타늄으로 구성된 군으로부터 선택된 1종의 티타늄 화합물과 니켈, 몰리브데늄 또는 탄화몰리브데늄 및 질화알루미늄의 혼합물을 혼합 중량비 (85-15%):(10-50%):(5-30%):(0-10%)로 사용하는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970074960A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：KR1019960016600
申请日：1996-05-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 박종구
IPC: C22C27/04
Abstract: 공업용 다이아몬드 공구의 제조에 사용되는 공업용 다이아몬드의 결합 금속이 개시된다. 결합 금속은 텅스텐(혹은 몰리브덴늄)이 25.0 내지 45.0중량%, 니켈이 15.0 내지 30.0중량%, 철이 10.0 내지 25.0중량%, 구리가 10.0 내지 40.0중량%, 주석이 3.5 내지 15.0중량% 및 기타 0 내지 5.0중량%로 이루어진다. 기타는 코발트, 은, 아연 및 인으로 이루어진 그룹으로부터 한가지 이상으로 선택되는 것이 바람직하다.
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公开(公告)号：KR1019970074725A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：KR1019960019036
申请日：1996-05-31
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 박종구
IPC: C04B35/583
Abstract: 본 발명은 입방정 질화붕소 분말에 소결 조제를 가하고 이를 소결하여 입방정 질화붕소 소결체를 제조함에 있어서, 소결 조제로서 질화규소와 질화티타늄의 혼합물을 사용하는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970074723A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：KR1019960019037
申请日：1996-05-31
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 박종구
IPC: C04B35/583
Abstract: 본 발명은 경질 입방정 질화붕소 소결체의 제조에 있어서, 소결 제조로서 탄화티타늄, 질화티타늄, 탄질티타늄 및 붕화티타늄으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 티타늄 화합물과 니켈, 몰리브데늄 또는 탄화몰리브데늄 및 질화알루미늄의 혼합물을 혼합 중량비 (85-15%) : (10-50%) : (5-30%) : (0-10%)로 사용하는 방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019940011348A
公开(公告)日：1994-06-21
申请号：KR1019920022102
申请日：1992-11-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/06
Abstract: 본 발명은 흑연판과 용매금속판을 교대로 적층하여 고온고압하에서 다이아몬드 입자를 합성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 다이아몬드의 육성시 용매금속판과 다이아몬드 입자의 밀도차에 의해 용매금속판의 아랫쪽면에 형성된 다이아몬드 입자가 용매금속판의 윗쪽면으로 떠오르는 현상을 방지하기 위하여 용매금속판의 사이에 텅스텐이나 몰리브데늄 박판으로 이루어진 중간층을 삽입한 데에 기술적 특징이 있다.
본 발명의 방법에 의하면 용매금속판의 상하부에 거의 같은 수, 같은 크기의 다이아몬드가 형성되는 이점이 있다.-
公开(公告)号：KR1019920004181B1
公开(公告)日：1992-05-30
申请号：KR1019900014472
申请日：1990-09-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B21/064
CPC classification number: C04B35/5831
Abstract: The method for producing a cubic boron nitride is characterized by mixing 0.5-30 wt.% Al-Mg alloy catalyst with hexagonal boron nitride powder of boron oxide having at least 99.9 % purity to obtain a mixed specimen, and treating the mixed specimen in the very high pressure cell at 50-60 kbar and 1450-1650 deg.C for about 30 min. The produced boron nitride as a superhard material has an excellent thermal stability, and is used as a grinding material.
Abstract translation: 立方氮化硼的制造方法的特征在于，将0.5-30重量％的Al-Mg合金催化剂与具有至少99.9％纯度的氧化硼的六方氮化硼粉末混合以获得混合样品，并将混合样品 在50-60kbar和1450-1650℃下的非常高压的电池约30分钟。 所制造的氮化硼作为超硬材料具有优异的热稳定性，并用作研磨材料。
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