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公开(公告)号：KR100176330B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019960013138
申请日：1996-04-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C18/22
Abstract: 본 발명은 초경 공구의 다이아몬드막 피복방법에 관한 것으로, 다이아몬드막을 초경 공구의 표면에 증착하기 전에 초경 공구 모재의 표면을 NaOH 혹은 KOH 수용액으로 전해 엣칭하거나, KMnO
4 + KOH 수용액으로 화학 엣칭하여 다이아몬드막과 초경 모재와의 접착력을 향상시키도록 한 것이다.
이와 같은 본 발명에서는 전해 엣칭을 실시함으로써 종래 기술에서 사용되는 무라까미 용액 중의 페리시안화칼륨 성분이 그 용액 중의 다른 성분인 KOH와 반응을 거쳐 발생기 산소를 발생시키게 되므로 무라까미 용액 중의 산화제 성분인 페리시안화칼륨을 제외시키는 대신에, 피엣칭재에 전기적 전압을 가해주는 전해 엣칭 방법을 사용하여 동일한 효과를 얻도록 한 것이며, KMnO
4 + KOH 수용액을 사용하는 엣칭 방법은 페리시안화칼륨의 산화 작용을 KMnO
4 가 대신함으로써 KMnO
4 의 가격이 저렴하여 제조비용이 절감되는 효과가 있고, 산화 작용이 있는 것을 제외하고는 시안화물과 같은 독성이 없기 때문에 인체에 무해함과 아울러 폐기물처리가 훨씬 간단하다는 이점이 있으며, 엣칭 효과가 무라까미 용액에 비하여 더 강력하게 이루어지는 장점이 있다.
또한, 상기 방법에 의해 초경 공구 표면을 화학 처리하면 초경 공구의 탄화물상이 불규칙하게 식각되어 초경 공구의 표면의 조도가 증가하게 되며, 이와 같이 조도가 증가한 초경 공구의 표면은 다이아몬드막과 기계적인 맞물림 효과를 발휘하여 그 상호간의 결합력이 증가하는 효과가 있는 것이다.-
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74.发明授权
公开(公告)号：KR101743019B1
公开(公告)日：2017-06-05
申请号：KR1020150015353
申请日：2015-01-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B24D18/00 , C01B31/36 , C01B32/956
Abstract: 고온내산화성이우수한초경도탄화붕소박막은, 탄화붕소층과탄화규소층이교대로반복적으로적층된구조를갖는다. 이에따라, 탄화붕소박막의고온내산화성이향상되어절삭공구등 내마모공구의코팅재료로사용가능하다.
Abstract translation: 高温下的耐氧化性优异的碳化硼碳化物薄膜具有交替反复层叠碳化硼层和碳化硅层的结构。 结果，碳化硼薄膜在高温下具有改善的抗氧化性，并且可以用作用于诸如切削工具的耐磨工具的涂层材料。
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公开(公告)号：KR101562950B1
公开(公告)日：2015-10-23
申请号：KR1020140018402
申请日：2014-02-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은초경모재상에코팅되는다이아몬드박막을제 1 박막층과제 2 박막층의이중층으로구성하고, 제 1 박막층과제 2 박막층의압축잔류응력을제어함으로써다이아몬드박막과초경모재사이의기계적결합력을향상시킴과함께다이아몬드박막의박리현상을억제하여다이아몬드코팅공구상에코팅되는다이아몬드박막의두께를증가시킬수 있는다이아몬드코팅공구및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른다이아몬드코팅공구제조방법은초경모재상에제 1 박막층과제 2 박막층을순차적으로증착하며, 상기제 1 박막층과제 2 박막층은결정상의다이아몬드박막이며, 상기제 1 박막층은제 2 박막층에대비하여상대적으로큰 압축잔류응력을갖도록증착되고, 상기제 2 박막층은제 1 박막층에대비하여상대적으로작은압축잔류응력을갖도록증착되는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking76.发明公开
公开(公告)号：KR1020140110186A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020130023277
申请日：2013-03-05
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/342 , C23C14/0647 , C23C14/345
Abstract: A method of manufacturing a cubic boron nitride (c-BN) thin film may include applying a pulse type bias voltage; and forming the c-BN thin film by making an ion collide with the substrate using the pulse type bias voltage. In this case, a ratio of an on/off duration time of the pulse type bias voltage may be adjusted to control the residual compression stress of the c-BN thin film. The residual compression stress applied to the thin film is minimized using a pulse type voltage as a negative bias voltage applied to the substrate, and the c-BN thin film is deposited in an area with low ion energy by increasing a ratio of ion/neutron by adjusting the ratio of the on/off duration time of the pulse type voltage.
Abstract translation: 立方氮化硼（c-BN）薄膜的制造方法可以包括：施加脉冲型偏置电压; 以及通过使用脉冲型偏压使离子与基板碰撞来形成c-BN薄膜。 在这种情况下，可以调节脉冲型偏置电压的开/关持续时间的比率，以控制c-BN薄膜的残余压缩应力。 施加到薄膜上的残余压缩应力使用脉冲型电压作为施加到衬底的负偏置电压被最小化，并且通过增加离子/中子的比例将c-BN薄膜沉积在具有低离子能量的区域中 通过调节脉冲型电压的开/关持续时间的比率。
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公开(公告)号：KR101352537B1
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020120061357
申请日：2012-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 Se 또는 S계 광흡수층 기반 박막태양전지에 있어서 하부 투명전극층의 구조를 제어함으로써 상부 투명전극층의 결정성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 Se 또는 S계 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 Se 또는 S계 박막태양전지는 광흡수층 및 전면 투명전극층을 구비하는 Se 또는 S계 박막태양전지에 있어서, 상기 전면 투명전극층은 하부 투명전극층과 상부 투명전극층으로 구성되며, 상기 하부 투명전극층은 비정질 구조의 산화물계 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020130137810A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：KR1020120061357
申请日：2012-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: The present invention relates to an Se or S based thin film solar cell and a manufacturing method thereof, capable of improving the crystallization and electrical properties of a top transparent electrode layer by controlling the structure of a bottom transparent electrode layer in an Se or S based light absorption layer-based thin film solar cell. The Se or S based thin film solar cell according to the present invention includes a light absorption layer and a front transparent electrode layer. The front transparent electrode layer is composed of a bottom transparent electrode layer and a top transparent electrode layer. The bottom transparent electrode layer is composed of an oxide thin film of an amorphous structure.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过控制基于Se或S的底部透明电极层的结构而能够改善顶部透明电极层的结晶和电性能的Se或S基薄膜太阳能电池及其制造方法 基于光吸收层的薄膜太阳能电池。 根据本发明的Se或S基薄膜太阳能电池包括光吸收层和前透明电极层。 前透明电极层由底部透明电极层和顶部透明电极层构成。 底部透明电极层由非晶结构的氧化物薄膜构成。
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公开(公告)号：KR101318236B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020120059373
申请日：2012-06-01
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B32/25 , B01J19/087 , C01P2004/60 , C30B29/04
Abstract: PURPOSE: A method for controlling the particle size of a diamond crystal and an apparatus using the same are provided to selectively control the intensity of the electric field between anode and cathode by controlling an inter-electrode distance, thereby easily controlling the particle size of the diamond crystal. CONSTITUTION: A method for controlling the particle size of a diamond crystal controls an interelectrode electric field by converting a precursor gas to electrons and ions for synthesizing the diamond crystal after by supplying power to cathode and anode. The particle size of the diamond crystal becomes smaller if the electric field between the anode and the cathode becomes larger. The particle size of the diamond crystal becomes larger if the electric field between the anode and the cathode becomes smaller.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制金刚石晶体的粒度的方法及使用其的装置，通过控制电极间距离来选择性地控制阳极和阴极之间的电场强度，从而容易地控制 钻石水晶。 构成：用于控制金刚石晶体的粒度的方法通过将前体气体转化为电子和离子来控制电极间电场，以通过向阴极和阳极供电来合成金刚石晶体。 如果阳极和阴极之间的电场变大，则金刚石晶体的粒径变小。 如果阳极和阴极之间的电场变小，则金刚石晶体的粒径变大。
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公开(公告)号：KR101299136B1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020120012767
申请日：2012-02-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L23/373
Abstract: 본 발명은 다이아몬드 주상조직의 성장방향을 방사형으로 유도함으로써 박막 두께를 최소화한 상태에서 수평방향의 열전도도를 극대화하여 열방산체로서의 효율을 향상시킬 수 있는 다이아몬드 열방산체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 다이아몬드 열방산체는 다이아몬드 결정 조직의 단면이 방사형 주상조직을 가지며, 방사형 주상조직이 이웃하여 배치되어 서로 연결된 것을 특징으로 하며, 상기 각각의 방사형 주상조직은, 기판 상에 국부적으로 구비된 시드점을 중심으로 화학기상증착 공정을 통해 성장되고, 상기 기판 상에 국부적으로 구비된 시드점은, 상기 기판 상에 이격되어 배치된 다이아몬드 입자이거나 국부적으로 텍스쳐링된 기판 부위이다.
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