Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a metal oxide thin film structure using a metal oxide sol is provided to facilitate the control of a fine structure without expensive equipment or starting materials, and to obtain a stable phase through a low-temperature process. CONSTITUTION: A method for preparing a metal oxide sol comprises (i) preparing a solution containing metal oxide, the metal oxide is selected from the group consisting of ziroconium oxide, cerium oxide, lanthanum gallate, barium cerate, barium zirconate, bismuth oxide, and their doping phase; and (ii) dispersing the same or heterogeneous nanopowder of metal oxide in the metal oxide solution.
Abstract:
반도체 장비용 열용사 코팅막의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 싱ㄹ시예에 따른 반도체 제조 장비에 사용되는 열용사 코팅막의 제조 방법은, i) (Al x Y 1-x ) 2 O 3 (x는 0.05 내지 0.95) 조성을 가지는 열용사 코팅물질을 준비하는 단계, ii) 열용사 코팅물질을 플라즈마 불꽃을 향하여 주입하여 가열하는 단계, 및 iii) 가열에 의해 완전 용융 또는 반용융된 상태의 열용사 코팅물질을 반도체 제조장비에 사용되는 부품의 표면에 적층하여 비정질 구조를 갖는 코팅막을 형성하는 단계를 포함한다. 열용사 코팅, 비정질 세라믹, 반도체 제조 장비, 보호 코팅막
Abstract:
반도체 장비용 열용사 코팅물질의 제조방법을 제공한다. 코팅 물질은 (Al x Y 1-x ) 2 O 3 (x 는 0.05 내지 0.95 범위)의 조성을 가지며, 직경 1-100㎛ 크기의 분말로 형성될 수 있다. 또한, 상기 분말을 사용하여 열용사법에 의해 코팅한 코팅막은 비정질 구조를 가진다. 열용사 코팅, 비정질 세라믹, 반도체 제조 장비, 보호 코팅막
Abstract:
본 발명은 상호침투형 복합구조를 가지는 고체산화물 연료전지(SOFC)의 연료극 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 분말 입자 주위에 니켈 분말이 침착된 코아-쉘 구조로 된 복합분말을 이용하여 제조되어 그 구성상인 세라믹 결정립, 니켈의 결정립 및 기공이 균일한 크기를 가지고, 상기 구성상 상호간의 연속적인 네트워크 형태로 구성된 상호침투형 복합구조를 가짐으로써, 장기 안정성, 열 싸이클 안정성, 산화환원 안정성 및 기계적 물성이 현저히 향상된, 상호침투형 복합구조를 가지는 고체산화물 연료전지의 연료극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 연료극, 상호침투형 복합구조, 안정성, 기계적 물성
Abstract:
본 발명은 반도체의 절연기술 중 하나인 STI(Sallow Trench Isolation) 공정에서 사용되는 절연층을 기계 화학적인 방법으로 제거하기 위한 CMP 공정에 사용되는 나노 크기의 세라믹 분말을 연마제로 사용한 슬러리에 관한 것이다. 본 발명의 CMP용 슬러리는 나노 크기의 세리아 분말이 중성에서 안정하게 분산되도록 분산 안정성을 조절하는 첨가물들, 그리고 반도체 절연층중 산화물과 질화물의 연마율의 상대적인 비 (선택비)를 향상 시키는 첨가물들이 함유되어 있다. 본 발명의 자세한 슬러리 조성은 연마제로 1 - 5 중량%의 세리아, 분산 안정화제로 연마제에 대하여 2 - 3 중량%의 구연산, 선택비 제어제로 연마제에 대하여 1 - 5 중량%의 글리신, pH 조절제로 수산화칼륨과 질산이 증류수에 첨가되어 있으며, pH 4 - 12에서 안정한 조성을 가진다. 기계화학적연마, CMP, 세리아, 구연산, 글리신
Abstract:
본 발명은 용사코팅용 나노구조 텅스텐 카바이드-코발트계 분말, 그 제조 방법 및 이를 이용한 나노구조 용사 코팅에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에 따른 용사코팅용 나노구조 텅스텐 카바이드-코발트계 분말의 제조 방법은, 텅스텐 카바이드-코발트 혼합물, 분산제 및 용매를 혼합한 혼합물을 준비하는 단계, 혼합물에 결합제 및 가소제를 첨가하여 부분 응집된 슬러리를 제조하는 단계, 부분 응집된 슬러리를 분무 건조하여 구형 과립을 제조하는 단계, 및 구형 과립을 열처리하여 구형 과립에 함유된 유기물을 제거하는 단계를 포함한다. 이러한 본 발명을 통하여 용사 코팅의 내마모 특성을 크게 향상시킬 수 있다. 용사코팅, 텅스텐 카바이드, 코발트, 슬러리, 부분 응집
Abstract:
고체산화물 연료전지용 음극기판 제조방법이 개시된다. 개시된 고체산화물 연료전지용 음극기판 제조방법은, (a) 구성분말과 결합제로 이루어진 비수계 슬러리 조성에서 분말 응집체를 분리시키고 구성물질들이 균일하게 혼합된 슬러리를 준비하는 단계와; (b) 상기 슬러리를 결합제에 대한 용해도가 거의 없거나, 부분적인 용해가 가능한 비용매에 분무하여 분말과 결합제가 균일한 분포를 가지는 과립을 제조하는 단계와; (c) 건조된 상기 과립을 금속 몰드에 채우고, 가압하여 원하는 형상의 음극을 제조하는 단계와; (d) 성형된 상기 음극으로부터 결합제를 제거하고, 소결하는 단계;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 대면적 음극기판 제조가 가능하고, 기공의 연결도 및 기체투과도가 높으며, 높은 전기전도도를 구현할 수 있는 이점이 있다.
Abstract:
고체산화물 연료전지용 음극기판 제조방법이 개시된다. 개시된 고체산화물 연료전지용 음극기판 제조방법은, (a) 구성분말과 결합제로 이루어진 비수계 슬러리 조성에서 분말 응집체를 분리시키고 구성물질들이 균일하게 혼합된 슬러리를 준비하는 단계와; (b) 상기 슬러리를 결합제에 대한 용해도가 거의 없거나, 부분적인 용해가 가능한 비용매에 분무하여 분말과 결합제가 균일한 분포를 가지는 과립을 제조하는 단계와; (c) 건조된 상기 과립을 금속 몰드에 채우고, 가압하여 원하는 형상의 음극을 제조하는 단계와; (d) 성형된 상기 음극으로부터 결합제를 제거하고, 소결하는 단계;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 대면적 음극기판 제조가 가능하고, 기공의 연결도 및 기체투과도가 높으며, 높은 전기전도도를 구현할 수 있는 이점이 있다.
Abstract:
본 발명은 규소분말과 결합제로서 열경화성 수지로 구성되는 소정 형태의 규소공급 시편을 준비하고, 탄화규소/탄소 충전체를 준비하고, 반응결합로 내에서 상기 충전체의 일면에 상기 규소공급 시편을 접촉시키고, 진공 또는 비활성 분위기하에서 규소의 용융온도로 열처리하여 규소공급시편 내의 용융규소를 충전체 내부로 침윤시키는 것을 포함하여 이루어지는 반응결합 탄화규소 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 반응결합 탄화규소의 형상, 크기, 두께에 관계없이 가장 효율적으로 용융 규소를 공급하면서도 용융 규소의 응집을 방지하고 용융 규소의 균일한 공급이 가능하다.
Abstract:
PURPOSE: High performance slurry for STI(shallow trench isolation)-CMP(chemical mechanical polishing) is provided to prevent a semiconductor pattern and equipment from being damaged by corrosion by controlling each polishing rate of a silica thin film and a silicon nitride thin film, by forming ceria slurry capable of achieving variable selectivity and by using the slurry in a neutral condition. CONSTITUTION: Distilled water is prepared. CeO2 particles having a nano size and 1-5 weight percent as compared with the distilled water are used as polishing agent. Slurry includes the distilled water and the CeO2 particles. Citric acid is used as a distribution stabilizer that transfers the isoelectric point of the slurry to an acid region to stabilize a distribution state in a neutral condition, having 2-3 weight percent as compared with the polishing agent.