公开(公告)号：KR101919487B1

公开(公告)日：2018-11-19

申请号：KR1020170117578

申请日：2017-09-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이도권 ,  김인호 ,  김원목 ,  박종극 ,  이택성 ,  정두석 ,  이현승 ,  정증현

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은반도체기판을텍스쳐링하는방법과, 이방법에의해제조된반도체기판, 그리고, 이러한반도체기판을포함하는태양전지를개시하고있다. 본발명의일실시예는, 반도체기판상에금속나노입자를형성하는금속나노입자형성단계와, 상기반도체기판을에칭하는제1 식각단계와, 상기금속나노입자를제거하는금속나노입자제거단계, 그리고, 상기제1 식각단계에서에칭된반도체기판을에칭하여나노구조체를형성하는제2 식각단계를포함하는반도체기판을텍스쳐링하는방법을제공한다.

公开(公告)号：KR101896964B1

公开(公告)日：2018-10-24

申请号：KR1020160119114

申请日：2016-09-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 권만재 ,  김형석 ,  이주영 ,  이택성 ,  양중석 ,  이택진 ,  노주원 ,  오상록 ,  이주연 ,  박준우

IPC: C02F1/36 ,  C02F1/74 ,  C02F1/40 ,  C02F1/32 ,  C02F1/00 ,  A01G31/00

Abstract: 본발명은시설원예에서사용된양액을보관하는양액통에직접살균시스템을적용하여살균하고, 다시양액제조를위해혼합조로공급하여재사용하도록하기위한에어버블초음파를이용한수처리장치및 이를이용한살균시스템에관한것이다. 본발명에따른에어버블초음파를이용한수처리장치는유입수를회수하는유입수회수부, 유입수회수부로부터유입수를공급받아저장하는유입수통, 유입수통에설치되어초음파및 에어버블을통해유입수를살균하는유입수살균부, 유입수통으로부터살균된처리수를전달받아배출하는처리수배출부를포함한다.

公开(公告)号：KR101860757B1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：KR1020160055080

申请日：2016-05-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이주영 ,  김형석 ,  권만재 ,  이택진 ,  이택성 ,  양중석 ,  노주원 ,  오상록

IPC: G06Q10/04 ,  G06Q50/02 ,  G06F17/18 ,  G06F17/30

Abstract: 본발명은작물의생산량예측장치및 방법이개시된다. 본발명에따른작물의생산량예측장치는작물의생육정보, 환경정보및 병충해정보중 적어도하나의정보를포함하는농가데이터를입력받는입력부및 입력된농가데이터중 상기작물의생산량을예측하는데필요한특정성분을통계적기법으로추출하고, 추출된특정성분을이용하여작물의생산량을예측하는제어부를포함한다.

公开(公告)号：KR101824652B1

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：KR1020160102034

申请日：2016-08-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 양중석 ,  김형석 ,  권만재 ,  이택성 ,  이택진 ,  박수현 ,  이주영 ,  노주원 ,  오상록 ,  신연준

IPC: G01D21/02 ,  G01G17/00 ,  G01G23/37 ,  G08C17/02 ,  G01N5/02

CPC classification number: G01D21/02 ,  G01G17/00 ,  G01G23/3728 ,  G01N5/025 ,  G08C17/02

Abstract: 본발명은식물의중량및 함수량산출장치에관한것으로, 양액재배에사용되는배지의무게를정확히측정하고, 이를통하여식물의중량및 식물의근권부함수량을정확히산출하기위한것이다. 본발명에따른식물의중량및 함수량산출장치는양액이공급되어식물이생장하는배지가탑재되는재배단, 중량측정부및 제어부를포함한다. 중량측정부는재배단을공중에띄워재배단에탑재된배지의무게를측정한다. 그리고제어부는중량측정부로부터측정값을수집하고, 수집한측정값을이용하여식물의중량및 함수량을산출한다.

公开(公告)号：KR101773951B1

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：KR1020160074557

申请日：2016-06-15

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  울산과학기술원

Inventor： 김인호 ,  김원목 ,  이택성 ,  이경석 ,  이욱성 ,  정두석 ,  이도권 ,  천시은 ,  최경진 ,  김주영

IPC: H01L31/0236 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02366 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67098 ,  H01L29/0665 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은텍스처링된반도체기판에있어서, 상기반도체기판이텍스쳐링된포물선형구조체와상기포물선형구조체의표면과상기반도체기판의표면을포함하는전체표면에는일정간격의나노홀구조를구비하되, 상기포물선형구조체의표면에는복수의나노홀구조가형성된것을특징으로하는텍스처링된반도체기판을제공한다.

Abstract translation: 但是，本发明设置有纹理化半导体衬底上的一个预定距离的纳米孔结构，所述整个表面包括表面和与该抛物面结构纹理化半导体衬底的抛物线状结构的所述半导体衬底的表面上，该抛物线 类型结构和多个纳米孔结构形成在基板的表面上。

公开(公告)号：KR101731497B1

公开(公告)日：2017-04-28

申请号：KR1020150082816

申请日：2015-06-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인호 ,  김원목 ,  김준곤 ,  송종한 ,  정두석 ,  이택성 ,  이경석 ,  이욱성 ,  최준희

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은반도체기판상에저융점금속을증착하는단계, 상기저융점금속이증착된기판을건식에칭하는단계및 상기건식에칭된기판으로부터상기금속을제거하는단계를포함하는반도체기판의텍스쳐링방법, 이방법에따라제조된반도체기판및 이를포함하는태양전지를제공한다. 본발명에따르면경제적이고, 풀웨이퍼(full wafer) 스케일의대면적응용이가능한반도체기판의텍스쳐링방법을제공할수 있고, 이렇게제조된반도체기판의경우광흡수율이우수하며초박형태양전지에적용이가능하다.

公开(公告)号：KR1020170011536A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：KR1020150104308

申请日：2015-07-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이택성 ,  김원목 ,  변석주

IPC: G01J3/28

Abstract: 입사되는광에따라적어도두 개이상의서로다른감광곡선을갖는분광센서와상기분광센서에서출력되는신호를디지털신호처리하여상기입사되는광의스펙트럼정보를복구하는디지털처리부를구비한분광장치및 상기분광센서를이용한분광방법이개시된다. 분광센서의각 검출기는, 하나이상의반도체층으로이루어지며입사된빛을흡수하여전류를발생시키도록구성된감지층을포함하는에피구조체를포함하고, 상기에피구조체는상기반도체층 중적어도어느하나에수직방향으로복수의나노구조체를형성한것일수 있다. 상기분광센서는광 필터부에의한입사스펙트럼의투과도감소를방지할수 있고, 입사스펙트럼의투과도감소에따른광 전류의감소를차단하여신호대잡음비를향상시킬수 있으며, 랜덤잡음이혼합되는것을차단하여디지털신호처리의성능을개선할수 있는장점이있다.

公开(公告)号：KR1020160004131A

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020140082635

申请日：2014-07-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  고영진 ,  이경석 ,  이택성 ,  김인호 ,  정두석

IPC: G01N27/30 ,  G01N33/50 ,  B82B3/00

CPC classification number: G01N27/30 ,  B82B3/00 ,  G01N33/50

Abstract: 센싱전극의제조방법은, 나노다이아몬드파우더를열처리함으로써, 탄소원자간에 sp3 결합을이루는제1 부분및 상기제1 부분의바깥쪽에배치되며탄소원자간에 sp2 결합을이루는제2 부분을포함하는버키(bucky) 다이아몬드를형성하는단계; 및상기버키다이아몬드를재료로센싱전극을형성하는단계를포함할수 있다. 상기센싱전극은산 또는암모니아에의한처리등의파괴공법을거치치않는단순한열처리공정을통해제조되어결함(defect)이적고, 저분자(small molecule)의고 선택도(high selectivity) 및고 감도(sensitivity) 동시센싱(simultaneous sensing)이가능한이점이있다.

Abstract translation: 感应电极的制造方法可以包括：在第一部分的外侧形成包含在碳原子之间形成sp3键的第一部分和形成碳原子之间的sp2键的第二部分的负极金刚石的步骤，通过退火 纳米金刚石粉; 以及使用该金刚石作为材料形成感测电极的步骤。 传感电极通过简单的热处理工艺制造而不经过诸如酸或氨处理的拆除方法，因此具有小分子选择性高，灵敏度高，同时感测少的缺点。

公开(公告)号：KR101573724B1

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：KR1020130143068

申请日：2013-11-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이경석 ,  김원목 ,  이택성 ,  이욱성 ,  정두석 ,  김인호

IPC: G02B5/00

CPC classification number: G02B5/008 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/554 ,  G02B5/0278 ,  G03F7/2014 ,  G03F7/70375

Abstract: 나노안테나배열제조방법은기판위에레지스트층을형성하는단계; 상기레지스트층위에유전체마이크로구조체배열을포함하는포커싱층을형성하는단계; 선형디퓨저를이용하여빛을일 방향으로산란시키는단계; 상기선형디퓨저에의해산란된빛을상기포커싱층및 상기레지스트층에조사시킴으로써상기레지스트층에비등방성의패턴을형성하는단계; 상기기판및 상기패턴이형성된레지스트층에플라즈모닉공진특성을갖는물질을증착하는단계; 및상기레지스트층및 상기레지스트층상에증착된물질을제거함으로써상기기판상에나노안테나배열을형성하는단계를포함할수 있다. 상기선형디퓨저에의한빛의산란각도및 상기유전체마이크로구조체의크기는형성하고자하는패턴의종횡비에기초하여결정된다.

公开(公告)号：KR101565892B1

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：KR1020140051703

申请日：2014-04-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  조정민 ,  이학주 ,  이경석 ,  이택성 ,  김인호 ,  정두석

IPC: G01N21/55 ,  G02B6/122 ,  G01J1/02

Abstract: 감쇠전반사(attenuated total reflection; ATR)형도파로모드공진센서는, 시료와접촉하도록구성되며나노결정질다이아몬드(nanocrystalline diamond; NCD)로이루어지는다공성층형태의도파로층을포함하여구성될수 있다. NCD로이루어지는다공성층형태의도파로제조방법은, 기판상에나노결정질다이아몬드를포함하는시드입자를형성하는단계; 상기기판및 필라멘트가위치하는반응챔버에원료기체를주입하는단계; 상기기판을가열하는단계; 상기필라멘트를가열하여상기원료기체를활성화시키는단계; 가열된상기필라멘트를이용하여상기시드입자와상기기판사이의정전기적인력을감소시킴으로써, 상기시드입자의브라운운동에의해상기시드입자를상기기판으로부터분리하는단계; 활성화된상기원료기체를이용하여, 상기기판으로부터분리된상기시드입자상에나노결정질다이아몬드를성장시키는단계; 및상기시드입자를상기기판상에석출시키는단계를포함할수 있다.

Abstract translation: 衰减全反射（ATR）型波导模式共振传感器被配置为与样品接触并且可以包括包括多孔纳米晶体金刚石（NCD）层的波导层。 用于制造由多孔NCD层制成的波导的方法包括以下步骤：在衬底的顶部上形成包括NCD的种子颗粒; 将原料气体注入到具有基材和置于其中的细丝的反应室中; 加热基板; 通过加热丝来活化原料气体; 通过使用加热的细丝减少种子颗粒和基底之间的静电吸引力，通过种子颗粒的布朗运动从种子颗粒与基质分离; 使用活化的原始气体从与基底分离的种子颗粒顶部生长NCD; 并将种子颗粒沉积在基底的顶部上。