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    실리콘 다결정을 이용한 기판제조방법
    72.
    发明授权
    실리콘 다결정을 이용한 기판제조방법 失效
    使用单晶及其制造方法的硅基板

    公开(公告)号：KR1019940000984B1

    公开(公告)日：1994-02-07

    申请号：KR1019900021828

    申请日：1990-12-26

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 강상원 ,  이경수

    IPC: H01L29/00

    Abstract: The method for manufacturing a semiconductor substrate comprises (a) depositing a silicon layer (32), an insulating film (39)and a polycrystalline silicon layer (36) on a monocrystalline silicon substrate (31), and polishing the surface of the layer (36), (b)bonding the layer (36) to a monocrystalline silicon substrate (37), heat-treating them, and polishing the substrate (31)to form a monocrystalline silicon layer (31a), and (c) selectively wet-etching the layer (31a) to retain the substrate (37)and the layer (32). The method is used in the mfr. of the silicon on insulator (SOI) substrate.

    Abstract translation: 制造半导体衬底的方法包括：（a）在单晶硅衬底（31）上沉积硅层（32），绝缘膜（39）和多晶硅层（36），并抛光该层的表面 36），（b）将层（36）接合到单晶硅衬底（37），对其进行热处理，并抛光衬底（31）以形成单晶硅层（31a），和（c） 蚀刻层（31a）以保持衬底（37）和层（32）。 该方法用于制造。 的绝缘体上硅（SOI）衬底。

    단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법
    74.
    发明授权
    단결정 실리콘 기판상에 화합물 반도체층이 형성된 기판의 제조방법 失效
    具有复合层的半导体基底的制造方法

    公开(公告)号：KR1019930008861B1

    公开(公告)日：1993-09-16

    申请号：KR1019910007963

    申请日：1991-05-16

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 강상원 ,  이경수

    IPC: H01L21/3205

    CPC classification number: H01L21/8252 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/7605 ,  Y10S148/149

    Abstract: The method for forming the chemical semiconductor layer with constant width on the single crystal silicon wafer comprises steps: (a) forming 1st and 2nd chemical semiconductor epitaxial layers; (b) forming the low temp. oxide layer and the polycrystal silicon layer; (c) forming groove by etching the all of layers; (d) forming the low temp. silicon oxide layer; (e) forming the low temp. silicon oxide layer on both side of the groove by etching; (f) polishing the exposed polycrystal silicon layer; (g) adhering the backside of the polycrystal silicon layer to the single crystal silicon wafer, and thermal treating and (h) exposing the 1st and 2nd chemical semiconductor epitaxial layers.

    Abstract translation: 在单晶硅晶片上形成具有恒定宽度的化学半导体层的方法包括以下步骤：（a）形成第一和第二化学半导体外延层; （b）形成低温 氧化物层和多晶硅层; （c）通过蚀刻所有层形成凹槽; （d）形成低温 氧化硅层; （e）形成低温。 通过蚀刻在凹槽两侧的氧化硅层; （f）研磨暴露的多晶硅层; （g）将多晶硅层的背面粘附到单晶硅晶片，以及（h）暴露第一和第二化学半导体外延层。

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