公开(公告)号：KR1019990032166A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970053135

申请日：1997-10-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진호 ,  강승열 ,  송윤호 ,  조경익

IPC: H01J1/30

Abstract: 본 발명은 저항체와 제어 트랜지스터 그리고 내열성이 크고 일함수가 낮은 박막을 캐소드 팁 상에 코팅하여 구성함으로서, 전자 방출을 크게 증대 시키고 전자 방출이 열화되는 단점을 억제할 수 있어서 안정한 전자 방출 특성을 갖게 하는 전계 방출 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래 전계 방출 소자는 기판으로 반드시 실리콘 웨이퍼만을 사용하여야 하기 때문에 대면적의 전자원 장치를 제조할 수 없을 뿐만 아니라 제조 비용이 과다하고, 다수의 캐소드중 하나만이라도 게이트와 전기적으로 단락되면 전자 방출이 제대로 되지 않으며, 또한 전자 방출의 열화 등의 문제점을 지녔다. 그래서 본 발명은 절연성 기판 상에 실리콘 전계 방출 캐소드, 캐소드 팁 상에 고 내열성 및 저 일함수의 코팅막, 캐소드 아래의 저항체 및 박막 트랜지스터로 구성함으로서, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 및 소오스에 인가되는 전압을 조정하여 상기 전계 방출 소자의 방출 특성을 쉽게 제어할 수 있도록 하였다.
따라서 본 발명은 전계 방출 특성의 제어 및 안정화에 용이하고, 균일성 제고 및 소자 파손의 억제 등의 효과를 크게 기대할 수 있으며, 대면적 및 저가격의 유리 등을 전계 방출 소자의 기판으로 사용할 수 있어 제조 생산성도 크게 증대시킬 수 있는 전계 방출 소자를 제시한다.

公开(公告)号：KR1019990016198A

公开(公告)日：1999-03-05

申请号：KR1019970038669

申请日：1997-08-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진호 ,  송윤호 ,  강승열 ,  조경익

IPC: H01J1/30

Abstract: 본 발명은 전계방출소자에 전자를 방출시킬수 있는 실리콘 에미터 팁 혹은 금속 에미터 팁을 저온에서 실리사이드 공정을 사용하여 뾰족하게 형성시키는 방법을 제공하는 것으로, 에미터 팁을 뾰족하게하여 전계방출이 용이하며, 종래의 제조방법보다 저온에서 팁을 뾰족하게 할 수 있을 뿐 아니라, 균일성과 대칭성이 높게되며, 유리판 위에 에미터 팁을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명을 사용하면 제작한 어레이를 유리판 위에서 진공패키징을 바로 할 수 있을 뿐 아니라, 저가격으로 대면적의 평판 디스플레이를 만들 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990016197A

公开(公告)日：1999-03-05

申请号：KR1019970038668

申请日：1997-08-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송윤호 ,  이진호 ,  강승열 ,  조경익 ,  유형준

IPC: H01J1/30

Abstract: 본 발명은 전자 방출 디스플레이에 관한 것으로, 전계 방출 디스플레이 하판의 한 화소를 저항체를 가진 실리콘 전계 에미터 어레이 및 하나의 n-채널 고전압 박막 트랜지스터(nHVTFT)로 구성하고, 디스플레이 신호를 각 화소에 부착되어 있는 nHVTFT를 통해 제어하는 구동방법을 제공함으로써, 고화질 및 고밀도의 전계 방출 디스플레이를 저가격으로 제조 가능하도록 하고자 하며, 전계 에미터 어레이의 각 에미터에 전계 방출 특성을 안정화시키는 저항체를 부착하여 전계 에미터간의 전기적 특성의 균일도를 향상시키고, 과전류에 의한 소자 파손를 억제시킨다.

公开(公告)号：KR1019980028625A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960047753

申请日：1996-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장원익 ,  강승열 ,  백종태

IPC: H01L21/20

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 장치 제조 분야.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
저유전체 박막의 흡습성을 개선하는 동시에 공정시간의 단축을 도모하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
플라즈마화된 반응가스로 저유전체 불소화실리콘산화막(SiOxFy, SiOF)을 증착한 다음, 동일 반응실에서 상기 불소화실리콘산화막 표면을 질소 플라즈마 분위기로 질화 처리한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 장치의 배선층간절연막 형성.

公开(公告)号：KR1019970053223A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950048734

申请日：1995-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장원익 ,  강승열 ,  유병곤 ,  백종태

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 0.18㎛급 이상의 차세대 반도체 소자를 제조할 수 있는 반도체 공정장비에 있어서 증착 또는 식각공정 중에 비접촉식 방법으로 구리, 알루미늄, 티타늄 등과 같은 불투명한 금속박막의 두께를 실시간으로 측정할 수 있는 장치에 측정방법에 관한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위하여 레이저(17)에서 나오는 기준신호(reference signal)(28)와 증착 또는 식각되는 금속박막에서 반사되어 나오는 빔의 두께 변화에 대한 신호(27)를 위상감지기(phase detector)(27)에서 검출하고, 위상비교기(29)에서 그 위상차(phase difference)를 비교하고, 경사조절 반사경(20)의 각도를 조절하여 웨이퍼(6) 위의 여러지점에서 구리, 알루미늄, 티타늄과 같은 불투명한 금속박막의 두께를 감지할 수도 있도록 구성하고, 실시간으로 감지해상도가 2.5㎚로 향상되고 허용균일도에 미치는 영향이 적은 비접촉식 광학 헤테로다인 감지(optical heterodyne detection) 방법을 사용하였다.
본 발명은 반도체 공정장비에 있어서 증착이나 식각되는 공정중에 금속박막의 여러지점에 대해 비접촉식 방법으로 두께변화의 측정이 항상 가능한 장치를 제공함으로써, 반도체 제조공정의 안정화와 생산수율을 향상시킬 수 있으므로, 반도체 공정장비의 신뢰성을 높이는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970052828A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950053654

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병곤 ,  장원익 ,  강승열 ,  김광호 ,  백종태

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 저유전율 박막 제조방법에 관한것으로, 불소계 원료개스를 사용하여 저유전율을 갖는 SiOF 저유전율 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 본 발명은 RPCVD 장치의 반응로에 반도체기판을 실장하고 불소의 원료개스로서 SF
6 + N
2 O 혼합 개스 또는 SF
6 + O
2 혼합 개스를 주입하고 산화 실리콘(SiO)의 원료개스 로서 SiH
2 개스 또는 TEOS(OC
2 H
5 )
4 를 주입하여 반도체기판상에 SiOF 저유전율 박막을 형성함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970052134A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052666

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황정남 ,  강승열

IPC: H01L21/265

Abstract: 본 발명은 이온선 혼합법을 이용한 금속-고분자간 계면접촉력 향상방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 이온선 혼합법(ion-mixing)에 의해 질소이온을 가속화시켜 금속이 증착된 고분자 시료에 주입함으로써, 금속과 고분자 사이의 계면접착력(interfacial adhesion)을 대폭적으로 향상시킬 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 금속-고분자간 계면접촉력 향상방법은, 이온선 혼합법에 의해 일정전압으로 가속화된 질소이온을 금속이 증착된 고분자로 이루어진 금속-고분자 시료에 주입시키는 단계를 포함한다.
이때, 상기한 본 발명의 계면접촉력 향상방법에는 상기한 질소이온 주입단계 이전에 금속과 고분자 사이에 알루미늄으로 이루어진 버퍼(buffer)층을 삽입하는 단계를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR1020140039570A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：KR1020120105885

申请日：2012-09-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강승열 ,  서경수

IPC: G02F1/167

CPC classification number: G02F1/167 ,  H01L33/08

Abstract: A color electronic paper display and a method for manufacturing the same are provided. The color electronic paper display comprises: a color filter disposed on a lower substrate; a thin film transistor provided between the lower substrate and the color filter; a reflection layer which is provided between the lower substrate and the color filter and is connected to the thin film transistor; a upper substrate facing the lower substrate; a upper electrode provided between the upper substrate and the color filter; and an electronic ink provided between the color filter and the upper electrode, wherein the electronic ink includes monochromatic particles.

Abstract translation: 提供彩色电子纸显示器及其制造方法。 彩色电子纸显示器包括：设置在下基板上的滤色器; 设置在下基板和滤色器之间的薄膜晶体管; 反射层，设置在下基板和滤色器之间，并连接到薄膜晶体管; 面向下基板的上基板; 设置在上基板和滤色器之间的上电极; 以及设置在滤色器和上电极之间的电子墨水，其中电子墨水包括单色颗粒。

公开(公告)号：KR1020140011069A

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：KR1020120077649

申请日：2012-07-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용해 ,  전상훈 ,  강승열 ,  이명래 ,  정태형

IPC: H02J17/00

CPC classification number: H01F38/14 ,  H01F27/006 ,  H01F2027/2809

Abstract: A wireless power transmitting device according to one embodiment of the present invention includes a plurality of stacked resonant structures and adhesive films between the resonant structures. Each resonant structure includes a base substrate which includes a base coil, relay substrates which include relay coils and are stacked on the base substrate, and contact plugs which pass through the base substrate and the relay substrates and are connected to the relay substrates.

Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的无线电力传输装置在谐振结构之间包括多个堆叠的谐振结构和粘合膜。 每个谐振结构包括基底，其包括基线圈，包括继电器线圈并堆叠在基底基板上的继电器基板，以及穿过基底基板和继电器基板并连接到继电器基板的接触插塞。

公开(公告)号：KR3007248940000S

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：KR3020120047413

申请日：2012-10-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Designer： 한준한 ,  추혜용 ,  이정익 ,  신진욱 ,  김용해 ,  이명래 ,  전상훈 ,  강승열 ,  정태형