Abstract:
본 발명은 비동기식 디지틀 계위 신호인 1.544Mb/s(DSIN), 2.048Mb/s(DSIE), 44.736Mb/s(DS3)신호를 인터페이스하여 동기식 컨테이너 신호(VC1, VC3) 형태로 사상 및 다중화한 후 동기식 디지틀 계위(SDH)신호인 STM-N(1.55.52Mb/s×N,N=1,4,16)신호내로 결합(Add)하여 광전송하며, STM-N 광신호로부터 동기식 컨테이너신호를 분기(Drop)하여 역다중 및 역사상을 거쳐 DSIN, DSIE,DS3신호를 추출하여 디지틀 전송하는 동기식 분기/결합/다중전송장치에 관한 것으로, STM-N 신호에 포함된 DSn 단위의 분기/결합 기능이 요구되는 전송망에 적용하며 트래픽 집중형 및 전용선 개념의 트래픽 분산형의 망구성이 가능하고, 장치 구성의 단순성 및 경제성이 뛰어나고, 기능 구현의 용이 및 운용 관리가 편리하고 드루타이밍(Through timing)/루프 타이밍(Loop timing)/외부 타이밍 동기가 가능하고, DS1 단위의 분 /삽입 능력을 이용하여 기존의 가입자 접속이 가능하고, 서비스 보호 특성이 완전한 효과를 제공하며, SHP망 구성을 가능하게 하고 앞으로 BDCS(Broadband Digital Crosseonnection System)와의 접속을 통해 여러 다른 SHP망 구성들과의 접속을 용이하게 하는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 동기 디지탈 계위(SDH;Synchronous Digital Hierachy)기본 계위인 동기 전송 모듈-1(STM-1; Synchronous Transport Module 1)급 신호를 처리하기 위한 신호 처리장치에 관한 것으로, 첫째, 선로 전송 속도인 155.520Mbpc보다 1/8배 낮은 속도인 19.44Mbps에서 STM-1신호를 처리함으로써 CMOS를 사용하여 칩을 구현할 수 있으며, 따라서 상대적으로 전력 손실과 시스팀 불안정 요소가 감소한다. 또한, CMOS기법의 저렴성과 저전력 손실로 인하여 경제적인 실현이 가능하며,둘째, 단국뿐만 아니라 중계기에서도 사용이 가능하며, 핀 혹은 프로세서 제어를 통하여 자국 루프백이 가능하며, 회로의 고장을 자체적으로 진단이 가능한 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method and apparatus for switching packet/TDM including a TDM circuit and a carrier Ethernet packet signal are provided to switch a TDM circuit signal and a carrier Ethernet signal and to transfer a packet without restriction. CONSTITUTION: A packet/TDM(Time Division Multiplexing) selection unit(310) classifies an Ethernet packet signal, which is received from an Ethernet matching unit(100), into a TDM signal. A packet switch(330) switches a signal in which the conversion of a TDM signal path is required. A TDM switch(350) switches the signal in which the conversion of the Ethernet packet signal path is required. A converter(370) performs the conversion of the Ethernet packet signal.
Abstract:
PURPOSE: A node device and method for receiving an optical signal of the same, and a ring network system thereof are provided to composes a ring network system at a low cost. CONSTITUTION: A source node device among node devices(100a) transmits an optical signal through a transmission medium by using a wavelength division multiplexing. A transmission device(102a) outputs at least one optical wave signal, which is desired to be transmitted, to multiplexing device(104). A multiplexing device generates an optical signal by multiplexing the outputted wavelength signal forma transmission device and outputs an optical signal to an optical combination unit(106). An optical combining unit combines an optical signal which itself will transmit and the optical signal transmitted from another node device. An amplifier device(108) transmits a next node device(100b) through an optical fiber by amplifying the optical signal combined in the optical combining unit.
Abstract:
PURPOSE: An optical transmission system is provided to implement more minute distributed compensation with different dispersion compensators according to a band of a signal received in a reception end. CONSTITUTION: A first dispersion compensator(310) recompenses wavelength dispersion based on one wave among signals transmitted through optical fiber. A demultiplexer(320) outputs and separates signals outputted from the first dispersion compensator to different channels according to wavelength. A second dispersion compensator(330) recompenses wavelength dispersion of optical signals of the different wavelength outputted from the channels. A light amplifier amplifies a channel signal branched from the demultiplexer.
Abstract:
10GbE/STM-64 신호와 ODU2/OTU2 신호와의 정합 장치 및 그 정합 방법이 개시된다. 본 발명에 따르면 10GbE/STM-64 신호와 ODU2/OTU2 신호와의 정합 장치는 10GbE 신호 또는 STM-64 신호를 수신하고, 수신된 신호와 변환될 신호의 종류에 따라 수신 기준 클럭과 송신 기준 클럭을 생성하며, 수신 기준 클럭을 기초로 생성된 동기화 클럭을 이용하여 수신된 신호를 ODU2 신호 또는 OTU2 신호로 변환하고, 송신 기준 클럭을 이용하여 변환된 신호와 동기화된 클럭을 생성하여, 그 변환된 신호 및 그 변환된 신호와 동기화된 클럭을 외부로 송신한다. 10GbE, STM-64, ODU2, OTU2, 정합, 인터페이스
Abstract:
An apparatus and a method for interfacing between 10GbE/STM-64 signals and odu2/otu2 signals are provided to select an operation mode of a route of interfacing a signal according to a need of a user, thereby assigning adaptability to a hardware operation. The first interface unit(710) receives 10 GbE(Gigabit Ethernet) signal or an STM-64(Synchronous Transfer Mode-level 64) signal. An interfacing unit converts the received signal into an ODU2(Optical Data Unit-level2) signal or an OTU2(Optical Transport Unit-level2) signal through a synchronized clock and the signal received based on the first receiving reference clock. The interfacing unit generates the converted signal and the synchronized clock through the second transmission reference clock.
Abstract:
본 발명은 전원 플레인이 분리된 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB)에 관한 것으로, 주 전원과 보드 전원을 사용하는 인쇄회로기판에 있어서, 상기 주 전원과 상기 보드 전원 사이에 복수개의 전원 플레인으로 분리되어 이루어짐으로써, 주 전원과 접지 그라운드 사이의 전압 차이를 최소화하며, DC-DC 컨버터의 스위칭 잡음이 주 전원 측으로 천이되는 것을 억제할 수 있는 효과가 있다. 인쇄회로기판, 주 전원, 보드 전원, 전원 플레인, DC-DC 컨버터, 스위칭 잡음, 잡음필터
Abstract:
PURPOSE: A field emission display device is provided to improve a yield of the field emission display device by forming a TFT(Thin Film Transistor) having an off-set region and a field emitter in the inside of dot pixels of a lower substrate. CONSTITUTION: A channel(402) of a TFT is formed on a part of an organic substrate(401). The channel(402) is formed with undoped poly-crystalline silicon. A source(403) and a drain(404) are formed on both sides of the channel(402). The source(403) and the drain(404) are formed with doped poly-crystalline silicon. A gate insulating layer(405) is formed on the substrate(401) including the channel(402), the source(403), and the drain(404) of the TFT. The gate insulating layer(405) is formed an oxide layer. A gate(406) is formed on a part of the gate insulating layer(405). The gate(406) is formed with metal or doped poly-crystalline silicon. The gate(406) is vertically overlapped with a part of the source(403) and the channel(402). The gate(406) is not overlapped with the drain(404). An interlayer dielectric(407) is formed on the substrate(401). A drain electrode(408) is formed on a part of the interlayer dielectric(407). A buffer electrode(409) is formed on a part of the drain electrode(408). A field emission layer(410) is formed on formed on a part of the buffer electrode(409). A transparent electrode(422) is formed on a glass substrate(421). A plurality of dot pixels including fluorescent materials(423) are formed on the transparent electrode(422).