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公开(公告)号：KR100178488B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950049256
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 표면 방출 레이저의 제조방법에 관한 것으로서, 제1 도전형 GaAs의 반도체 기판 상에 제 1도전형의 제 1거울층, 불순물이 도핑되지 않은 제 1공간층, 불순물이 도핑되지 않은 이득층, 불순물이 도핑되지 않은 제 2공간층, 제 2도전형의 불순물이 도핑된 제 2거울층 및 제 2도전형의 불순물이 도핑된 캡층을 순차적으로 결정 성장 방법으로 형성하는 공정과, 상기 캡층 상부의 소정 부분에 격자빈자리가 적은 제1보호층을 형성하는 공정과, 상기 제 1보호층의 상부에 식각용 마스크로 포토레지스터를 형성하고 상기 제 2공간층이 노출되도록 상기 캡층 및 상기 제 2거울층을 건식 식각 방법으로 제거하여 레이저기둥을 형성하고 포토레지스터를 제거하는 공정과, 상술한 구조의 상부와 상기 반도체 기판의 하부 표면에 격자빈자리가 많은 제 2보호층을 형성하고 급속 열처리하여 상기 레이저기둥 주위의 이득층과 제 1및 제 2공간층이 상호 확산되어 블록킹영역을 형성하는 공정과, 상기 레이저기둥 상부에 형성된 제1 및 제 2보호층을 제거하고 노출된 캡층의 표면에 상부전극을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판 하부의 제2보호층을 제거하고 노출된 반도체기판 하부 표면의 소정 부분에 하부전극을 형성하는 공정을 구비한다.
따라서, 블록킹영역에 의해 캐리어가 확산되는 것을 방지하므로 양자 효율이 증가되어 낮은 문턱 전류와 단일 횡모드를 얻을 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019980044117A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062146
申请日：1996-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 장치 제조방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 수직공진형 레이저는 소자 분리 공정시 공진기를 식각하거나, 불순물을 활성층에 주입하는 방법과 습식 산화처리 방법 등을 사용하고 있으나, 이러한 방법은 표면으로의 누설전류가 심각하게 증가하여 문턱전류를 증가시키고 출력 특성이 크게 저하되거나, 단일 모드 발진 특성을 도출해 내는데 한계가 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 수직공진형 표면 방출 레이저의 공진기 식각 후 수소 프라즈마 분위기에서 수소화 처리하여 소자를 효과적으로 분리함으로써 낮은 문턱전류 및 단일 모드 발진 특성의 수직공진형 표면 방출 레이저 제조방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
수직공진형 표면 방출 레이저 제조에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019980016376A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035935
申请日：1996-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 표면 방출 레이저 어레이 제조 방법에 관한 것으로, 편광을 제어할 수 있도록 공진기를 110방향과110방향으로 기울어진 표면 방출 레이저를 열 또는 행을 따라 배열하여 제조함으로써 수직한 두 방향의 편광 특성을 모두 갖는 표면 방출 레이저 어레이를 제조할 수 있으며, 각각의 표면 방출 레이저는 발진 빔이 원형의 대칭성을 크게 벗어나지 않는 특징을 갖을 수 있고, 편광에 민감한 소자의 응용이 용이하며, 편광에 따라 발짐 빔의 진행 방향을 제어할 수 있으므로 광접속 및 광교환을 용이하게 할 뿐만 아니라 자기광 디스크(magneto-optics disk)와 같이 편광에 민감한 소자에 응용할 때 매우 효과적일 수 있는 표면 방출 레이저 어레이 제조방법이 개시된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970054965A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950049256
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형 GaAs의 반도체 기판 상에 제1도전형의 제1거울층, 불순물이 도핑되지 않은 제1공간층, 불순물이 도핑되지 않은 이득층, 불순물이 도핑되지 않은 제2공간층, 제2도전형의 불순물이 도핑된 제2거울층 및 제2도전형의 불순물이 도핑된 캡층을 순차적으로 결정 성장 바법으로 형성하는 공정과, 상기 캡층 상부의 소정 부분에 격자빈자리가 적은 제1보호층을 형성하는 공정과, 상기 제1보호층의 상부에 식각용 마스크로 포토레지스터를 형성하고 상기 제2공간층이 노출되도록 상기 캡층 및 상기 제2거울층을 건식 식각방법으로 제거하여 레이저 기둥을 형성하고 포토레지스트를 제거하는 공정과, 상술한 구조의 상부와 상기 반도체 기판의 하부 표면에 격자빈자리가 많은 제2보호층을 성하고 급속 열처리하여 상기 레이저 기둥 주위의 이득층과 제1 및 제2공간층이 상호 확산되어 블록킹영역을 형성하는 공정과, 상기 레이저 기둥 상부에 형성된 제1 및 제2보호층을 제거하고 노출된 캡층의 표면에 상부 전극을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판 하부의 제2보호층을 제거하고 노출된 반도체 기판 하부 표면의 소정 부분에 하부 전극을 형성하는 공정을 구비한다.
따라서, 블록킹영역에 의해 캐리어가 확산되는 것을 방지하므로 양자 효율이 증가되어 낮은 문턱 전류와 단일 횡모드를 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970049237A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950047435
申请日：1995-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06E1/00
Abstract: 본 발명은 표면방출 레이저, 광논리소자 및 마이크로렌즈 어레이들을 수직으로 조밀하게 배열시키므로서 광의 경로를 극소화시킨 병렬 광논리처리 시스템에 관한 것으로, 광원과 광논리소자가 있는 기판을 통해 빛이 직선적으로 지나갈 수 있는 경로를 제공하고, 또한 빛이 직선적으로 진행하며 작동될 수 있는 광논리소자를 이용하므로서 빛이 경로를 변경시키는 부품을 배제시켜 집적효율을 높인 병렬 광논리처리 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
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公开(公告)号：KR1019960014733B1
公开(公告)日：1996-10-19
申请号：KR1019920024320
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: forming a mesa pattern(2) on a semiconductor substrate(1); forming an etching barrier layer(3), a n-cladding layer(4), an active layer(5), a p-cladding layer(6) and a p-contact layer(7) on the substrate(1); defining a lasing region(9) by forming an insulating film(8) for a dry etching mask after forming a photoresist pattern on the p-contact layer(7); forming the lasing region(9) by etching the wafer to the top of the etching barrier layer(3); forming a p-electrode(10) on the p-contact layer(7) of the lasing region(9) and a n-electrode(11) on the bottom of the substrate(1); and forming a mirror(12).
Abstract translation: 在半导体衬底（1）上形成台面图案（2）; 在基板（1）上形成蚀刻阻挡层（3），n包层（4），有源层（5），p包覆层（6）和p接触层（7）。 通过在p-接触层（7）上形成光致抗蚀剂图案之后，通过形成用于干蚀刻掩模的绝缘膜（8）来限定激光区域（9）。 通过将晶片蚀刻到蚀刻阻挡层（3）的顶部来形成激光区域（9）; 在激光区域（9）的p接触层（7）上形成p电极（10）和在基板（1）的底部上的n电极（11）; 并形成反射镜（12）。
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公开(公告)号：KR1019950007484B1
公开(公告)日：1995-07-11
申请号：KR1019910007292
申请日：1991-05-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/26
Abstract: The method comprises the steps of; vapor-depositing fluoride thin film (2) on the semiconductor substrate (1); inspecting an electron beam on the fluoride thin film (2) using accelerating energy of 1-500 KeV and dosing amount of 0.1-10 coulomb/cm2; resolving fluoride component to form a metal film (3); vapor- depositing a protecting film (4) on the metal thin film (3); and diffusing impurity into the semiconductor substrate (1) by heat treatment.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤： 在半导体衬底（1）上蒸镀氟化物薄膜（2）; 使用1-500KeV的加速能量和0.1-10库伦/ cm2的给料量检查氟化物薄膜（2）上的电子束; 分解氟化物成分以形成金属膜（3）; 在金属薄膜（3）上蒸镀保护膜（4）; 并通过热处理将杂质扩散到半导体衬底（1）中。
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