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公开(公告)号：KR100413522B1
公开(公告)日：2004-01-03
申请号：KR1020010085040
申请日：2001-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B26/08
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a buried inductor magnetically-induced optical switch is provided wherein it is easy and simple to process and assemble a substrate without assembling a number of substrates and optical components. CONSTITUTION: According to the method for fabricating an optical switch which changes a light path by being aligned vertically on a substrate(100) supporting a mirror(300) by a magnetic force of an inductor, a groove(210) where a mirror pocket(200) and the inductor are to be buried is formed on the substrate by etching a back of the substrate. The inductor wound with coil in parallel with the substrate is buried into the groove. Then, the mirror aligned to the mirror pocket and a torsion bar(110) supporting the mirror are formed in a body, by processing a front surface of the substrate, and then the mirror pocket is opened completely.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造埋入式电感器磁感应光开关的方法，其中在不组装基板和光学组件的情况下处理和组装基板容易且简单。 本发明的目的在于提供一种光电开关的制造方法，该光开关通过在通过电感器的磁力支承反射镜（300）的基板（100）上垂直取向来改变光路，其特征在于，槽（210） 通过蚀刻衬底的背面而在衬底上形成要埋入的感应器。 缠绕有与基板平行的线圈的电感器埋入凹槽中。 然后，通过对基板的前表面进行加工，将与镜槽对准的反射镜和支撑反射镜的扭杆（110）形成为一体，然后完全打开镜槽。
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公开(公告)号：KR100411876B1
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：KR1020000080895
申请日：2000-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B81C1/00
CPC classification number: F04B53/1077 , F04B19/24 , F04B43/043
Abstract: The present invention relates to a micro electro mechanical system (MEMS); and, more particularly, to a micro pump used in micro fluid transportation and control and a method for fabricating the same. The micro pump according to the present invention comprises: trenches formed in a silicon substrate in order to form a pumping region including a main pumping region and an auxiliary pumping region; channels formed on both sides of the pumping region; a flow prevention region having backward-flow preventing layers to resist a fluid flow; inlet/outlet regions formed at each of the channels which are disposed on both ends of the pumping region; an outer layer covering the trenches of the silicon substrate and opening portions of the inlet/outlet regions; and a thermal conducting layer formed on the outer layer and over the main pumping region so that a pressure of the fluid in the main pumping region is increased by the thermal conducting layer.
Abstract translation: 微机电系统技术领域本发明涉及一种微机电系统（MEMS）。 并且更具体地涉及用于微流体输送和控制的微型泵及其制造方法。 根据本发明的微型泵包括：形成在硅衬底中的沟槽，以便形成包括主泵区和副泵区的泵区; 通道形成在泵区的两侧; 具有阻止流体流动的防逆流层的防流区域; 在设置在泵区两端的每个通道处形成的入口/出口区; 覆盖硅衬底的沟槽和入口/出口区域的开口部分的外层; 以及形成在所述外层上并且位于所述主抽吸区域上方的导热层，使得所述主抽吸区域中的所述流体的压力通过所述导热层而增加。
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公开(公告)号：KR1020020069796A
公开(公告)日：2002-09-05
申请号：KR1020010010254
申请日：2001-02-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N27/30
Abstract: PURPOSE: A micro reference electrode using metal oxide and manufacturing method of the same are provided to be simply manufactured and to minimize fluctuation of reference electric potential. CONSTITUTION: An electrode includes an electrode metal film(24) formed on an insulating board, a silicon board(21), a glass board, a ceramic board or a plastic board with insulating films(22,23), silicon oxide films or silicon nitride films; a metal oxide film(25) formed on the metal film; and a polymer film(26) formed on the oxidized metal film. The metal film and the metal oxide film are installed in a groove on the insulating films.
Abstract translation: 目的：使用金属氧化物的微参比电极及其制造方法简单地制造并使参考电位的波动最小化。 构成：电极包括形成在绝缘板上的电极金属膜（24），硅板（21），玻璃板，陶瓷板或具有绝缘膜（22,23）的塑料板，氧化硅膜或硅 氮化膜; 形成在金属膜上的金属氧化物膜（25） 和形成在氧化金属膜上的聚合物膜（26）。 金属膜和金属氧化物膜安装在绝缘膜上的凹槽中。
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公开(公告)号：KR1020020058609A
公开(公告)日：2002-07-12
申请号：KR1020000086723
申请日：2000-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B81B7/04
CPC classification number: B81B7/04 , B81B2203/0338 , B81B2203/04 , B81C1/00063 , B81C1/00071 , B81C1/00119 , B81C1/00698
Abstract: PURPOSE: A microchannel array structure laid in silicon base plate and manufacturing method of the same are provided to minimize influence on physical and chemical qualities of a lower silicon base plate. CONSTITUTION: A structure includes microchannel arrays(102) laid in a silicon base plate(101) and formed by a plurality of super-fine microchannels integrated in high density; microchannel outer wall membranes(103) evenly deposited on the base plate and the microchannel arrays and interposed between the super-fine microchannels to partition the super-fine microchannels; and a heater or an electrode(104) and an electric connection pad(105) formed on uppers part of the microchannel outer wall membrane.
Abstract translation: 目的：提供放置在硅基板中的微通道阵列结构及其制造方法，以最小化对下硅基板的物理和化学特性的影响。 构成：一种结构包括放置在硅基板（101）中并由多个以高密度集成的超细微通道形成的微通道阵列（102） 微通道外壁膜（103）均匀地沉积在基板和微通道阵列上并置于超细微通道之间以分隔超细微通道; 以及形成在微通道外壁膜的上部的加热器或电极（104）和电连接垫（105）。
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公开(公告)号：KR1020020051290A
公开(公告)日：2002-06-28
申请号：KR1020000080895
申请日：2000-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B81C1/00
CPC classification number: F04B53/1077 , F04B19/24 , F04B43/043
Abstract: PURPOSE: A thermal drive type micro pump and method for manufacturing the same is provided to easily manufacture the micro pump which is buried to the silicon substrate, by using a trench etching method and thermal oxidation characteristics of silicon. CONSTITUTION: A micro pump comprises a pump space area constituted by a main space area(150) and an auxiliary space area(160) which have trench structure formed by etching a silicon substrate(100) into a predetermined depth; flow channel areas(140a,140b,140c) formed at both sides of the pump space area; a fluid flow resistance plate(180) constituted by a silicon line formed by etching the silicon substrate, between the flow channel area(140a) and the main space area, wherein the fluid flow resistance plate guides, in one direction, the fluid being introduced into the flow channel area; inlet/outlet areas(170a,170b) formed at both ends of the flow channels; an outer wall film(300) bonded to the surface of the silicon substrate, and where only the inlet/outlet area are open; and a heater(400) arranged at the outer wall film in the main space area, and which raises pressure of the fluid filling the main space area.
Abstract translation: 目的：提供一种热驱型微型泵及其制造方法，通过使用沟槽蚀刻法和硅的热氧化特性，容易地制造埋入硅基板的微型泵。 构成：微泵包括由主空间区域（150）和辅助空间区域（160）构成的泵空间区域，其具有通过将硅衬底（100）蚀刻成预定深度形成的沟槽结构; 形成在泵空间区域的两侧的流路区域（140a，140b，140c） 在由流路区域（140a）和主空间区域之间通过蚀刻硅衬底形成的硅线构成的流体阻流板（180），其中流体阻力板在一个方向上引导流体被引入 进入流道区域; 形成在流路两端的入口/出口区域（170a，170b） 结合到硅衬底的表面的外壁膜（300），并且其中只有入口/出口区域是敞开的; 以及设置在主空间区域的外壁膜处的加热器（400），并且提高填充主空间区域的流体的压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100233237B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019970046644
申请日：1997-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01F5/003 , H01F17/0033
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
반도체 장치.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
일반적인 IC 공정으로, 3차원 코일 구조를 가지며 코일의 내부가 빈 인덕터 및 그 형성 방법을 제공하여, 평면 구조의 인덕터에 비하여 면적이 감소되고, 코일의 고주파 전류에 흐름에 의한 기생 캐패시턴스의 용량을 줄일 수 있도록 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
절연막 상에 형성된 홈 내부에, 홈의 바닥 및 양측벽의 소정 부위를 덮으며, 그 양단이 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐지고 이웃하는 패턴과 소정의 간격을 갖는 다수의 제1 전도막 패턴 및 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐진 상기 제1 전도막 패턴의 양단과 연결되며 상기 다수의 제1 전도막 패턴을 이웃하는 제1 전도막 패턴과 연결하여 상기 제1 전도막 패턴과 함께 코일 구조를 이루는 다수의 제2 전도막 패턴으로 3차원 코일 구조 미세 인덕터를 형성한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 장치 및 그 제조 방법에 이용됨-
公开(公告)号：KR1019990051063A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970070302
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 진공 밀봉이 요구되는 멤즈 소자의 형성시, 웨이퍼위에 형성된 모든 소자를 한꺼번에 진공 밀봉하고 또한 진공 성능을 높일 수 있는 진공 밀봉 방법을 사용하는 멤즈 소자의 제조 방법을 제공한다.
SOI 하부 실리콘(21)상에 절연 산화막(22)과 상부 실리콘(23)을 증착하고, 상부 실리콘 및 절연 산화막을 식각하여 트랜치(27)를 형성하는 것에 의해 가동 구조체(24)와 실리콘 전극(25)을 형성하여 멤즈소자의 영역을 정의하고, 실리콘 전극(25)상에 절연막(32)과 완충막(33)을 개재한 금속배선(34)을 형성한 후, 가동 구조체(24)의 영역을 제외한 전 표면상에 평탄화된 접착용 산화막(35)을 형성하고, 가동구조체(24)의 하부의 절연 산화막(22)과 실리콘 전극(25)측면의 트랜치 내부의 절연막(32)을 제거하여 멤즈소자 구조체을 정의한 후, 진공상태에서 유리기판(38)을 접착용 산화막(35)에 진공상태에서 접착하여 가동구조체(24) 및 실리콘 전극(25)이 진공상태에 있는 멤즈소자를 제조한다.-
公开(公告)号：KR1019990027060A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970049432
申请日：1997-09-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3065
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 분야
반도체 장치의 미소 구조체 형성 방법.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
자이로 스코프 등의 산화막 식각시, 불화 수소의 분압을 높여 식각율을 향상시키고, 온도와 압력에 따른 물의 열 역학적 성질을 이용하여 시편 위에 물이 완전히 제거되는 방법을 제시하는 것을 제공하고, 결과적으로 개선된 마이크로 자이로 스코프와 같은 반도체 장치의 형성 방법을 제공하고자 함을 그 목적으로 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
산화막을 구비하는 반도체 장치에 있어서, 메탄올가 상기 메탄올보다 상대적으로 많은 무수 불화 수소를 이용한 건식식각 방법으로 상기 산화막을 식각하되, 웨이퍼의 온도를 15-70℃로 유지하여 상기 산화막을 식각하여 이루어진다.
4. 발명이 중요한 용도.
반도체 장치 제조 공정에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019990025140A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970046644
申请日：1997-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
반도체 장치.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
일반적인 IC 공정으로, 3차원 코일 구조를 가지며 코일의 내부가 빈 인덕터 및 그 형성 방법을 제공하여, 평면 구조의 인덕터에 비하여 면적이 감소되고, 코일의 고주파 전류에 흐름에 의한 기생 캐패시턴스의 용량을 줄일 수 있도록 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
절연막 상에 형성된 홈 내부에, 홈의 바닥 및 양측벽의 소정 부위를 덮으며, 그 양단이 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐지고 이웃하는 패턴과 소정의 간격을 갖는 다수의 제1 전도막 패턴 및 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐진 상기 제1 전도막 패턴의 양단과 연결되며 상기 다수의 제1 전도막 패턴을 이웃하는 제1 전도막 패턴과 연결하여 상기 제1 전도막 패턴과 함께 코일 구조를 이루는 다수의 제2 전도막 패턴으로 3차원 코일 구조 미세 인덕터를 형성한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 장치 및 그 제조 방법에 이용됨-
公开(公告)号：KR1019940010597B1
公开(公告)日：1994-10-24
申请号：KR1019910018988
申请日：1991-10-28
IPC: G03F7/26
Abstract: The wet etching technique reduces the fabrication steps of semiconductor devices and manufacturing cost by both etching of Al metal thin film and removing Si remnant. The wet etching technique comprises (A) employing the mixture of the conventional Al wet etching etchant with 0.5 % to 1 % NH4F; (B) wet etching of Al thin film with 1 % Si (1) and removing simultaneously Si remnant on the nitride layer (2).
Abstract translation: 湿蚀刻技术通过蚀刻Al金属薄膜和去除Si残留物来减少半导体器件的制造步骤和制造成本。 湿式蚀刻技术包括（A）采用常规Al湿蚀刻蚀刻剂与0.5％至1％NH4F的混合物; （B）用1％Si（1）湿式蚀刻Al薄膜，同时在氮化物层（2）上同时去除Si残余物。
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