유수분리 구조체 및 그 제조방법, 유수분리 장치, 및 상기 유수분리 장치를 이용한 유수분리방법
    71.
    发明授权
    유수분리 구조체 및 그 제조방법, 유수분리 장치, 및 상기 유수분리 장치를 이용한 유수분리방법 有权
    油分离结构,其制造方法,油分离装置以及使用该油分离装置的油分离方法

    公开(公告)号:KR101726402B1

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:KR1020140041513

    申请日:2014-04-07

    Abstract: 유수분리구조체및 그제조방법, 상기유수분리구조체를포함하는유수분리장치, 및상기유수분리장치를이용한유수분리방법이제공된다. 상기유수분리구조체는적어도일 표면에나노패턴을형성하는복수개의돌출부를포함하는다공성기재; 및상기돌출부중 적어도일부의단부에배치된무기입자;를포함한다. 상기유수분리구조체는친수성내지초친수성표면특성을가짐으로써, 물과기름중 물은선택적으로통과시키고, 기름을용이하게분리하여수거해낼 수있다. 상기유수분리구조체는제조공정이친환경적이고, 대면적화가가능하다. 상기유수분리구조체를포함하는유수분리장치는반복사용이가능하여추가적인환경오염을방지할수 있다.

    Abstract translation: 提供了一种水油分离结构及其制造方法,包括该水油分离结构的水油分离装置以及使用该水油分离装置的油水分离方法。 其中油分离结构具有多个在其至少一个表面上形成纳米图案的突起; 并且在该突起的至少一部分的端部配置有无机粒子。 油水分离结构具有亲水性至超亲水性的表面特性,使水和油中的水可以选择性地通过,并且油可以容易地分离和收集。 油水分离结构是环保的并且可以制成大面积的。 包括油水分离结构的油水分离装置可以重复使用以防止进一步的环境污染。

    일회용 흡수 용품 및 그 제조방법
    72.
    发明公开
    일회용 흡수 용품 및 그 제조방법 有权
    一次性吸收性物品及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170014867A

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:KR1020150108858

    申请日:2015-07-31

    Abstract: 일회용흡수용품및 그제조방법이제공된다. 상기일회용흡수용품은, 친수성의나노구조를가지는표면을포함하는기재; 및상기기재표면의적어도일부에형성된, 패턴화된소수성박막;을포함한다. 상기일회용흡수용품은물이나땀, 소변, 혈액, 및월경과같은액체의흡수는잘되고흡수된액체의역배출을효과적으로억제할수 있다. 이에의해, 신체와접촉하여사용시쾌적감및 착용감을향상시킬수 있다. 상기일회용흡수용품은제조공정이친환경적이고, 저비용의단순한공정으로제조할수 있으며, 대면적화가가능하다.

    나노 패턴 구조를 표면에 갖는 나노 복합 구조체 및 그 제조방법
    74.
    发明公开
    나노 패턴 구조를 표면에 갖는 나노 복합 구조체 및 그 제조방법 有权
    其表面上具有纳米结构的纳米复合结构及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020150108286A

    公开(公告)日:2015-09-25

    申请号:KR1020140041512

    申请日:2014-04-07

    Abstract: 나노 복합 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노 복합 구조체가 제공된다. 상기 나노 복합 구조체의 제조방법은, 기재를 준비하는 단계; 금속 망 구조체를 상기 기재의 상방에 위치시키는 단계; 및 상기 금속 망 구조체가 위치한 상기 기재를 플라즈마 처리하는 단계;를 포함한다. 상기 제조방법에 의하여, 대면적에 걸쳐 균일한 나노 패턴 구조를 갖는 나노 복합 구조체를 제조할 수 있다. 상기 나노 복합 구조체는, 표면에 나노 패턴을 형성하는 복수개의 제1 돌출부를 포함하는 기재; 및 상기 제1 돌출부 중 적어도 일부의 단부에 배치된 무기 입자;를 포함한다.

    Abstract translation: 提供了由其制造的纳米复合结构体和纳米复合结构体的制造方法。 纳米复合结构的制造方法包括以下步骤:制备基底; 将金属网结构定位在基板的上部; 以及用金属网结构等离子体处理基板。 根据该制造方法,可以制造在其整个表面上具有均匀的纳米图案结构的纳米复合结构。 纳米复合结构包括:在表面上含有构成纳米图案的多个第一突起单元的基板; 以及布置在从所述第一突出单元的至少一部分的端部上的无机颗粒。

    내구성을 갖는 저반사 표면체의 제조 방법 및 그 저반사 표면체
    76.
    发明授权
    내구성을 갖는 저반사 표면체의 제조 방법 및 그 저반사 표면체 有权
    用于制造稳定的超低反射表面的方法和超低反射表面ITSELF

    公开(公告)号:KR101451790B1

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:KR1020130046220

    申请日:2013-04-25

    Abstract: According to an embodiment of the present invention, a method of manufacturing a low-reflection surface body (30) includes a first step of preparing material (10) including a column structure (11) at a surface; a second step of preparing aluminum surface-material (20) by processing the column structure (11) to have an aluminum film (21); and a third step of oxidizing the aluminum surface-material (20) to form a nanoflake layer (31) to manufacture a low-reflection surface body (30) having a dual projection structure (33). The method of manufacturing the low-reflection surface body (30) totally and internally reflects and absorbs wavelengths in ranges of visible ray and infrared ray regions to provide the low-reflection surface body (30) which is a surface able to remarkably reduce reflection rate and can be applied in a surface of a photovoltaic element or surface processing of various displays by a simple, low-cost, and eco-friendly process.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例,制造低反射表面体(30)的方法包括:在表面上制备包括柱结构(11)的材料(10)的第一步骤; 通过处理柱结构(11)制备铝表面材料(20)以具有铝膜(21)的第二步骤; 以及将铝表面材料(20)氧化以形成具有双突起结构(33)的低反射表面体(30)的第三步骤,以形成纳米薄层(31)。 低反射面体(30)的制造方法全部内部反射吸收可见光和红外线区域的波长,提供能够显着降低反射率的表面的低反射面体(30) 并且可以通过简单,低成本和环保的方法应用于光电元件的表面或各种显示器的表面处理。

    Cu(In,Ga)Se2 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법 및 이를 포함하는 재료
    77.
    发明授权
    Cu(In,Ga)Se2 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법 및 이를 포함하는 재료 有权
    CU(IN,GA)SE2纳米或纳米复合物的合成方法及其相关的材料

    公开(公告)号:KR101397451B1

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:KR1020130005012

    申请日:2013-01-16

    CPC classification number: H01L31/035227 H01L31/0322 Y02E10/541

    Abstract: A method for manufacturing CIGS nanorods or nanowires according to an embodiment of the present invention includes a deposition preparation step of placing raw materials including copper, indium, gallium, and selenium and a substrate in a reactor, and a deposition step of growing the CIGS nanorods or nanowires on a substrate by maintaining the temperature of the reactor in which a carrier gas flows at a constant flow rate at 850-1000°C. According to the method of the present invention, provided are Cu(In,Ga)Se_2 nanorods or nanowires having a uniform composition distribution, high light absorptivity, and high crystallinity without using a catalyst.

    Abstract translation: 根据本发明的实施方案的制造CIGS纳米棒或纳米线的方法包括沉积制备步骤,将包括铜,铟,镓和硒的原料和基底放置在反应器中,以及沉积步骤,将CIGS纳米棒 或纳米线通过保持载体气体在850-1000℃恒定流速下流动的反应器的温度而在基底上。 根据本发明的方法,提供了不使用催化剂的组成分布均匀,光吸收率高,结晶度高的Cu(In,Ga)Se_2纳米棒或纳米线。

    초소수성 표면과 이를 포함하는 강철 소재 및 그 제조방법
    79.
    发明授权
    초소수성 표면과 이를 포함하는 강철 소재 및 그 제조방법 有权
    超疏水表面及其制造方法

    公开(公告)号:KR101223921B1

    公开(公告)日:2013-01-21

    申请号:KR1020100097960

    申请日:2010-10-07

    Abstract: 본 발명은 초소수성 표면과 이를 포함하는 강철 소재 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로, 표면의 젖음성 (wettability)이 현저히 낮고, 유체의 접촉각 (contact angle)이 크며, 접촉각 이력 (contact angle hysteresis)이 작은 초소수성 표면과 이를 포함하는 강철 소재 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 초소수성 표면은 나노/마이크로 패턴이 형성된 강철 표면 및 상기 강철 표면 상에 형성된 소수성 박막을 포함하여 이루어지고, 본 발명의 강철 소재는 그 표면에 상기의 초소수성 표면을 포함하며, 본 발명의 초소수성 표면의 제조방법은 (a) 강철 표면을 식각하는 단계, (b) 상기 식각한 강철 표면을 산화시켜 상기 강철 표면 상에 나노/마이크로 패턴을 형성하는 단계 및 (c) 상기 나노/마이크로 패턴이 형성된 강철 표면 상에 소수성 박막을 형성하는 � ��계를 포함하여 이루어진다.

    기울어진 마이크로 기둥 배열이 형성된 고분자 및 이를위한 제작 방법
    80.
    发明授权
    기울어진 마이크로 기둥 배열이 형성된 고분자 및 이를위한 제작 방법 有权
    倾斜式微支架阵列聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR101027012B1

    公开(公告)日:2011-04-11

    申请号:KR1020080101580

    申请日:2008-10-16

    CPC classification number: C08J7/123 Y10T428/269 Y10T428/31504

    Abstract: 본 발명은 기울어진 마이크로 기둥 배열이 형성된 고분자 및 이를 위한 제작 방법에 관한 것으로, 이온빔 처리의 입사각을 조절하여 기울어진 마이크로 기둥 배열을 제작함으로써, 드라이 셀프 클리닝(dry self-cleaning)을 가진 접합재료, 벽을 기어오를 수 있는 마이크로 로봇 제작, 반도체 라인에서의 웨이퍼 정렬기(wafer aligner) 등의 제작 등에 응용 가능하다. 또한, 본 발명은 에너지 소모량을 적게 사용할 수 있는 PECVD 방식을 이용한 이온빔 처리를 통하여, 기울어진 마이크로 기둥 배열을 갖는 고분자 표면을 형성할 수 있고, 이온빔 처리의 입사각, 조사 시간, 가속 전압의 크기 중 적어도 하나를 조절하여 마이크로 기둥의 기울어진 각도를 원하는 각으로 조절 가능하다.
    마이크로 기둥, PDMS, 이온빔, 고분자, 기울어진 기둥 배열

Patent Agency Ranking