公开(公告)号：WO2012062635A1

公开(公告)日：2012-05-18

申请号：PCT/EP2011/069247

申请日：2011-11-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  LINKOV, Alexander ,  KÖLPER, Christopher ,  STRASSBURG, Martin ,  VON MALM, Norwin

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  LINKOV, Alexander ,  KÖLPER, Christopher ,  STRASSBURG, Martin ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/50 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01L33/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0083

Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Konversionsschicht (3) umfasst. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) zur Strahlungserzeugung auf. Die Konversionsschicht (3) ist auf einer Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) angeordnet, wobei die Konversionsschicht (3) geeignet ist, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht (2a) emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Die Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) weist eine erste Nanostrukturierung auf, wobei die Konversionsschicht (3) in dieser ersten Nanostrukturierung (4) angeordnet ist. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

Abstract translation: 它被指示时，光电子半导体芯片（10），其包括半导体层堆叠（2）和一个转换层（3）。 半导体层堆叠（2）具有用于产生辐射的有源层（2a）中。 转换层（3）上的半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21），其中所述转换层（3）被适配为将至少发射的活性层（2a）的转换为不同波长的辐射的一部分。 半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）包括第一纳米结构，其中所述转换层（3）被布置在该第一纳米结构化（4）。 此外，被指定制造这种半导体芯片（10）的方法。

公开(公告)号：WO2011120775A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/EP2011/053638

申请日：2011-03-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), aufweisend einen n-leitenden Bereich (12) und einen p-leitenden Bereich (13), und - einem einzigen n-Kontaktelement (2), über das der n- leitende Bereich (12) durch den p-leitenden Bereich (13) hindurch elektrisch kontaktierbar ist.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片，包括： - 一个半导体主体（1），包括n型区域（12）和p型区域（13），以及 - 一个单一的n型接触元件（2）在其上正 通过所述p型区域（13）的导电区域（12）可以电接触通过。

公开(公告)号：WO2011039052A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：PCT/EP2010/063465

申请日：2010-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  MORGOTT, Stefan ,  VON MALM, Norwin ,  STREPPEL, Ulrich ,  BRANDL, Michael

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  MORGOTT, Stefan ,  VON MALM, Norwin ,  STREPPEL, Ulrich ,  BRANDL, Michael

IPC: H04N5/225 ,  H04N5/235 ,  G03B15/02 ,  G03B15/05

CPC classification number: G03B15/05 ,  F21V23/04 ,  G03B2215/0571 ,  G03B2215/0592 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/2256 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine Beleuchtungseinrichtung für eine Kamera angegeben. Die Beleuchtungseinrichtung enthält einen Licht emittierenden Halbleiterchip (1), der eine Mehrzahl von einzeln ansteuerbaren Emissionsbereichen (2A, 2B, 2B') enthält. Die Beleuchtungseinrichtung enthält weiter ein optisches Element (15), das dazu ausgebildet ist, von den Emissionsbereichen (2A, 2B, 2B') emittiertes Licht (210, 220) zu einem Strahlenbündel zu formen. Die Beleuchtungseinrichtung (10) ist derart ausgebildet, dass mittels der einzeln ansteuerbaren Emissionsbereiche (2A, 2B, 2B') unterschiedliche Strahlprofile des Strahlenbündels einstellbar sind. Weiterhin werden eine Kamera, ein Betriebsverfahren für die Beleuchtungseinrichtung und ein Betriebsverfahren für die Kamera angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种用于照相机的照明装置。 该照明装置包括：具有多个独立可控发光区域的发光半导体芯片（1）（2A，2B，2B“）包含。 所述照明装置还包括适合于发射区域（2A，2B，2B“）发出的光（210，220），以形成一个光束的光学元件（15）。 该照明装置（10）被设计为使得由单独可控发光区域（2A，2B，2B“）的装置具有光束的不同束轮廓是可调节的。 此外，相机，操作所述照明装置的方法和操作方法给出了摄像机。

公开(公告)号：WO2009039833A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008/001540

申请日：2008-09-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L27/322 ,  H01L51/5036

Abstract: Auf die lichtemittierende Oberfläche wird eine Konversionsschicht (5) aufgedampft. Die Konversionsschicht (5) kann ein aufdampfbares Matrixmaterial und ein aufdampfbares Konvertermaterial umfassen, die beide insbesondere niedermolekulare organische Verbindungen umfassen können. Eine Schichtstruktur (3), die die für Strahlungserzeugung vorgesehenen Schichten enthält, kann ebenfalls aus niedermolekularen organischen Verbindungen aufgebaut sein, so dass alle Verbindungen in derselben Aufdampfanlage aufgebracht werden können.

Abstract translation: 转换层（5）是汽相淀积在光发射表面上。 转换层（5）可包括基质材料和aufdampfbares aufdampfbares转换器材料，其可包括特别是低分子量的有机化合物。 其中包含了提供了一种用于放射线产生层的层结构（3）也可以包括低分子量的有机化合物，从而使所有的化合物可以在相同的汽相沉积设备来施加。

公开(公告)号：WO2023030857A1

公开(公告)日：2023-03-09

申请号：PCT/EP2022/072576

申请日：2022-08-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEX, Andreas ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  MAHDAVI, Ali ,  VON MALM, Norwin ,  KÖNIG, Harald

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: In at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor device (1) comprises at least one active semiconductor fin (2) which is configured to emit radiation by electroluminescence, wherein the at least one active semiconductor fin (2) starts from a base plane (20), and seen in top view of the base plane (20), the at least one active semiconductor fin (2) runs along at least two different directions (E).

公开(公告)号：WO2023016912A1

公开(公告)日：2023-02-16

申请号：PCT/EP2022/071947

申请日：2022-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin ,  BEHRINGER, Martin Rudolf

IPC: H01S5/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterlaserchips (20), das Verfahren umfassend Aufwachsen einer Halbleiterschicht (21) mit einem aktiven Bereich (22), Bilden von einer Vielzahl von Laserchipbereichen (29), wobei jeder Laserchipbereich (29) einen Teil des aktiven Bereichs (22), einen Teil der Halbleiterschicht (21), einen ersten Spiegel (25) und einen zweiten Spiegel (28) aufweist, Aufbringen einer Opferschicht (27) auf die Laserchipbereiche (29), Formen mindestens eines Stützbereichs (30) pro Laserchipbereich (29) innerhalb der Opferschicht (27), Aufbringen eines Hilfsträgers (31) auf die Opferschicht (27), Vereinzeln der Laserchipbereiche (29) in Halbleiterlaserchips (20) auf dem Hilfsträger (31), wobei jeder Halbleiterlaserchip (20) einen ersten Bereich (23) der Halbleiterschicht (21) und einen zweiten Bereich (24) der Halbleiterschicht (21) aufweist, wobei der erste Bereich (23) und der zweite Bereich (24) parallel zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschicht (21) voneinander verschiedene Erstreckungen aufweisen und der erste Spiegel (25) und der zweite Spiegel (28) an den zweiten Bereich (24) angrenzen, Entfernen der Opferschicht (27), und gleichzeitiges Transferieren zumindest einiger der Halbleiterlaserchips (20) auf einen Träger (32). Außerdem wird ein Halbleiterlaserchip (20) angegeben.

公开(公告)号：WO2022207792A1

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：PCT/EP2022/058571

申请日：2022-03-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/58 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486

Abstract: Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung (100) angegeben, die einen Gehäusekörper (2) mit einer Vertiefung (20), ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (1) in der Vertiefung des Gehäusekörpers, das dazu vorgesehen und eingerichtet ist, im Betrieb Licht (9) abzustrahlen, und ein adaptives optisches Element (2) im und/oder am Gehäusekörper, das dem Licht emittierenden Halbleiterbauelement in einem Strahlengang des Lichts nachgeordnet ist, aufweist. Weiterhin wird ein LIDAR-System mit einer Licht emittierenden Vorrichtung (100) angegeben.

公开(公告)号：WO2021175607A1

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：PCT/EP2021/054007

申请日：2021-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLECHINGER, Gerd ,  VON MALM, Norwin ,  KREINER, Laura

IPC: G01N21/47 ,  G01N21/31 ,  G01N33/02

Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung (10) umfasst eine Anordnung (11) mit mehreren Emitterelementen (12), die dazu ausgebildet sind, nacheinander Licht unterschiedlicher Wellenlängenbereiche auszusenden, eine Anordnung (13) mit mehreren Time-of- Flight-Detektorelementen (14), die dazu ausgebildet sind, das von den Emitterelementen (12) ausgesandte und an einer Probe (17) reflektierte Licht zu detektieren und eine Messung zur Bestimmung des Abstands des Reflexionspunkts des Lichts an der Probe (17) von dem jeweiligen Time-of-Flight-Detektorelement (14) durchzuführen, und eine AusWerteeinheit (15), die dazu ausgebildet ist, für jeden von den Emitterelementen (12) ausgesandten Wellenlängenbereich anhand des vor den Time-of- Flight-Detektorelementen (14) detektierten Lichts und des Abstands des Reflexionspunkts des Lichts von dem jeweiligen Time-of-Flight-Detektorelement (14) ein dreidimensionales Bild der Probe (17) zu erzeugen und aus den Bildern die Verteilung eines Stoffs in der Probe (17) zu ermitteln.

公开(公告)号：WO2021110478A1

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：PCT/EP2020/083202

申请日：2020-11-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01S5/42 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0239 ,  H01S5/183 ,  H01S5/02 ,  H01S5/062

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) weist eine Vielzahl von lichtemittierenden Vorrichtungen (15) auf, die jeweils einen ersten Resonatorspiegel (115), einen zweiten Re- sonatorspiegel (120), eine aktive Zone (110) sowie ein zweites Kontaktelement (130) umfassen. Die aktive Zone (110) ist zwi- schen dem ersten und dem zweiten Resonatorspiegel (115, 120) angeordnet und geeignet, elektromagnetische Strahlung (30) zu emittieren. Die zweiten Kontaktelemente (130) und ein erstes Kontaktelement (125), das mit einer ersten Halbleiterschicht (111) von einem erstem Leitfähigkeitstyp der lichtemittieren- den Vorrichtungen (15) elektrisch verbunden ist, sind von ei- ner ersten Hauptoberfläche (101) der lichtemittierenden Vor- richtungen kontaktierbar. Mindestens zwei der zweiten Kontak- telemente (130) sind jeweils einzeln ansteuerbar.

公开(公告)号：WO2018091657A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：PCT/EP2017/079600

申请日：2017-11-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H05B33/08 ,  H05B37/02

Abstract: Multipixel LED-Bauteil (1) mit einer Vielzahl von Emissionsbereichen (100), einer Vielzahl von Konversionselementen (40), die dazu ausgebildet sind von den Emissionsbereichen (100) emittierte Strahlung in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs zu konvertieren, einer Regelvorrichtung (20) umfassend eine Vielzahl von Stromquellen (200) und eine Übertragungseinheit (201) ausgebildet zur drahtlosen Datenübertragung, und zwei elektrischen Kontaktstrukturen (30), über die das LED-Bauteil (1) bestromt wird, wobei die Regelvorrichtung (20) mechanisch fest mit den Emissionsbereichen (100) verbunden ist, jedem Emissionsbereich (100) eineindeutig eine der Stromquellen (200) zugeordnet ist, die Übertragungseinheit (201) dazu vorgesehen ist Signale (S) zur Steuerung der Stromquellen (200) zu empfangen, die Stromquellen (200) entsprechend der Signale (S) ansteuerbar sind, jede Stromquelle (200) dazu ausgebildet ist den ihr zugeordneten Emissionsbereich (100) zu betreiben, und die Anzahl der Emissionsbereiche (100) größer ist als die Anzahl der Kontaktstrukturen (30).