公开(公告)号：WO2022223290A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：PCT/EP2022/059012

申请日：2022-04-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MAHDAVI, Ali ,  PIETZONKA, Ines ,  BARTHEL, Stefan ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben mit einem ersten dotierten Bereich (2), einem aktiven Bereich (3), der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist und der an den ersten dotierten Bereich grenzt, und einem zweiten dotierten Bereich (4), der an der dem ersten dotierten Bereich (2) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (3) angeordnet ist, wobei der erste dotierte Bereich (2) strukturiert ist, und der aktive Bereich (3) den ersten dotierten Bereich (2) an einer Seitenfläche (2a) und einer Deckfläche (2b) bedeckt.

公开(公告)号：WO2023030857A1

公开(公告)日：2023-03-09

申请号：PCT/EP2022/072576

申请日：2022-08-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEX, Andreas ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  MAHDAVI, Ali ,  VON MALM, Norwin ,  KÖNIG, Harald

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: In at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor device (1) comprises at least one active semiconductor fin (2) which is configured to emit radiation by electroluminescence, wherein the at least one active semiconductor fin (2) starts from a base plane (20), and seen in top view of the base plane (20), the at least one active semiconductor fin (2) runs along at least two different directions (E).

公开(公告)号：WO2021023374A1

公开(公告)日：2021-02-11

申请号：PCT/EP2019/071095

申请日：2019-08-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MAHDAVI, Ali

IPC: H01L33/38 ,  H01L25/075 ,  H01L33/08

Abstract: An optoelectronic device comprises: at least one optoelectronic light source (13) having an active region (15) for generating light and a light emitting surface (29) for emitting the generated light, an electrically conductive layer (25) extending between the light emitting surface (13) and the active region (15), and a photonic crystal structure (27), and the photonic crystal structure (27) being arranged in the electrically conductive layer (25).