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    71.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2801420B1

    公开(公告)日：2002-04-12

    申请号：FR9914746

    申请日：1999-11-23

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  CHANTRE ALAIN ,  JOUAN SEBASTIEN ,  LLINARES PIERRE

    IPC: H01L21/331 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/73 ,  H01L27/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L29/737 ,  H01L29/732

    Abstract: Preparation of a bipolar vertical transistor comprises: (a) making an intrinsic collector on a layer of extrinsic collector in a semiconductor substrate; (b) making a lateral isolating region; (c) making a base next to he intrinsic collector and the lateral isolating region; and (d) making a bipartite dope emitter in situ. Preparation of a bipolar vertical transistor comprises: (a) making an intrinsic collector (4) on a layer of extrinsic collector (2) in a semiconductor substrate (1); (b) making a lateral isolating region (5) surrounding the upper part of the intrinsic collector and of wells of the imprisoned extrinsic collector (60); (c) making a base (8) next to he intrinsic collector and the lateral isolating region and comprising a non-selective epitaxy of a semiconductor region (8) comprising at least one layer of silicon; (d) making a bipartite dope emitter (11) in situ comprising: (i) making a first layer (110) of the emitter formed from microcrystalline silicon and directly in contact with a part (800) of the upper surface of the semiconductor region situated on top of the intrinsic collector; and (ii) making a second part (111) of emitter from polycrystalline silicon; the two parts (110, 111) being separated by an oxide layer (112).

    72.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2779573B1

    公开(公告)日：2001-10-26

    申请号：FR9807061

    申请日：1998-06-05

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTY MICHEL ,  CHANTRE ALAIN ,  REGOLINI JORGE LUIS

    IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/737 ,  H01L29/732

    Abstract: The bipolar transistor comprises a base (Be) of heterojunction silicon-germanium. The base is in block (8) of layers of silicon and silicon-germanium on an initial layer (17) of silicon nitride spread on a region with lateral isolation (5). An internal collector (4) is enclosed and situated inside a window in the layer of silicon nitride. The fabrication process includes the growth of a layer of silicon dioxide on a block of semiconductor. A layer of silicon nitride (Si3N4) is then deposited, and etched until the layer of silicon dioxide. A chemical process is used to remove a portion of the layer of silicon dioxide within the window. The layer of silicon nitride has a thickness of about 300 Angstrom, and that of silicon dioxide about 200 Angstrom.

    73.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2805923A1

    公开(公告)日：2001-09-07

    申请号：FR0002855

    申请日：2000-03-06

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CHANTRE ALAIN ,  MARTY MICHEL ,  BAUDRY HELENE

    IPC: H01L21/331

    Abstract: The process includes successively forming, over a base region of a semiconductor substrate, a poly-Ge or poly-SiGe layer, an etch-stop layer over a selected zone of the Ge or SiGe layer, a layer of poly-Si of the same conductivity type as the base region, then an outer layer of dielectric material. Etching the layers includes stopping at the stop layer to form an emitter window preform, removing the stop film and selectively removing the Ge or SiGe layer in the emitter window preform to form an emitter window and to form an emitter made of poly-Si of conductivity type the opposite of the base region in the window.

    74.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2766294A1

    公开(公告)日：1999-01-22

    申请号：FR9709164

    申请日：1997-07-18

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTY MICHEL ,  JAOUEN HERVE

    IPC: H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01L27/10 ,  H01L29/92 ,  H01L23/522

    Abstract: Production of a metal-metal capacitor within an IC is carried out by forming the two metal electrodes (40, 71) and the dielectric layer (61) on the lower insulating layer (2) bearing a metallisation level (M1) of the IC before depositing the upper insulating layer (80) for covering the metallisation level (M1). Also claimed is an IC including a metal-metal capacitor (40, 61, 71) produced as described above. Preferably, the first capacitor electrode (40) is part of the metallisation level (preferably aluminium), the second electrode (70, 71) is a thinner layer preferably of aluminium or tungsten and the dielectric layer (61) is a thin SiO2, Si3N4 or Ta2O5 layer.

    PHOTODIODE SPAD A HAUT RENDEMENT QUANTIQUE
    79.
    发明专利
    PHOTODIODE SPAD A HAUT RENDEMENT QUANTIQUE 未知

    公开(公告)号：FR3009888A1

    公开(公告)日：2015-02-27

    申请号：FR1358139

    申请日：2013-08-23

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTY MICHEL ,  FREY LAURENT ,  JOUAN SEBASTIEN ,  BOUTAMI SALIM

    IPC: H01L31/02

    Abstract: L'invention concerne une photodiode de type SPAD dont la surface photoréceptrice est recouverte de bandes entrecroisées (30) formant un treillis en un premier matériau dont les parois latérales sont entourées d'au moins un espaceur (33) en un deuxième matériau d'indice optique distinct de celui du premier matériau, le pas du treillis étant de l'ordre de grandeur de la longueur d'onde de fonctionnement de la photodiode, les premier et deuxième matériaux étant transparents à la longueur d'onde de fonctionnement, le premier matériau étant conducteur et étant couplé à un nœud de connexion (36).

    PANNEAU CONSTITUE D'UNE MATRICE DE CELLULES A CRISTAUX LIQUIDES DESTINE A ETRE UTILISE DANS UN NANOPROJECTEUR
    80.
    发明专利
    PANNEAU CONSTITUE D'UNE MATRICE DE CELLULES A CRISTAUX LIQUIDES DESTINE A ETRE UTILISE DANS UN NANOPROJECTEUR 未知

    公开(公告)号：FR2992096A1

    公开(公告)日：2013-12-20

    申请号：FR1255732

    申请日：2012-06-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： MARTY MICHEL ,  HIRIGOYEN FLAVIEN ,  SEGURA PUCHADES JOSEP ,  WEHBE-ALAUSE HELENE ,  ROSSINI UMBERTO

    IPC: H01L27/32

    Abstract: L'invention concerne un panneau constitué d'une matrice de cellules (3) destiné à être utilisé dans un nano-projecteur , chaque cellule comprenant une couche de cristaux liquides (7) encadrée par des électrodes transparentes supérieure (35) et inférieure (33), un transistor MOS de commande (9) étant disposé au-dessus de l'électrode supérieure, chaque transistor étant recouvert d'au moins trois niveaux de métallisation (75, 76, 77). Le transistor de chaque cellule s'étend dans un coin de la cellule de façon que les transistors d'un ensemble de quatre cellules adjacentes soient disposés dans une région centrale dudit ensemble. Le niveau de métallisation supérieur (77) s'étend au-dessus des transistors de chaque ensemble de quatre cellules adjacentes. Le panneau comprend, pour chaque ensemble de quatre cellules adjacentes, un premier anneau conducteur (83) entourant les transistors, le premier anneau s'étendant du niveau de métallisation inférieur (75) jusqu'à l'électrode supérieure de chaque cellule avec interposition d'un matériau isolant (85).

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