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    具有线性驱动/拾取的MEMS垂直梳状结构
    71.
    发明公开
    具有线性驱动/拾取的MEMS垂直梳状结构 失效

    公开(公告)号：CN102564469A

    公开(公告)日：2012-07-11

    申请号：CN201110456815.7

    申请日：2011-11-23

    Applicant: 霍尼韦尔国际公司

    Inventor： R·D·霍尔宁 ,  R·苏皮诺

    IPC: G01D5/12 ,  B81B7/00

    CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/025 ,  B81B2203/0136 ,  Y10T29/49117

    Abstract: 本发明涉及具有线性驱动/拾取的MEMS垂直梳状结构。一种MEMS传感器，包括基板和具有第一多个梳状物的至少一个检验质量块。该检验质量块经由一个或多个悬挂梁耦合到基板以使得检验质量块和第一多个梳状物能移动。该MEMS传感器还包括具有第二多个梳状物的至少一个锚。该锚耦合到基板以使锚和第二多个梳状物相对于基板被固定在适当位置。第一多个梳状物与第二多个梳状物交错。每个梳状物都包括通过一个或多个非导电层彼此电隔离的多个导电层。每个导电层都单独耦合到各自电势以使得梳状物之间的电容随着能移动梳状物在面外方向上的位移近似线性变化。

    振动隔离内插器管芯
    72.
    发明公开
    振动隔离内插器管芯 无效

    公开(公告)号：CN102530827A

    公开(公告)日：2012-07-04

    申请号：CN201110456837.3

    申请日：2011-11-23

    Applicant: 霍尼韦尔国际公司

    Inventor： R·D·霍尔宁 ,  R·苏皮诺

    IPC: B81B7/00

    CPC classification number: B81B7/0016 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/07

    Abstract: 本发明涉及振动隔离内插器管芯。在一个示例中，提供一种内插器芯片。该内插器芯片包括基部和芯片安装部。该内插器芯片还包括连接基部到芯片安装部的一个或多个弯曲件。此外，第一多个突起从基部朝向芯片安装部延伸，并且第二多个突起从芯片安装部朝向基部延伸并且延伸进入由第一多个突起形成的空隙。

    POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS
    76.
    发明申请
    POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS 审中-公开
    多晶硅沉积和退火工艺使MEMS应用的薄膜多晶硅薄膜

    公开(公告)号：WO2008124595A2

    公开(公告)日：2008-10-16

    申请号：PCT/US2008059415

    申请日：2008-04-04

    Applicant: ANALOG DEVICES INC ,  NUNAN THOMAS KIERAN

    Inventor： NUNAN THOMAS KIERAN

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/025 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0169

    Abstract: A method of forming a thick polysilicon layer for a MEMS inertial sensor includes forming a first amorphous polysilicon film on a substrate in an elevated temperature environment for a period of time such that a portion of the amorphous polysilicon film undergoes crystallization and grain growth at least near the substrate. The method also includes forming an oxide layer on the first amorphous polysilicon film, annealing the first amorphous polysilicon film in an environment of about 1100°C or greater to produce a crystalline film, and removing the oxide layer. Lastly, the method includes forming a second amorphous polysilicon film on a surface of the crystalline polysilicon film in an elevated temperature environment for a period of time such that a portion of the second amorphous polysilicon film undergoes crystallization and grain growth at least near the surface of the crystalline polysilicon film.

    Abstract translation: 形成用于MEMS惯性传感器的厚多晶硅层的方法包括在高温环境中在衬底上形成第一非晶多晶硅膜一段时间，使得非晶多晶硅膜的一部分经历结晶并且晶粒生长至少接近 底物。 该方法还包括在第一非晶多晶硅膜上形成氧化物层，在约1100℃或更高的环境中退火第一非晶多晶硅膜以产生结晶膜，并除去氧化物层。 最后，该方法包括在高温环境下在晶体多晶硅膜的表面上形成第二非晶多晶硅膜一段时间，使得第二非晶多晶硅膜的一部分在至少在表面附近发生结晶和晶粒生长 晶体多晶硅膜。

    SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    77.
    发明申请
    SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    传感器及其制造方法

    公开(公告)号：WO2008069284A1

    公开(公告)日：2008-06-12

    申请号：PCT/JP2007/073617

    申请日：2007-11-29

    Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA ,  KANDORI, Atsushi ,  MAJIMA, Masao ,  NAGAE, Kenichi ,  TAKAI, Yasuyoshi

    Inventor： KANDORI, Atsushi ,  MAJIMA, Masao ,  NAGAE, Kenichi ,  TAKAI, Yasuyoshi

    IPC: G01C19/56 ,  G01P15/12 ,  G01P15/14 ,  G01L9/00 ,  H01L27/00

    CPC classification number: G01C19/5719 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/124 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0828

    Abstract: Provided is a sensor including a movably supported movable element and an opposing member. The sensor detects a relative positional relationship between the movable element and the opposing member which are provided with a spacing therebetween The opposing member has an impurity-doped portion which is provided to one of an opposing portion which is opposed to the movable element and an adjoining portion which adjoins the opposing portion. At least a part of the impurity-doped portion is formed on an opposite surface opposite to a surface which is opposed to the movable element, from which opposite surface an electrical wiring is led out.

    Abstract translation: 提供一种传感器，包括可移动支撑的可移动元件和相对构件。 传感器检测可移动元件和相对构件之间的间隔的相对位置关系。相对构件具有杂质掺杂部分，该杂质掺杂部分设置在与可移动元件相对的相对部分中的一个上， 邻接相对部分的部分。 杂质掺杂部分的至少一部分形成在与可移动元件相对的表面相对的相对表面上，从该导体的相对表面引出电线。

    MIKROMECHANISCHE DRUCKSENSORVORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
    78.
    发明申请
    MIKROMECHANISCHE DRUCKSENSORVORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
    MICRO机械压力传感器装置及相应方法

    公开(公告)号：WO2015106854A1

    公开(公告)日：2015-07-23

    申请号：PCT/EP2014/074748

    申请日：2014-11-17

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： CLASSEN, Johannes

    IPC: G01L9/00 ,  B81C1/00

    CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B7/0061 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00246 ,  G01L9/0073 ,  H01L2224/11

    Abstract: Die Erfindung schafft eine mikromechanische Drucksensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikromechanische Drucksensorvorrichtung umfasst einen ASIC-Wafer (1) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), eine auf der Vorderseite (VS) gebildeten Umverdrahtungseinrichtung (1a) mit einer Mehrzahl von Leiterbahnebenen (LB0, LB1, LB2) und dazwischenliegenden Isolationsschichten (I), eine über einer obersten Leiterbahnebene (LB0) der Mehrzahl von Leiterbahnebenen (LB0, LB1, LB2) gebildeten strukturierten Isolationsschicht (6), eine auf der Isolationsschicht (6) gebildeten mikromechanischen Funktionsschicht (2; 2"), welche einen mit Druck beaufschlagbaren Membranbereich (M; Μ'; M") über einer Aussparung (A1; A1 ") der Isolationsschicht (6) als eine erste Druckdetektionselektrode aufweist, und eine in der obersten Leiterbahnebene (LB0) beanstandet vom Membranbereich (M; M'; M") in der Aussparung (A1; A1") gebildeten zweiten Druckdetektionselektrode (7; 7"), welche vom Membranbereich (M; Μ'; M") elektrisch isoliert ist. Der Membranbereich (M; Μ'; M") ist durch ein oder mehrere erste Kontaktstöpsel (P1, P2; P1", P2") mit der obersten Leiterbahnebene (LB0) elektrisch verbunden, welche durch den Membranbereich (M; Μ'; M") und durch die Isolationsschicht (6) geführt sind.

    Abstract translation: 本发明提供了一种微机械压力传感器装置和相应的制造方法。 微机械压力传感器装置包括（1）具有前侧（VS）和后侧（RS），一个上形成再布线（1A）与多个导体路径平面（LB0，LB1，LB2）和中间体的前侧（VS）的ASIC晶片 所述多个导体路径平面（LB0，LB1，LB2）的绝缘层（I），一个在顶部导体电平（LB0）来形成结构化的绝缘层（6），一个绝缘层（6）上形成的微机械的功能层（2; 2“），其具有 “;通过的凹部;（M“（A1; A1加压膜部分MΜ）‘）的所述绝缘层作为第一压力检测电极，并在最上面的导体轨道平面（LB0）反对（6）（从隔膜区域M; M’ ; M “）在所述凹部（A1; A1” 形成第二压力检测电极）（7; 7 “），其（从隔膜区域M;Μ“; M”）电从膜片区域（M ;.Μ绝缘'; M“） 是通过 或多个第一接触插塞（P1，P2的; P1”，P2" ）（与最上面的导体轨道平面LB0）电连接，其（通过膜区域M;Μ“; M“）和（通过绝缘层6）被引导。

    慣性力センサ
    80.
    发明申请
    慣性力センサ 审中-公开
    INERTIA力传感器

    公开(公告)号：WO2009031285A1

    公开(公告)日：2009-03-12

    申请号：PCT/JP2008/002359

    申请日：2008-08-29

    Applicant: パナソニック株式会社 ,  大越偉生 ,  三谷朋弘

    Inventor： 大越偉生 ,  三谷朋弘

    IPC: G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  G01P15/08

    CPC classification number: G01P1/003 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/0023 ,  G01C19/5607 ,  G01P1/023 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

    Abstract: 　振動型の角速度検出素子（３２）と、この角速度検出素子（３２）から出力される出力信号を処理するＩＣ（３４）と、信号処理用のコンデンサ（３６）と、これら角速度検出素子（３２）およびＩＣ（３４）およびコンデンサ（３６）を収納するパッケージ（３８）とを備え、この角速度検出素子（３２）およびＩＣ（３４）は防振部を介してパッケージ（３８）に収納されるとともに、この防振部は、角速度検出素子（３２）を積層したＩＣ（３４）が載置された載置部（４０）と、載置部（４０）の外方に分離して配置されるとともに配線パターン（４２）を介して載置部（４０）と接続された外方部（４４）とを有するＴＡＢテープ（４６）からなる慣性力センサを提供する。

    Abstract translation: 惯性力传感器设有振动型角速度检测元件（32）; 用于处理从角速度检测元件（32）输出的输出信号的IC（34）; 用于信号处理的电容器（36）; 以及用于存储角速度检测元件（32），IC（34）和电容器（36）的封装（38）。 角速度检测元件（32）和IC（34）通过防振部分存储在包装（38）中。 防振部分由具有放置部分（40）和外部部分（44）的TAB带（46）组成。 在放置部上放置有角速度检测元件（32）层叠的IC（34）。 外部部分分别设置在放置部分（40）的外部，并通过布线图案（42）连接到放置部分（40）。

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