公开(公告)号：CN104415902A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410379432.8

申请日：2014-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑秉吉 ,  洪硕佑

IPC: B06B1/06 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00888 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  H04R19/005

Abstract: 本发明提供了一种电容式微机械加工的超声换能器(CMUT)及其分割方法。分割CMUT可以包括：在器件晶片的限定多个超声换能器结构的区域中形成第一沟槽，器件晶片包括多个超声换能器结构；通过接合供应电到多个超声换能器的电极垫晶片和器件晶片来形成具有多个超声换能器的超声换能器晶片；以及通过切割在第一沟槽上的多个超声换能器结构和在第一沟槽下面的电极垫晶片，将超声换能器晶片切割成块以形成多个超声换能器。

公开(公告)号：CN103189974A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201280003531.5

申请日：2012-04-19

Applicant: 株式会社大真空

Inventor： 古城琢也

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H03B5/32

CPC classification number: H05K5/061 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  H01L23/10 ,  H01L41/0533 ,  H01L2224/16225

Abstract: 电子零件用封装上，设有装载电子零件元件的底座、以及通过封装构件接合在所述底座上将所述电子零件元件气密封装且含有导电性材料的盖子。此外，所述底座上设有底部和从所述底部延伸出的壁部，通过所述底部和所述壁部在所述底座一主面形成装载所述电子零件元件的空腔，并形成用于电气接合所述电子零件元件电极的电极垫、用于电气连接外部的外部端子、以及将所述电极垫和所述外部端子电气连接的配线图案。其中，所述外部端子含有接地用GND端子，所述配线图案含有在所述壁部形成的用于将所述盖子与所述GND端子连接的壁部用GND配线图案、以及所述空腔内的所述底座一主面上形成的用于将所述电子零件元件与所述GND端子连接的电子零件元件用GND配线图案。此外，将所述电子零件元件用GND配线图案和所述壁部用GND配线图案连结的连结部在所述底座的平面视角中，未露出在所述空腔，而位于所述底部和所述壁部的叠层间。

公开(公告)号：CN102448873A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080022991.3

申请日：2010-05-26

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 豪克·波尔曼 ,  罗纳德·德克尔 ,  乔格·穆勒 ,  马丁·德姆林

IPC: B81C1/00 ,  H03H3/007

CPC classification number: H03H3/0073 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/0019 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49156

Abstract: 公开了一种制造电子器件的方法，所述电子器件包括微机电(MEMS)元件，所述方法包括以下步骤：在衬底(32)的第一侧提供材料层(34)；在材料层(34)中提供沟槽(40)；从沟槽(40)刻蚀材料，以还从衬底(32)的第一侧刻蚀衬底(32)；从衬底的第二侧研磨衬底(32)以使沟槽(40)外露；以及使用外露的沟槽(40)作为刻蚀孔。外露的沟槽(40)被用作刻蚀孔，以从衬底(32)释放材料层(34)的一部分，例如梁谐振器(12)。提供了输入电极(6)、输出电极(8)和顶部电极(10)。

公开(公告)号：CN1768475B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200480009014.4

申请日：2004-03-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： 马库斯·卢茨 ,  艾伦·帕特里奇

IPC: H03H9/00

CPC classification number: H03H9/02448 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/02338 ,  H03H9/02417 ,  H03H9/2457 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02496 ,  H03H2009/02511

Abstract: 借助于补偿刚度或压缩/拉伸应变的施加，主动或被动地减小微机械谐振器内的热致频率变化。根据热膨胀系数选择各种组成材料以用于在基底上形成谐振器组件。当这些组成材料经受温度变化时，其相对膨胀产生补偿刚度或压缩/弹性应变。

公开(公告)号：CN101891140A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010242902.8

申请日：2007-10-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 渡边徹 ,  佐藤彰 ,  稻叶正吾 ,  森岳志

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0271

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。

公开(公告)号：CN101816079A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200780100935.5

申请日：2007-10-15

Applicant: 诺基亚公司

Inventor： R·科尼斯托 ,  J·基纳勒特 ,  E·坎贝尔 ,  A·伊萨克松 ,  S-W·李 ,  A·厄里克松

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  G11C13/02 ,  H03H9/24 ,  H03H9/46

CPC classification number: H01L51/0504 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/0015 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  H01L51/0048 ,  H03H9/02409 ,  H03H9/2405

Abstract: 本发明提供一种器件，其包括在纳米管栅极电极与纳米管漏极电极之间位于衬底的表面上的纳米管源极电极。

公开(公告)号：CN101535171A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780042891.5

申请日：2007-11-15

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 约翰内斯·东科尔斯 ,  埃尔文·海曾 ,  菲利普·默尼耶-贝亚尔 ,  格哈德·科普斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本发明公开了一种制造结构(1100)的方法，所述方法包括在衬底(101)上形成罩元件(401)，去除罩元件(401)下的衬底(101)的材料(103)，从而在罩元件(401)和衬底(101)之间形成间隙(802)，并重新布置罩元件(401)和/或衬底(101)的材料，从而合并罩元件(401)和衬底(101)，以桥接间隙(802)。

公开(公告)号：CN100483740C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200510104071.7

申请日：2005-09-15

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕司考·安希 ,  尼古拉斯·艾博勒 ,  法布瑞司·卡赛特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H03B5/12

CPC classification number: G01P15/124 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  G01L1/005 ,  G01L9/0098 ,  H03B5/12 ,  H03B5/1237 ,  H03B5/30

Abstract: 一种具有形成在半导体衬底中的可变形栅极的MOS晶体管，包括由沟道区隔开的源区和漏区，该沟道区沿从源极到漏极的第一方向延伸，并沿与该第一方向垂直的第二方向延伸，以及至少设置在于沟道区每一侧的衬底上设置的支承点之间、沿第二方向延伸的沟道区上方的导电栅极梁，使得该沟道区的表面是空的，并且具有类似于当所述梁处于朝向沟道区的最大弯折时的栅极梁形状的形状。

公开(公告)号：CN1331727C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410068471.2

申请日：2004-06-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山本雄一

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03J5/00

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0125 ,  H03H3/0072

Abstract: 本发明公开了一种微振荡器的制造方法，该微振荡器具有在第一和第二电极之间间隙，在该制造方中，在衬底上形成第一电极，并接着在其表面上形成停止膜。其次，形成第二绝缘膜，以覆盖停止膜。第二绝缘膜的厚度比第一电极和停止膜的总厚度大。接着，抛光第二绝缘膜。通过抛光，停止膜暴露于外边，并被平面化。在停止膜中形成开口之后，在开口中埋入牺牲膜。平面化牺牲膜和第二绝缘膜的表面，并在第二绝缘膜上形成第二电极，以横过牺牲膜。通过除去牺牲膜在第一和第二电极之间形成间隙。

公开(公告)号：CN1977450A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200580021979.X

申请日：2005-07-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 久保龙一 ,  小口贵弘 ,  山田一

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/17 ,  H03H9/25 ,  H03H9/58 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/587 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00238 ,  H03H9/105 ,  H03H9/1092 ,  H03H9/564

Abstract: 提供一种具有更小尺寸的压电滤波器。提供压电滤波器(10)，其具有：第一基板(22)，在第一基板22的主表面上安置有至少一个第一压电谐振器(25)；第二基板(12)，在第二基板的主表面上安置有至少一个第二压电谐振器(15)；连接图案(20)，其在第一压电谐振器(25)和第二压电谐振器(15)周围延伸并且安置在第一基板(22)与第二基板(12)之间，第一基板(22)的主表面面对第二基板(12)的主表面，利用连接图案(20)将第一压电谐振器(25)接合到第二压电谐振器(15)上，并且第一压电谐振器(25)远离第二压电谐振器(15)；以及连接层(24x)，用于将垫片(28x)接合到垫片(18x)上，垫片(28x)被安置在第一基板(22)的主表面上并且电连接第一压电谐振器(25)，而垫片18x被安置在第二基板(12)的主表面上并且电连接第二压电谐振器(15)。