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    VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER KAVITÄT UND BAUELEMENT MIT EINER KAVITÄT
    72.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER KAVITÄT UND BAUELEMENT MIT EINER KAVITÄT 审中-公开
    方法用于形成腔体的腔体和COMPONENT

    公开(公告)号：WO2015193081A1

    公开(公告)日：2015-12-23

    申请号：PCT/EP2015/061969

    申请日：2015-05-29

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： STEUER, Benjamin ,  TOMASCHKO, Jochen ,  PINTER, Stefan ,  HABERER, Dietmar ,  ARMBRUSTER, Simon

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: H01L21/4803 ,  B81B1/00 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/0042 ,  B81C2201/013

    Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer Kavität in einem Siliziumsubstrat, wobei eine Oberfläche des Siliziumsubstrats einen Verkippwinkel gegen eine erste Ebene des Siliziumsubstrats aufweist und wobei die erste Ebene eine {111}-Ebene des Siliziumsubstrats ist und Anordnen einer Ätzmaske auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats. Die Ätzmaske weist eine erste Vorhaltestruktur auf, die in die Maskenöffnung hineinragt. Die Ätzmaske weist weiterhin einen ersten Ätzansatzbereich auf. Alle weiteren Kanten der Maskenöffnung außerhalb des ersten Ätzansatzbereichs werden im Wesentlichen parallel zu {111}-Ebenen des Siliziumsubstrats angeordnet. Als einen weiteren Schritt umfasst das Verfahren ein anisotropes Ätzen des Siliziumsubstrats während einer festgelegten Ätzdauer. Dabei ist eine Ätzrate in die -Richtungen des Siliziumsubstrats niedriger als in andere Raumrichtungen und die erste Vorhaltestruktur wird ausgehend von dem ersten Ätzansatzbereich in eine erste Unterätzrichtung unterätzt. Die Ätzdauer ist so festgelegt, dass sich durch das anisotrope Ätzen eine Kavität in dem Siliziumsubstrat ausbildet, die eine Öffnung an der Oberfläche des Siliziumsubstrats aufweist. Die Ätzdauer so festgelegt, dass nach Ablauf der Ätzdauer die erste Ebene des Siliziumsubstrats im Wesentlichen freigelegt ist und eine Bodenfläche der Kavität ausbildet.

    Abstract translation: 形成在硅衬底中的空腔，所述的方法其特征在于，具有倾斜角与硅衬底的第一平面，并且其中所述第一平面是硅衬底的{111}面和硅衬底的表面上设置蚀刻掩模，在硅衬底的表面。 该蚀刻掩模具有伸入所述掩模开口的第一Vorhaltestruktur。 蚀刻掩模还包括第一Ätzansatzbereich。 第一Ätzansatzbereichs外侧掩模开口的所有其它边缘被布置在平行于所述硅衬底的{111}面大致。 作为进一步的步骤，该方法包括在硅衬底的过程中的预定时间的蚀刻各向异性蚀刻。 在这种情况下，在硅衬底的<111>方向上的蚀刻速率比在空间和第一Vorhaltestruktur，从在第一ÄtzansatzbereichUnterätzrichtung第一底切起始其它方向低。 蚀刻时间被设定为使得一个腔是通过在硅衬底的各向异性蚀刻，其在所述硅衬底的表面中的开口形成。 蚀刻时间来确定，以使蚀刻时间段之后，所述硅衬底的所述第一平面基本上暴露并且形成所述腔体的底表面上。

    薄膜支撑梁的制作方法
    73.
    发明申请
    薄膜支撑梁的制作方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2015103910A1

    公开(公告)日：2015-07-16

    申请号：PCT/CN2014/093054

    申请日：2014-12-04

    Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

    Inventor： 荆二荣

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013

    Abstract: 一种薄膜支撑梁的制作方法，包括：提供具有相对设置的第一表面和第二表面的衬底；在衬底的第一表面涂覆牺牲层并图形化牺牲层；在牺牲层上淀积介质膜，形成介质膜层，并在介质膜层上淀积金属膜，形成金属膜层；图形化金属膜层，将金属膜层的图形化区域分为支撑梁部分的金属膜图形和非支撑梁部分的金属膜图形，此时支撑梁部分的金属膜图形的宽度大于最终的支撑梁图形的宽度，非支撑梁部分的金属膜图形的宽度等于最终的非支撑梁图形的宽度；在金属膜层和介质膜层上光刻和刻蚀出最终的支撑梁图形、最终的非支撑梁图形和最终介质膜层，此时最终介质膜层作为最终的支撑梁图形和最终的非支撑梁图形的支撑膜；及去除牺牲层。

    CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER (CMUT) WITH THROUGH-SUBSTRATE VIA (TSV) SUBSTRATE PLUG
    74.
    发明申请
    CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER (CMUT) WITH THROUGH-SUBSTRATE VIA (TSV) SUBSTRATE PLUG 审中-公开
    具有通过（TSV）基板插入的基板的电容式微机械超声波传感器（CMUT）

    公开(公告)号：WO2014134296A1

    公开(公告)日：2014-09-04

    申请号：PCT/US2014/018998

    申请日：2014-02-27

    Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED

    Inventor： JOHNSON, Peter, B. ,  WYGANT, Ira, Oaktree

    IPC: B06B1/02

    CPC classification number: B06B1/0292 ,  B06B2201/76 ,  B81B7/007 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/036 ,  H02N1/006 ,  H04R19/005 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/09863

    Abstract: A capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) device 100 includes at least one CMUT cell 100a including a first substrate 101 of a single crystal material having a top side including a patterned dielectric layer thereon including a thick 106 and a thin 107 dielectric region, and a through- substrate via (TSV) 111 extending a full thickness of the first substrate. The TSV is formed of the single crystal material, is electrically isolated by isolation regions 131 in the single crystal material, and is positioned under a top side contact area 102a of the first substrate. A membrane layer 120b is bonded to the thick dielectric region and over the thin dielectric region to provide a movable membrane over a microelectromechanical system (MEMS) cavity 114. A metal layer 161 is over the top side substrate contact area and over the movable membrane including coupling of the top side substrate contact area to the movable membrane.

    Abstract translation: 电容微加工超声波换能器（CMUT）装置100包括至少一个CMUT单元100a，其包括单晶材料的第一基板101，其具有包括厚的106和薄的107电介质区域的图案化介电层的顶侧， 贯通衬底通孔（TSV）111延伸第一衬底的整个厚度。 TSV由单晶材料形成，通过单晶材料中的隔离区域131电隔离，并且位于第一基板的顶侧接触区域102a的下方。 膜层120b结合到厚的电介质区域和薄的电介质区域上，以在微机电系统（MEMS）空腔114上提供可移动的膜。金属层161在顶侧衬底接触区域之上并且在可移动膜上方包括 将顶侧基板接触区域耦合到可移动膜。

    CAPACITIVE MEMS SENSOR DEVICES
    75.
    发明申请
    CAPACITIVE MEMS SENSOR DEVICES 审中-公开
    电容式MEMS传感器器件

    公开(公告)号：WO2014134291A1

    公开(公告)日：2014-09-04

    申请号：PCT/US2014/018985

    申请日：2014-02-27

    Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED

    Inventor： WYGANT, Ira, Oaktree ,  JOHNSON, Peter, B.

    IPC: G01L9/04

    CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/036 ,  H02N1/006 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2468 ,  H03H9/2489 ,  H04R19/005 ,  Y10T29/49165

    Abstract: A packaged capacitive MEMS sensor device 100 includes at least one capacitive MEMS sensor element with at least one capacitive MEMS sensor cell 100a including a first substrate 101 having a thick 106 and a thin 107 dielectric region. A second substrate with a membrane layer 120 is bonded to the thick dielectric region and over the thin dielectric region to provide a MEMS cavity 114. The membrane layer provides a fixed electrode 120a and a released MEMS electrode 120b over the MEMS cavity. A first through-substrate via (TSV) 111 extends through a top side of the MEMS electrode and a second TSV 112 through a top side of the fixedelectrode. A metal cap 132 is on top of the first TSV and second TSV. A third substrate 140 including an inner cavity 144 and outer protruding portions 146 framing the inner cavity is bonded to the thick dielectric regions. The third substrate together with the first substrate seals the MEMS electrode.

    Abstract translation: 封装的电容式MEMS传感器装置100包括具有至少一个电容式MEMS传感器单元100a的至少一个电容式MEMS传感器元件，该电容式MEMS传感器单元包括具有厚的106和薄的107电介质区域的第一基板101。 具有膜层120的第二衬底被结合到厚电介质区域和薄介电区域上，以提供MEMS空腔114.膜层在MEMS空腔上提供固定电极120a和释放的MEMS电极120b。 第一穿通基板通孔（TSV）111延伸穿过MEMS电极的顶侧，通过固定电极的顶侧延伸穿过第二TSV 112。 金属盖132位于第一TSV和第二TSV的顶部。 包括内腔144和框架内腔的外部突出部分146的第三衬底140被结合到厚电介质区域。 第三衬底与第一衬底一起密封MEMS电极。

    MICROSENSOR BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND MICROSENSOR
    78.
    发明公开
    MICROSENSOR BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND MICROSENSOR 审中-公开
    MICROSENSOR BODY及其制造方法，以及MICROSENSOR

    公开(公告)号：EP3214037A1

    公开(公告)日：2017-09-06

    申请号：EP15762910.6

    申请日：2015-04-15

    Applicant: BOE Technology Group Co., Ltd.

    Inventor： JI, Chunyan ,  YANG, Tian

    IPC: B81C1/00 ,  H01L41/00

    CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  F24S25/30 ,  F24S25/636 ,  F24S2025/016 ,  F24S2025/801 ,  F24S2025/807 ,  G01F1/56 ,  G01J1/42 ,  H02S20/00 ,  Y02E10/47 ,  Y02E10/50

    Abstract: The present invention relates to the field of sensor manufacturing technology, particularly disloses a method for manufacturing a micro-sensor body, compriseing the steps of S1: applying a wet colloidal material on a substrate to form a colloidal layer, and covering a layer of one-dimensional nanowire film on the surface of the colloidal layer to form a sensor embryo; S2: drying the colloidal layer of the sensor embryo to an extent that the colloidal layer cracks into a plurality of colloidal islands, a portion of the one-dimensional nanowire film contracting into a contraction diaphragm adhered to the surface of the colloidal islands while the other portion of the one-dimensional nanowire film being stretched into a connection structure connected between the adjacent contraction diaphragms. By the method for manufacturing a micro-sensor body of the present invention, the contraction diaphragms and connection structures formed by stretching the one-dimensional nanowire film are connected stably, which enhances the stability of the sensor devices; and the cracking manner renders it easy to obtain a large-scale of sensor bodies with connection structure arrays in stable suspension.

    Abstract translation: 传感器制造技术领域本发明涉及传感器制造技术领域，特别涉及制造微传感器主体的方法，其包括以下步骤：S1：在基底上施加湿胶体材料以形成胶体层，并且覆盖一层 - 在胶体层的表面上形成三维纳米线膜以形成传感器胚胎; S2：将传感器胚胎的胶体层干燥至胶体层裂开成多个胶体岛的程度，一维纳米线膜的一部分收缩成粘附到胶体岛表面的收缩隔膜，而另一个 一维纳米线膜的一部分被拉伸成连接在相邻收缩隔膜之间的连接结构。 通过本发明的微传感器体的制造方法，通过拉伸一维纳米线膜形成的收缩隔膜和连接结构稳定连接，提高了传感器器件的稳定性; 开裂方式使得连接结构阵列在稳定悬浮状态下获得大规模的传感器主体变得容易。

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