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    PROCEDE DE GESTION DE LA COMMUNICATION D'INFORMATIONS ENTRE UN CONTROLEUR NFC ET UN ELEMENT SECURISE AU SEIN D'UN APPAREIL, ET APPAREIL ET CONTROLEUR NFC CORRESPONDANTS
    82.
    发明专利
    PROCEDE DE GESTION DE LA COMMUNICATION D'INFORMATIONS ENTRE UN CONTROLEUR NFC ET UN ELEMENT SECURISE AU SEIN D'UN APPAREIL, ET APPAREIL ET CONTROLEUR NFC CORRESPONDANTS 未知

    公开(公告)号：FR3035252A1

    公开(公告)日：2016-10-21

    申请号：FR1553229

    申请日：2015-04-14

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： CHARLES ALEXANDRE

    IPC: G06K19/07 ,  H04L29/06 ,  H04W4/80

    Abstract: Procédé de gestion de la communication d'informations entre un contrôleur NFC (NCC) couplé à une antenne (ANT1) pour une communication sans contact avec un objet, et un dispositif hôte (DH) et au moins un élément sécurisé (SE), comprenant un routage de toutes lesdites informations à travers ledit contrôleur NFC, une communication de premières informations (INF1) à communiquer entre ledit au moins un élément sécurisé et ledit dispositif hôte via un premier lien de communication (LK1) entre ledit contrôleur NFC (NCC) et ledit dispositif hôte (DH) et via un deuxième lien de communication (LK2) entre ledit contrôleur NFC (NCC) et ledit au moins un élément sécurisé (SE), une communication de deuxièmes informations (INF2) provenant de et/ou à destination de ladite antenne via un troisième lien de communication (LK3) entre ledit contrôleur NFC (NCC) et ledit au moins un élément sécurisé (SE), ledit premier lien de communication (LK1) et ledit deuxième lien de communication (LK2) ayant des bandes passantes plus grandes que la bande passante dudit troisième lien de communication (LK3).

    CELLULE MEMOIRE A GRILLE DE SELECTION VERTICALE FORMEE DANS UN SUBSTRAT DE TYPE FDSOI
    87.
    发明专利
    CELLULE MEMOIRE A GRILLE DE SELECTION VERTICALE FORMEE DANS UN SUBSTRAT DE TYPE FDSOI 未知

    公开(公告)号：FR3030883A1

    公开(公告)日：2016-06-24

    申请号：FR1462642

    申请日：2014-12-17

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： REGNIER ARNAUD ,  MIRABEL JEAN-MICHEL ,  NIEL STEPHAN ,  LA ROSA FRANCESCO

    IPC: H01L27/115 ,  G11C7/00 ,  G11C16/02 ,  H01L21/8247

    Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire formée dans un substrat (SUB) semi-conducteur, comprenant une grille de sélection (SGC) s'étendant verticalement dans une tranchée (TR) pratiquée dans le substrat, et isolée du substrat par une première couche d'oxyde de grille (D3), une grille flottante (FG) horizontale s'étendant au-dessus du substrat et isolée du substrat par une seconde couche d'oxyde de grille (D1), et une grille de contrôle (CG) horizontale s'étendant au-dessus de la grille flottante, la grille de sélection (SGC) couvrant une face latérale de la grille flottante, la grille flottante étant séparée de la grille de sélection uniquement par la première couche d'oxyde de grille (D3), et séparée d'une région de canal verticale (CH2) s'étendant dans le substrat le long de la grille de sélection, uniquement par la seconde couche d'oxyde de grille.

    DISPOSITIF ELECTRONIQUE A FONCTION RADIOFREQUENCE
    88.
    发明专利
    DISPOSITIF ELECTRONIQUE A FONCTION RADIOFREQUENCE 未知

    公开(公告)号：FR3030089A1

    公开(公告)日：2016-06-17

    申请号：FR1462307

    申请日：2014-12-12

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC

    IPC: G06K19/07

    Abstract: L'invention concerne un dispositif électronique comportant : au moins un circuit (6) de traitement connecté au moins à une borne (28) à un premier potentiel de référence ; au moins un circuit (2) de communication radiofréquence connecté au moins à ladite borne de potentiel de référence ; au moins un premier plot (43) destiné à être porté à un deuxième potentiel de référence d'au moins un circuit électronique (APP) externe au dispositif ; et au moins une première impédance résistive (9) entre ladite borne (28) et ledit premier plot (43).

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