Abstract:
PURPOSE: A flame-retarding resin composition and a multi-layer wiring substrate including thereof are provided to improve fire retardant characteristic, moisture absorption resistance, and splitting resistance. CONSTITUTION: A flame-retarding resin composition comprises naphthalene-modified epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, rubber-modified epoxy resin, and phosphorous-based epoxy resin, and a flame retardant which is represented by chemical formula 1. The naphthalene-modified epoxy resin has average epoxy equivalent of 100-600. The cresol novolac epoxy resin has average epoxy equivalent of 300-600. The rubber-modified type epoxy resin has average epoxy equivalent of 100-500. The phosphorous based resin has average epoxy equivalent of 400-800.
Abstract:
본 발명은 낮은 유전율을 가지는 저손실 절연재 (Low Loss Dielectric; LLD)로서 유용한 신규의 노르보넨계 중합체, 이를 이용한 절연재, 인쇄회로기판 및 기능성 소자에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는, 상기 노르보넨계 중합체는 다음 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 적어도 1종 포함한다. [화학식 1]
식 중, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 독립적으로 , 및 로 이루어지는 군에서 선택되고, 나머지는 수소이며, 여기서, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1~C6의 알킬기, 지방족 이중고리(bicyclo) 또는 다중고리(multicyclo) 화합물로 치환된 C1~C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C6의 알케닐기 및 치환 또는 비치환된 C4~C31의 아릴알킬기로 이루어지는 군에서 선택되고, L은 C1~C3의 알킬기이다. 본 발명의 노르보넨계 중합체는 낮은 유전율, 저손실 특성 및 우수한 공정성을 가지고 있어, 저손실 절연재로서 다양한 응용이 가능하다. 폴리노르보넨, 절연재
Abstract:
본 발명은 인쇄회로기판용 수지 조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판에 관한 것으로, 코어-쉘 구조의 아크릴 고무 입자가 분산된 에폭시 수지와, DGEBA(diglycidyl ether of bisphenol A)계 에폭시 수지와, 크레졸 노볼락 에폭시 수지와, 고무 변성형 에폭시 수지와, 인 (phospher)계 에폭시 수지를 포함하는 복합 에폭시 수지; 경화제; 경화촉진제; 및 무기 충전제를 포함하는 인쇄회로기판용 수지 조성물에 관한 것이다. 인쇄회로기판, 수지 조성물, 코어, 쉘 구조, 아크릴, 고무, 에폭시 수지
Abstract:
PURPOSE: A norbornene-based polymer, and an insulating material using thereof are provided to secure the excellent process ability and the low dielectric constant, and to use the polymer as a low loss insulating material at an embedded substrate. CONSTITUTION: A norbornene-based polymer includes more than one recurring unit marked with chemical formula 1. In the chemical formula 1, R1~R4 are selected from the group consisting of -C(O)-O-R5, -L-O-R6, and -L-O-C(O)-R7. R5, R6 and R7 are selected from the group consisting of hydrogen, a C1~C6 substituted or non-substituted alkyl group, a C1~C6 alkyl group substituted with an aliphatic bicycle or multicyclo compound, a C2~C6 substituted or non-substituted alkenyl group, and a C4~C31 substituted or non-substituted arlyalkyl group.
Abstract:
PURPOSE: A norbornene-based polymer is provided to ensure low dielectric constant, low loss property, and excellent processability, and to be used as a low loss dielectric in an embedded substrate or functional element. CONSTITUTION: A norbornene-based polymer has at least one kind of repeating unit represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, at least one of R1-R4 is substituted or unsubstituted C4-C31 linear or branched arylalkyl group, the others of R1-R4 are independently hydrogen or substituted or unsubstituted C1-C3 linear or branched alkyl group; and n is an integer of 250-400.
Abstract:
A flame retardant resin composition for a printed circuit board is provided to obtain a UV curable insulating material while not lowering a mechanical property. A flame retardant resin composition for a printed circuit board suitable for an imprinting lithography method, using a stamper of a polymer material comprises (a) a complex epoxy resin 100.0 parts by weight; (b) a photoacid generator 0.1-10 parts by weight; (c) a hardener 0.1-1.3 equivalent, based a mixing equivalent of an epoxy radical of the complex epoxy resin to 0.1-1.3 equivalence ratio; (d) a curing accelerator 0.1-1 parts by weight; and (e) an inorganic filler.
Abstract:
임프린팅용 스탬퍼 및 그 제조방법이 개시된다. 회로패턴 및 비아홀에 상응하는 양각의 패턴이 돌출 형성되는 임프린팅용 스탬퍼를 제조하는 방법으로서, (a) 에칭대상층에 에칭방지층이 적층된 기판의 에칭대상층을 선택적으로 에칭하여, 비아홀에 상응하는 제1 단턱이 함입되도록 하는 단계, (b) 에칭대상층을 선택적으로 에칭하여, 회로패턴에 상응하는 제2 단턱이 함입되고 제1 단턱의 단부가 에칭방지층에 접하도록 하는 단계, (c) 제1 단턱 및 제2 단턱에 몰딩재가 충전되도록 몰딩재를 기판에 적층시키는 단계, 및 (d) 몰딩재를 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법은, 임프린팅용 스탬퍼를 다단의 패턴을 갖도록 제작함으로써, 임프린팅 공정에 사용되는 스탬퍼의 갯수 및 임프린팅 공정의 수를 줄여 시간 및 비용을 절감할 수 있다. 임프린팅, 스탬퍼, 에칭방지층
Abstract:
본 발명은 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법에 관한 것으로, 형성하고자 하는 복수의 비아 및 패턴에 대응되는 구조물이 표면에 형성된 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법에 있어서, 고분자 재질의 몰드를 플라즈마 표면처리한 후, 여기에 특정 실란 화합물을 증착 또는 흡착시키고 건조시키는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법을 제공한다. 인쇄회로기판, 임프린트, 몰드, 이형처리, 고분자, 플라즈마, 실란 화합물
Abstract:
A manufacturing method of an imprinting stamper is provided to reduce the number of stampers and the number of imprinting processes by forming a multi-stepped pattern. A first step(20,21) corresponding to a via hole is inserted into an etching target layer by etching selectively the etching target layer of a substrate including an etch stop layer. A second step(22,23) corresponding to the circuit pattern is inserted and an end of the first step is connected to the etch stop layer by etching selectively the etching target layer. A molding material(30) is laminated on the substrate in order to be filled in the first and second steps. The molding material is separated from the substrate. The etching target layer includes a silicon substrate(10). The etch stop layer includes a glass substrate(9).
Abstract:
A method for treating release of a stamper is provided to improve a releasing characteristic of the stamper by increasing adhesion between a silicon layer and a self-assembled monolayer. A stamper preparation process is performed to prepare a stamper(10) having an embossed pattern. A silicon layer(20) is formed on the embossed pattern of the stamper. A self-assembled monolayer(30) is formed on the silicon layer. The stamper is a metal stamper or a polymer stamper. The process for forming the silicon layer includes a process for depositing the silicon layer on the embossed pattern of the stamper by a CVD(Chemical Vapor Deposition) method using SiH4 gas. The SiH4 gas is implanted in a range of pressure of 1Î10^-5 to 1Î10^-1 Torr and temperature of 100 to 400 degrees centigrade.