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公开(公告)号:KR1020080030155A
公开(公告)日:2008-04-04
申请号:KR1020060095862
申请日:2006-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/153 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/1519
Abstract: A display device and a method for manufacturing the same are provided to minimize the frequency of photolithography required in forming a TFT display substrate and reduce the manufacturing time and cost of an OTFT(Organic TFT) by forming two signal lines at one photolithography process and forming gate insulators and organic semiconductors through a solution process, such as ink-jet printing. A display device comprises a substrate(110), gate lines(121b), common electrode lines, data members(171), connection members(192), pixel electrodes(191), organic semiconductors(154), and an electrochromic optical active layer. The gate lines, formed on the substrate in the first direction, comprise gate electrodes respectively. Each of the common electrode lines, formed on the substrate in the second direction, comprises a common electrode. The data members respectively are formed between the gate lines and the common electrode lines along the second direction which is orthogonal to the first direction. Each of the connection members connects neighboring data members to each other, and comprises a source electrode(193) which is partially superposed with a gate electrode. The pixel electrodes respectively, facing the source electrodes and superposed with the common electrodes, comprise drain electrodes(195) which are partially superposed with the gate electrodes. Each of the organic semiconductors is partially superposed with each source electrode and each drain electrode. The electrochromic optical active layer is located between the common electrodes and the pixel electrodes.
Abstract translation: 提供了一种显示装置及其制造方法,以便在形成TFT显示基板时所需的光刻频率最小化,并且通过在一个光刻工艺中形成两个信号线并且形成 门绝缘体和有机半导体,通过溶液工艺,如喷墨印刷。 显示装置包括基板(110),栅极线(121b),公共电极线,数据构件(171),连接构件(192),像素电极(191),有机半导体(154)和电致变色光学有源层 。 沿第一方向在基板上形成的栅极线分别包括栅电极。 在第二方向上形成在基板上的每个公共电极线包括公共电极。 数据构件分别沿与第一方向正交的第二方向形成在栅极线和公共电极线之间。 每个连接构件将相邻的数据构件彼此连接,并且包括与栅电极部分重叠的源电极(193)。 分别面对源电极并与公共电极重叠的像素电极包括与栅电极部分重叠的漏电极(195)。 每个有机半导体与每个源电极和每个漏电极部分重叠。 电致变色光学有源层位于公共电极和像素电极之间。
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公开(公告)号:KR1020080026957A
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:KR1020060092228
申请日:2006-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0005 , H01L51/0028 , H01L51/0558
Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor array panel is provided to improve characteristics of an organic thin film transistor by reorienting organic semiconductor molecules of organic semiconductors through re-melting and drying steps. A gate electrode(124) is formed on a substrate, and then a source electrode(193) isolated from the gate electrode and a drain electrode(195) opposite to the source electrode are formed. After an organic semiconductor(154) comes in contact with the source and drain electrodes, a solvent is sprayed onto the organic semiconductor, and then the solvent is dried. The organic semiconductor is annealed. The solvent includes at least one of tetralin, cyclohexane, benzene, xylene, anisole, Benzo nitrile, lutidine, morpholine, aniline, toluene, pyridine, dioxane, and derivatives thereof.
Abstract translation: 提供了制造薄膜晶体管阵列面板的方法,以通过再熔化和干燥步骤重新定向有机半导体的有机半导体分子来改善有机薄膜晶体管的特性。 在基板上形成栅电极(124),然后形成与栅电极隔离的源极(193)和与源电极相对的漏电极(195)。 在有机半导体(154)与源极和漏极接触之后,将溶剂喷射到有机半导体上,然后将溶剂干燥。 有机半导体退火。 溶剂包括四氢化萘,环己烷,苯,二甲苯,苯甲醚,苯并腈,二甲基吡啶,吗啉,苯胺,甲苯,吡啶,二恶烷及其衍生物中的至少一种。
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公开(公告)号:KR100804650B1
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:KR1020060006363
申请日:2006-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03F3/45183 , H03F1/02 , H03F2203/45318 , H03F2203/45352 , H03K3/0322 , H03K3/356113 , H03K5/133 , H03K2005/00026 , H03K2005/00208 , H03L7/0995
Abstract: 전력소모를 줄일 수 있고 듀티비 특성이 우수한 차동-단일 컨버터 및 이를 구비한 위상동기루프 회로가 개시되어 있다. 차동-단일 컨버터는 차동증폭기 및 래치회로를 구비한다. 차동증폭기는 차동입력신호를 증폭하여 차동출력신호를 발생시킨다. 래치회로는 차동출력신호를 래치시켜 단일 출력신호를 발생시킨다. 전압제어 발진기의 지연 셀에 공급되는 지연 셀 전압에 비례하는 바이어스 전압에 응답하여 차동증폭기의 바이어스 전류가 결정될 수 있다.
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公开(公告)号:KR100785085B1
公开(公告)日:2007-12-12
申请号:KR1020050011147
申请日:2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/00
CPC classification number: G03G21/1666 , G03G21/1647 , G03G2221/1654
Abstract: 개시된 화상형성장치는 화상형성체; 화상형성체상에서 유동가능한 적어도 하나의 이동체의 움직임을 차단하는 로킹유닛; 및 로킹유닛의 잠금상태 또는 해제상태를 제어하는 제어유닛;을 포함한다. 로킹유닛은 이동체상에 마련되며 걸림홈이 마련된 걸림부재; 화상형성체상에 마련된 지지부재; 및 지지부재에 유동가능하게 지지되어 걸림부재의 걸림홈에 삽입되거나 이탈되도록 유동가능하게 설치된 로킹부재를 포함한다. 제어유닛은 로킹유닛의 잠금 또는 해제상태를 판단하는 제어부; 로킹유닛을 구동시키기 위한 구동유닛; 및 제어부에서 잠금 또는 해제 상태를 판단하면 제어부의 출력신호에 따라 구동유닛을 동작시키는 구동부를 포함한다. 구동유닛은 동력을 발생시키는 모터; 모터와 직접 또는 간접적으로 접속되어 정회전 또는 역회전이 가능한 구동수신기어; 및 로킹부재에 마련되어 구동수신기어와 기어물림 된 기어부;를 포함한다.
화상, 형성, 유동, 방지, 잠금장치. 화상독취센서-
公开(公告)号:KR1020070087710A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:KR1020050056434
申请日:2005-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B41J2/01
CPC classification number: B41J2/17593
Abstract: A solid ink-jet printing apparatus is provided to improve an ink-supplying efficiency by installing an ink supplying unit by a predetermined angle in parallel with the direction of pressing solid ink and the direction of supplying ink. A solid ink-jet printing apparatus comprises an image forming member, an ink head unit(30), and an ink supplying unit(40). The ink head unit has an ink chamber(31) which receives the supplied ink, and an ink head which forms an image by supplying ink in the image forming member. The ink supplying unit presses one side the solid ink received inside, melts an end of the pressed solid ink, and supplies the ink to the ink chamber. The ink supplying unit is installed at the upper part of the ink chamber and maintains the direction of pressing the solid ink to make the angle of -30~30degrees in reference of the direction of supplying ink to the ink chamber.
Abstract translation: 提供了一种固体喷墨打印设备,以通过以与预定角度平行的方式将油墨供应单元安装在压榨固体油墨的方向和供墨方向上来提高油墨供应效率。 固体喷墨打印设备包括图像形成构件,墨头单元(30)和墨水供应单元(40)。 墨头单元具有容纳所供墨的墨室(31)和通过在图像形成部件中供墨来形成图像的墨头。 供墨单元将固体油墨的一侧按压在内部,熔化压制的固体油墨的一端,并将油墨供应到油墨室。 墨水供应单元安装在墨水室的上部,并且保持按照固体墨水的方向使墨水的供墨方向为-30〜30度的角度。
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公开(公告)号:KR1020070044142A
公开(公告)日:2007-04-27
申请号:KR1020050100127
申请日:2005-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/32513 , H01L21/67069
Abstract: 플라즈마를 이용하여 기판을 가공하는 장치에 있어서, 상기 가공에 사용되는 반응 가스는 공정 챔버의 상부에 배치되는 돔 내부로 공급되며, 상기 돔 내부에서 고주파 파워 인가에 의해 플라즈마 상태로 여기된다. 상기 공정 챔버와 돔 사이에는 상기 돔을 지지하기 위한 돔 플랜지가 배치되며, 상기 돔 플랜지의 내부에는 냉매를 순환시킬 수 있는 냉각 채널이 구비된다. 상기 냉매의 순환에 의해 상기 돔 플랜지는 목적하는 온도로 일정하게 유지될 수 있으며, 이에 따라 상기 돔과 돔 플랜지 사이에 배치되는 가이드 링 및 밀봉 부재의 열 변형이 방지될 수 있으며, 상기 열 변형에 의해 야기될 수 있는 돔의 손상이 미연에 방지될 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020070010830A
公开(公告)日:2007-01-24
申请号:KR1020050065771
申请日:2005-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4412 , H01L21/67017
Abstract: A gas supply device and an apparatus for forming a thin film having the gas supply device are provided to effectively prevent reaction gas from remaining inside a vaporizer by changing inner structures of the vaporizer and a reaction gas emission line. A gas supply device includes a reaction solution supply unit(110), a spraying unit(120), a carrier gas supply unit(130), a vaporizer(140), a purge gas supply unit(150), and a reaction gas emitter(160). The reaction solution supply unit supplies reaction solution. The spraying unit converts the reaction gas into aerosol mist. The carrier gas supply unit supplies carrier gas into the spraying unit. The vaporizer is coupled with the spraying unit, vaporizes the aerosol mist, with which the carrier gas is mixed, and forms reaction gas. The purge gas supply unit supplies purge gas into the vaporizer, such that an inner pressure of the vaporizer is increased. The reaction gas emitter emits the reaction gas from the vaporizer.
Abstract translation: 提供一种气体供给装置和用于形成具有气体供给装置的薄膜的装置,以通过改变蒸发器和反应气体排放管线的内部结构来有效地防止反应气体残留在蒸发器内部。 气体供给装置包括反应溶液供给单元(110),喷射单元(120),载气供给单元(130),蒸发器(140),吹扫气体供给单元(150)和反应气体发生器 (160)。 反应溶液供应单元提供反应溶液。 喷雾单元将反应气体转化成气溶胶雾。 载气供给单元将载气供给到喷雾单元。 蒸发器与喷射单元联接,蒸发气雾,载气与之混合,形成反应气体。 吹扫气体供应单元将净化气体供应到蒸发器中,使得蒸发器的内部压力增加。 反应气体发射器从蒸发器发射反应气体。
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公开(公告)号:KR1020060134300A
公开(公告)日:2006-12-28
申请号:KR1020050053879
申请日:2005-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: A gas line connecting apparatus for use in semiconductor equipment is provided to allow a tool to easily come into contact with polygonal surfaces formed on outer surfaces of a double female nut. A first gland(110) is connected to a first gas line, and a second gland(120) is connected to a second gas line. A double female nut(130) has a first female nut(130a) and a second female nut(130b) which are integrally formed on a center shaft. The first female nut and the second female nut have a polygonal outer surface, respectively. A first opening is formed along the center shaft for receiving the first gland. A male nut(140) has a second opening receiving the second gland, and is engaged with the double female nut.
Abstract translation: 提供一种用于半导体设备的气体管线连接装置,以使工具容易地与形成在双母螺母的外表面上的多边形表面接触。 第一密封管(110)连接到第一气体管线,第二密封管(120)连接到第二气体管线。 双母螺母(130)具有一体地形成在中心轴上的第一阴螺母(130a)和第二阴螺母(130b)。 第一阴螺母和第二阴螺母分别具有多边形外表面。 沿着中心轴形成第一开口以接收第一压盖。 阳螺母(140)具有接收第二压盖的第二开口,并与双母螺母啮合。
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公开(公告)号:KR1020060133606A
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:KR1020050053274
申请日:2005-06-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02063 , H01L21/31111 , H01L21/324
Abstract: A contact hole cleaning method and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to prevent effect of an ammonium fluoride salt as a defect of the semiconductor device by removing the ammonium salt fluoride generated in an etching process. A substrate where a contact hole is formed is loaded into a chamber(I). A native oxide layer remained in the contact hole is etched by using NHxFy active ion formed in the chamber(II). Temperature in the chamber is raised from first temperature to second temperature to perform first thermal cracking on an ammonium fluoride salt generated in etching the native oxide layer(III). Second thermal cracking is performed on the ammonium fluoride salt remained in the first thermal cracking at the second temperature(IV). The substrate is unloaded from the chamber(VI).
Abstract translation: 提供接触孔清洁方法和使用其的半导体器件的制造方法,以通过除去在蚀刻工艺中产生的铵盐氟化物来防止氟化铵盐作为半导体器件的缺陷的影响。 将形成有接触孔的基板装载到室(I)中。 通过使用在室(II)中形成的NH x F y活性离子蚀刻留在接触孔中的自然氧化物层。 室中的温度从第一温度升高到第二温度,以在蚀刻天然氧化物层(III)中产生的氟化铵盐上进行第一热裂解。 在第二温度(IV)下,在第一热裂解中残留的氟化铵盐进行第二热裂解。 衬底从腔室(VI)中卸载。
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90.
公开(公告)号:KR100628568B1
公开(公告)日:2006-09-26
申请号:KR1020040090281
申请日:2004-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/06
CPC classification number: G03G15/0856 , G03G15/556
Abstract: 토너 카트리지에 수용된 토너 잔량을 측정하기 위한 토너 잔량 측정장치, 이를 구비한 화상형성장치 및 토너 잔량 측정방법이 개시된다. 본 발명에 따른 토너 잔량 측정장치는 토너 카트리지의 수명에 따라 가중치를 갖는 미리 설정된 복수의 보정 계수 중 하나를 선택하고 선택된 상기 보정 계수와, 카운트된 인쇄 데이터의 도트수를 사용하여 토너 잔량을 산출하는 제어부; 및 상기 제어부에 의해 산출된 토너 잔량이 업데이트되어 저장되는 토너잔량 데이터 메모리;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 수명에 따라 가중치를 갖는 보정계수를 적용하여 토너 잔량을 실제값에 가깝도록 측정할 수 있다.
토너 잔량, 토너 카트리지, 보정 계수, 수명, 전사효율
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