公开(公告)号：KR1020060134361A

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：KR1020050053981

申请日：2005-06-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호 ,  안병호 ,  김대옥 ,  김기석 ,  전교준 ,  전두한 ,  김영민 ,  주용규 ,  이광영

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45544

Abstract: A connecting assembly and an apparatus for depositing an atomic layer using the same are provided to substantially eliminate a dead zone by using a gasket, thereby effectively suppressing adhesion of particles onto an inner wall of pipeline. A connecting assembly includes a fastening member enclosing a circumference of pipeline(131,132) which provides a flow path of a fluid, to keep ends of the pipeline closely, and a gasket(150) interposed between ends of the pipeline for suppressing damage of the ends. A center portion of the gasket protrudes to come into contact with the flow path. An inner diameter of the pipeline is enlarged at a portion adjacent to the end, and the gasket has a funnel shape to come in contact with the enlarged portion.

Abstract translation: 提供连接组件和使用其的沉积原子层的装置，以通过使用垫圈基本上消除死区，从而有效地抑制颗粒在管道内壁上的粘附。 连接组件包括封闭管道周边的紧固构件（131,132），其提供流体的流动路径，以保持管道的端部紧密;以及插入在管道的端部之间的垫圈（150），用于抑制端部的损坏 。 垫圈的中心部分突出以与流动路径接触。 管道的内径在与端部相邻的部分处扩大，并且垫圈具有与扩大部分接触的漏斗形状。

公开(公告)号：KR1020070038294A

公开(公告)日：2007-04-10

申请号：KR1020050093468

申请日：2005-10-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호 ,  하상철 ,  전교준 ,  이광영 ,  김영민 ,  전두한

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/4412

Abstract: 원자층 적층을 수행하기 위한 챔버 내부에 반도체 기판을 위치시킨다. 그리고, 상기 원자층 적층을 수행하기 위한 주-공정을 수행하기 이전에 상기 챔버 내부에 아르곤 가스, 질소 가스 등과 같은 불활성 가스를 포함하는 제1 퍼지 가스를 제공한다. 이때, 상기 제1 퍼지 가스는 후속되는 제1 반응 가스를 제공하는 시간에 비해 충분히 장시간에 걸쳐 제공하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 상기 제1 퍼지 가스를 장시간에 걸쳐 제공할 때 상기 제1 퍼지 가스가 경유하는 부재들 즉, 밸브, 유량 제어기 등을 점검한다. 그리고, 상기 부재들의 점검에 근거하여 상기 제1 퍼지 가스가 상기 챔버 내부로 이상 없이 제공되는 가를 확인한다. 상기 확인 결과, 상기 제1 퍼지 가스가 상기 챔버 내부로 이상 없이 제공될 경우에 한정하여 후속되는 주-공정을 수행한다.

公开(公告)号：KR1020070012893A

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：KR1020050067113

申请日：2005-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광영 ,  김대옥 ,  김기석 ,  강성호 ,  김영민 ,  전두한

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01L21/67069

Abstract: A shower head is provided to firmly fix a shower nozzle to a manifold by increasing the area of a bracket(300a) for connecting a shower head to a manifold such that the bracket is located between the shower head and the manifold. A shower nozzle(200) injects etchant to the upper surface of a wafer in a chamber, including a body(220) and a pipe connection part(210) protruding from the body. A manifold(100) is fixed to the chamber, separated from the shower nozzle and having a hole(100a) into which the pipe connection part is inserted. A bracket is positioned between the manifold and the body of the shower nozzle to fix the shower nozzle to the manifold, including first and second connection parts(310a,320). The first connection part separates the shower nozzle from the manifold by a predetermined distance, and the second part is positioned on the lateral surface of the body to fix the shower nozzle. A pipe(400) supplies the etchant to the shower nozzle, connected to the pipe connection part. The second connection part is fixed to the body by a bolt. The bracket includes quartz.

Abstract translation: 提供淋浴喷头以通过增加用于将喷头连接到歧管的支架（300a）的面积来将喷淋头牢固地固定在歧管上，使得支架位于淋浴头和歧管之间。 淋浴喷嘴（200）在包括主体（220）和从主体突出的管连接部分（210）的腔室中的晶片的上表面上注入蚀刻剂。 歧管（100）固定到腔室，与淋浴喷嘴分离并具有孔（100a），管连接部分插入其中。 支架定位在歧管和淋浴喷嘴的主体之间，以将淋浴喷嘴固定到歧管，包括第一和第二连接部分（310a，320）。 第一连接部分将淋浴喷嘴与歧管隔开预定距离，并且第二部分位于主体的侧表面上以固定淋浴喷嘴。 管道（400）将蚀刻剂供应到连接到管连接部分的淋浴喷嘴。 第二连接部通过螺栓固定在主体上。 支架包括石英。

公开(公告)号：KR1020060124816A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：KR1020050044346

申请日：2005-05-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류정도 ,  박영욱 ,  김봉현 ,  강만석 ,  이광영 ,  전두한 ,  김영민 ,  장병현 ,  김대옥

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01J37/32871

Abstract: A substrate processing apparatus using plasma is provided to form a layer with uniform density and thickness on the entire region of a substrate by plasma source gas by improving the uniformity of nitrogen plasma acting upon the layer formed on the substrate. Gas of a plasma state is supplied to a reaction chamber to process the surface of a semiconductor substrate, and a plasma treatment is performed in the reaction chamber. A heater heats the substrate to a process temperature, installed in the reaction chamber and supporting the substrate. A space between the outer wall of the heater and the inner wall of the reaction chamber is sufficiently covered with a heater cover(140). Reaction byproducts and unreacted gas that are generated during the plasma treatment are exhausted by a plurality of exhaust holes(146) formed in the heater cover. The exhaust holes can be formed as a circular type along the upper surface of the heater cover.

Abstract translation: 提供使用等离子体的基板处理装置，通过提高作用于形成在基板上的层的氮等离子体的均匀性，通过等离子体源气体在基板的整个区域上形成均匀的密度和厚度的层。 将等离子体状态的气体供给到反应室以处理半导体基板的表面，并且在反应室中进行等离子体处理。 加热器将基板加热到安装在反应室中并支撑基板的工艺温度。 加热器的外壁和反应室的内壁之间的空间被加热器盖（140）充分地覆盖。 在等离子体处理期间产生的反应副产物和未反应气体被形成在加热器盖中的多个排气孔（146）排出。 排气孔可以沿着加热器盖的上表面形成为圆形。

公开(公告)号：KR101867364B1

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：KR1020120000357

申请日：2012-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양철규 ,  이석민 ,  장철영 ,  손동민 ,  안병호 ,  전두한 ,  주용규 ,  하상철

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/45587 ,  H01L21/67109

Abstract: 배치타입반도체장치는, 원통형로 형상을갖는튜브가구비된다. 복수의기판이적재되는보트가구비된다. 통형상을갖고내부에반응가스가유입되는홀을포함하고, 하단부위인제1 부분과상단부위인제2 부분을포함하는가스노즐이구비된다. 상기가스노즐의제1 부분이삽입구내부로삽입하여결합되고, 금속합금재질로이루어지는체결부재가구비된다. 상기체결부재의하부면및 상기가스노즐의홀 부위를통과하여연장되는가스이송파이프가구비된다. 상기튜브의하단부에는가스이송파이프의수평연장부와결합하여상기가스노즐을상기튜브에장착하는장착부재가구비된다. 상기배치타입반도체장치는가스노즐의취급및 교체가용이하다.

公开(公告)号：KR1020070053376A

公开(公告)日：2007-05-25

申请号：KR1020050111077

申请日：2005-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김대옥 ,  이석민 ,  김기석 ,  강성호 ,  이광영 ,  김명진 ,  김영민 ,  이용선 ,  전두한

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67248

Abstract: 기판 가공 장치는 챔버에 수직 방향으로 적층되도록 다수의 기판을 수용하고, 히터부는 챔버의 외측면에 높이에 따라 배치되는 다수개의 히터를 포함한다. 히터부는 챔버 내부의 상부 및 하부의 온도를 보상하여 높이에 따라 가열 정도를 달리한다. 히터부는 챔버의 외측면 중앙 부위에서 상기 외측면의 상방 및 하방으로 갈수록 히터들의 열효율이 커지거나 히터들의 크기가 커진다. 따라서 기판들을 실질적으로 균일하게 가열할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070038262A

公开(公告)日：2007-04-10

申请号：KR1020050093370

申请日：2005-10-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호 ,  하상철 ,  안병호 ,  이광영 ,  전두한

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4408

Abstract: 반도체 디바이스의 제조 중에서 원자층 적층을 수행하여 반도체 기판 상부에 박막을 형성할 때 사용하는 장치로서, 한 묶음의 반도체 기판들을 수용하는 반응 공간을 갖는 반응 챔버와, 반응 물질들을 제공하기 위한 반응 물질 제공부 등을 포함한다. 상기 반응 물질 제공부는 상기 반응 물질들이 제공되는 유량을 제어하기 위한 유량 제어기와, 상기 반응 물질들을 기화시키기 위한 기화기 및 상기 반응 물질들을 상기 반응 챔버로 제공하는 선택 밸브를 포함한다. 특히, 상기 원자층 적층 장치는 상기 기화기 내부에 상기 반응 물질들이 잔류할 때 상기 기화기 내부에 세정 물질을 제공하여 상기 기화기 내부에 잔류하는 반응 물질들을 외부로 배출시켜 제거하는 세정 물질 제공부를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020130079710A

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：KR1020120000357

申请日：2012-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양철규 ,  이석민 ,  장철영 ,  손동민 ,  안병호 ,  전두한 ,  주용규 ,  하상철

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/45587 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A batch type semiconductor device is provided to easily mount a gas nozzle by combining a coupling member and a transfer pipe with the gas nozzle. CONSTITUTION: A tube (102) has the shape of a cylindrical furnace. A boat (104) loads a plurality of substrates. A gas nozzle (110) is vertically arranged in the tube and provides gases to the substrates. A coupling member (114) is made of a metal alloy material whose intensity is higher than the intensity of the gas nozzle. A gas transfer pipe (112) provides reactive gases from the outside to the gas nozzle. A mounting member (116) mounts the gas nozzle inside the tube.

Abstract translation: 目的：提供一种批量型半导体器件，通过将耦合部件和传输管与气体喷嘴组合来容易地安装气体喷嘴。 构成：管（102）具有圆柱形炉的形状。 船（104）装载多个基板。 气体喷嘴（110）垂直地布置在管中并且向衬底提供气体。 联接构件（114）由其强度高于气体喷嘴的强度的金属合金材料制成。 气体输送管（112）从外部向气体喷嘴提供反应性气体。 安装构件（116）将气体喷嘴安装在管内。

公开(公告)号：KR1020070044142A

公开(公告)日：2007-04-27

申请号：KR1020050100127

申请日：2005-10-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전두한 ,  김대옥 ,  김기석 ,  이광영 ,  김영민 ,  강성호

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/32513 ,  H01L21/67069

Abstract: 플라즈마를 이용하여 기판을 가공하는 장치에 있어서, 상기 가공에 사용되는 반응 가스는 공정 챔버의 상부에 배치되는 돔 내부로 공급되며, 상기 돔 내부에서 고주파 파워 인가에 의해 플라즈마 상태로 여기된다. 상기 공정 챔버와 돔 사이에는 상기 돔을 지지하기 위한 돔 플랜지가 배치되며, 상기 돔 플랜지의 내부에는 냉매를 순환시킬 수 있는 냉각 채널이 구비된다. 상기 냉매의 순환에 의해 상기 돔 플랜지는 목적하는 온도로 일정하게 유지될 수 있으며, 이에 따라 상기 돔과 돔 플랜지 사이에 배치되는 가이드 링 및 밀봉 부재의 열 변형이 방지될 수 있으며, 상기 열 변형에 의해 야기될 수 있는 돔의 손상이 미연에 방지될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070010830A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020050065771

申请日：2005-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호 ,  하상철 ,  최재형 ,  김대옥 ,  김기석 ,  박홍범 ,  전두한 ,  김영민 ,  이태종 ,  양철규 ,  이광영

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/67017

Abstract: A gas supply device and an apparatus for forming a thin film having the gas supply device are provided to effectively prevent reaction gas from remaining inside a vaporizer by changing inner structures of the vaporizer and a reaction gas emission line. A gas supply device includes a reaction solution supply unit(110), a spraying unit(120), a carrier gas supply unit(130), a vaporizer(140), a purge gas supply unit(150), and a reaction gas emitter(160). The reaction solution supply unit supplies reaction solution. The spraying unit converts the reaction gas into aerosol mist. The carrier gas supply unit supplies carrier gas into the spraying unit. The vaporizer is coupled with the spraying unit, vaporizes the aerosol mist, with which the carrier gas is mixed, and forms reaction gas. The purge gas supply unit supplies purge gas into the vaporizer, such that an inner pressure of the vaporizer is increased. The reaction gas emitter emits the reaction gas from the vaporizer.

Abstract translation: 提供一种气体供给装置和用于形成具有气体供给装置的薄膜的装置，以通过改变蒸发器和反应气体排放管线的内部结构来有效地防止反应气体残留在蒸发器内部。 气体供给装置包括反应溶液供给单元（110），喷射单元（120），载气供给单元（130），蒸发器（140），吹扫气体供给单元（150）和反应气体发生器 （160）。 反应溶液供应单元提供反应溶液。 喷雾单元将反应气体转化成气溶胶雾。 载气供给单元将载气供给到喷雾单元。 蒸发器与喷射单元联接，蒸发气雾，载气与之混合，形成反应气体。 吹扫气体供应单元将净化气体供应到蒸发器中，使得蒸发器的内部压力增加。 反应气体发射器从蒸发器发射反应气体。