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公开(公告)号：KR1020150074564A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020130162460
申请日：2013-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F21/44 , G06F3/061 , G06F3/0641 , G06F3/067 , G06F12/0871 , G06F21/64 , G06F2212/1052 , G06F2212/1056
Abstract: 데이터중복제거를수행할수 있는데이터저장장치의동작방법은호스트로부터출력된제1명령과라이트데이터를수신하고, 상기제1명령에응답하여상기라이트데이터를휘발성메모리에저장하는단계와, 상기호스트로부터출력된제2명령에응답하여상기휘발성메모리에저장된상기라이트데이터를불휘발성메모리에라이트하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于操作能够进行数据重复数据删除的数据存储设备的方法，包括以下步骤：接收第一命令并写入从主机输出的数据，响应于第一命令并将写数据保存在 易失记录; 并响应从主机输出的第二命令，并将保存在易失性存储器中的写数据写入非易失性存储器。
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公开(公告)号：KR1020150010150A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130084748
申请日：2013-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0871 , G06F2212/702 , Y02D10/13
Abstract: 메모리 시스템의 동작 방법이 개시된다. 상기 메모리 시스템의 동작 방법은 명령들이 실행됨에 따라 더티 캐시 라인들을 데이터 캐시에서 휘발성 메모리 장치로 출력하는 단계, 및 상기 휘발성 메모리 장치에서 불휘발성 메모리 장치로 상기 불휘발성 메모리 장치의 페이지 사이즈와 같은 사이즈만큼 상기 더티 캐시 라인들을 출력하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种能够降低功耗的存储系统的操作方法。 存储器系统的操作方法包括以下步骤：当执行命令时，将数据高速缓存行从数据高速缓存输出到易失性存储器件; 以及将具有非易失性存储器件的页面大小的脏高速缓存行从易失性存储器件输出到非易失性存储器件。
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公开(公告)号：KR101464256B1
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020080055639
申请日：2008-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명에 따른 메모리 시스템은 메모리 셀의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 데이터(이하, 보상 데이터라 함)를 저장하는 플래시 메모리; 및 상기 플래시 메모리의 온도 변화를 감지하고, 상기 보상 데이터에 따라 상기 플래시 메모리의 문턱 전압 보상 값을 조절하는 메모리 컨트롤러를 포함한다. 온도 센서는 상기 플래시 메모리의 온도를 측정하고, 측정된 온도를 기준으로 온도 구간(temperature boundary)을 설정한다. 상기 온도 센서는 상기 플래시 메모리의 동작 시에, 상기 플래시 메모리의 온도가 상기 온도 구간을 벗어나는 경우에, 이벤트 신호를 발생한다. 상기 메모리 컨트롤러는 상기 온도 센서에서 발생하는 이벤트 신호에 응답하여 상기 플래시 메모리의 문턱 전압 변화를 보상한다.
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公开(公告)号：KR1020120064462A
公开(公告)日：2012-06-19
申请号：KR1020100125710
申请日：2010-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1012
Abstract: PURPOSE: A memory controller is provided to use a plurality of ECC data generated through same algorism for correcting errors of lead data, thereby collecting more error bit number without over design. CONSTITUTION: A memory controller comprises: a control unit(22) analyzing read data from a memory device(40) and a first ECC data according to the lead data about the lead data. In case an error bit number of the lead data is larger than the error bit number capable of being collected by using the first ECC data, the control unit generates a plurality of sub data from a write data supposed to be written in the memory device. In order to correcting each error of the plurality of sub data, ECC block(24) generates the first ECC data and the second ECC data by the use of same algorism.
Abstract translation: 目的：提供存储器控制器以使用通过相同的算法产生的多个ECC数据来校正引导数据的错误，从而收集更多的错误位数而不需要过度设计。 构成：存储器控制器包括：根据关于引导数据的引导数据，分析来自存储器件（40）的读取数据和第一ECC数据的控制单元（22）。 在引导数据的错误位数大于能够通过使用第一ECC数据被收集的错误位数的情况下，控制单元从应该写入存储器件的写入数据生成多个子数据。 为了校正多个子数据的每个错误，ECC块（24）通过使用相同的算法生成第一ECC数据和第二ECC数据。
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公开(公告)号：KR1020090046567A
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020070112791
申请日：2007-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0644 , G06F3/061 , G06F3/0679
Abstract: 본 발명에 따른 반도체 디스크는 사용자 데이터와 메타 데이터를 저장하도록 구성된 저장 매체와; 그리고 상기 저장 매체를 제어하도록 구성된 컨트롤러를 포함하며, 쓰기 동작이 외부로부터 요청될 때, 상기 컨트롤러는 상기 요청된 쓰기 동작이 상기 메타 데이터와 관련된 것인 지의 여부를 판별하도록 그리고 판별 결과에 따라 선택적으로 상기 사용자 데이터의 맵핑 정보를 갱신하도록 구성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090017238A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020070081832
申请日：2007-08-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0605 , G06F3/0604 , G06F3/0647 , G06F3/0649 , G06F3/0658 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F12/08 , G06F2003/0697 , G06F2212/7202 , G11C11/56 , G11C16/10
Abstract: A semiconductor drive, a data storing method and a computing system including the same are provided to improve the overall write performance by storing the data in the low speed nonvolatile memory managed to the block mapping mode. The command for the write operation, and the address and data are input to an SSD controller from host(100). The inputted data is temporarily stored in the memory. The SSD controller determines whether the data inputted based on the write count value is the hot data or the cold data(110). In case the inputted data are confirmed as hot data, the inputted data are stored in the first layer of the storage media. In case the inputted data are classified as cold data, the inputted data are stored in the second layer of the storage media.
Abstract translation: 提供半导体驱动器，数据存储方法和包括该半导体驱动器的计算系统，以通过将数据存储在管理到块映射模式的低速非易失性存储器中来提高整体写入性能。 写入操作的命令以及地址和数据从主机（100）输入到SSD控制器。 输入的数据被暂时存储在存储器中。 SSD控制器确定基于写入计数值输入的数据是热数据还是冷数据（110）。 在输入数据被确认为热数据的情况下，输入的数据被存储在存储介质的第一层中。 在输入数据被分类为冷数据的情况下，输入的数据被存储在存储介质的第二层中。
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公开(公告)号：KR100876084B1
公开(公告)日：2008-12-26
申请号：KR1020070014980
申请日：2007-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박찬익
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0623 , G06F3/0652 , G06F3/0679 , G06F12/14 , G06F17/30117 , G06F2212/1052 , G06F2212/7209
Abstract: A data processing system that includes a host system and an external data storage device with an erase before write memory device thereon can be operated by sending a file delete command from the host to the data storage device for one or more files stored thereon. The file delete command may specify a logical address and data to be invalidated associated with the deleted file. The data storage device may identify one or more units of memory allocation in the erase before write memory as containing invalid data based on the specified logical address and data to be invalidated. The data storage device may maintain a data structure that associates physical addresses for units of memory allocation in the erase before write memory with indications of whether the units of memory allocation contain invalid data. The data structure may be used to mark units of memory allocation associated with deleted files as containing invalid data.
Abstract translation: 包括主机系统和在其上写入存储器设备之前进行擦除的外部数据存储设备的数据处理系统可以通过从主机向数据存储设备发送文件删除命令以对其上存储的一个或多个文件进行操作。 文件删除命令可以指定与被删除的文件相关联的逻辑地址和要失效的数据。 数据存储设备可以基于指定的逻辑地址和要失效的数据，将写入存储器之前的擦除中的存储器分配的一个或多个单元识别为包含无效数据。 数据存储设备可以维护数据结构，该数据结构在写入存储器之前将存储器分配单元的物理地址与存储器分配单元是否包含无效数据的指示相关联。 该数据结构可以用于标记与被删除文件相关联的存储器分配单元作为包含无效数据。
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公开(公告)号：KR100854032B1
公开(公告)日：2008-08-26
申请号：KR1020070013894
申请日：2007-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0605 , G06F3/0643 , G06F3/0679 , G11C2211/5641
Abstract: 본 발명에 따른 메모리 시스템의 데이터 저장 방법은: (a) 데이터를 필터링하는 단계; (b) 상기 필터링에 근거하여 상기 데이터가 복수의 서로 다른 메모리 영역 중 어느 하나에 저장될지 여부를 판단하는 단계; 및 (c) 상기 판단 결과에 따라 상기 데이터를 저장하는 단계를 포함하되, 상기 (b) 단계 이후, 상기 데이터는 상기 판단 결과에 대한 정보를 포함한다.
태그, 데이터-
公开(公告)号：KR1020080040426A
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：KR1020060108382
申请日：2006-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/04
CPC classification number: G06F3/0643 , G06F3/0613 , G06F3/0616 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F3/068 , G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7211 , G11C2211/5641 , G11C11/56
Abstract: A non-volatile memory system storing data in a single-level cell or a multi-level cell according to the characteristics of data is provided to improve the performance of the system, by selecting a region to store data among the single-level cell and the multi-level cell according to the characteristics of the data. A non-volatile memory cell array(190) includes a number of multi-level cells(MLC) and a number of single-level cells(SLC). An interface part(120) analyzes the characteristics of write data received from an application(110) or a file system(130). A flash transition layer(150) determines whether to write the write data in the multi-level cell or the single-level cell, by using the characteristics of the write data. The interface part is located on an equal layer where the application and the file system are formed.
Abstract translation: 提供了根据数据特性将数据存储在单级单元或多级单元中的非易失性存储器系统，以通过选择在单级单元和单级单元之间存储数据的区域来提高系统的性能 多级单元根据数据的特点。 非易失性存储单元阵列（190）包括多个多电平单元（MLC）和多个单电平单元（SLC）。 接口部分（120）分析从应用（110）或文件系统（130）接收的写数据的特性。 闪存转移层（150）通过使用写入数据的特性来确定是否将写入数据写入多级单元或单级单元。 接口部分位于形成应用程序和文件系统的相等层上。
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公开(公告)号：KR100817087B1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：KR1020070015089
申请日：2007-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0866 , G06F2212/214 , G06F2212/7201 , G11C16/06
Abstract: A method for operating a buffer cache of a storage device including a flash memory is provided to improve operation characteristics of the storage device more rapidly, by comprising an efficient DRAM buffer cache search algorithm for the flash memory as using a look-up table having position information for the region where a page is located. According to a method for operating a buffer cache of a storage device including a flash memory, a logic block address(LBA) requested from a host is converted into a logic page number. The region where a page corresponding to the logic page number is located is searched. A physical block address corresponding to the logic block address is generated by referring to a mapping table of the region where the page is located. The region where the page is located is searched. A look-up table(400) having information about the region where pages of the flash memory are located is searched.
Abstract translation: 提供了一种用于操作包括闪速存储器的存储设备的缓冲器高速缓存的方法，通过包括用于闪速存储器的有效DRAM缓冲器高速缓存高速缓存搜索算法，使用具有位置的查找表来提高存储设备的操作特性 页面所在地区的信息。 根据用于操作包括闪存的存储设备的缓冲器高速缓存的方法，将从主机请求的逻辑块地址（LBA）转换为逻辑页号。 搜索与逻辑页码对应的页面所在的区域。 通过参考页面所在的区域的映射表来生成对应于逻辑块地址的物理块地址。 搜索页面所在的区域。 搜索具有关于闪存的页面所在的区域的信息的查找表（400）。
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