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公开(公告)号：KR1020020072035A
公开(公告)日：2002-09-14
申请号：KR1020010011988
申请日：2001-03-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76829 , H01L21/32051
Abstract: PURPOSE: A formation method of a contact is provided to prevent an interlayer dielectric damage caused by a stress by forming a crack prevention layer to lessen or absorb the stress. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(104) is formed on a semiconductor substrate(100) formed with a lower conductive layer(102). Then, a crack prevention layer(106) made of an insulating material is formed on the entire surface of the resultant structure. A contact hole is formed by etching the interlayer dielectric(104) and the crack prevention layer(106) so as to expose the lower conductive layer(102). A conductive layer(114) for forming a contact plug is deposited on the resultant structure to completely fill the contact hole. Then, the conductive layer(114) is polished.
Abstract translation: 目的：提供接触的形成方法，以通过形成防裂层来防止由应力引起的层间介电损伤，以减轻或吸收应力。 构成：在形成有下导电层（102）的半导体衬底（100）上形成层间电介质（104）。 然后，在所得结构的整个表面上形成由绝缘材料制成的防裂层（106）。 通过蚀刻层间电介质（104）和防裂层（106）以暴露下导电层（102）形成接触孔。 用于形成接触塞的导电层（114）沉积在所得结构上以完全填充接触孔。 然后，抛光导电层（114）。
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公开(公告)号：KR1020010097639A
公开(公告)日：2001-11-08
申请号：KR1020000021896
申请日：2000-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박희숙
IPC: H01L21/20
Abstract: 원자층 증착에 의한 산화알루미늄막을 이용한 구리배선 형성방법에 관해 개시한다. 본 발명은 구리배선에 사용되는 저유전막 표면에 원자층 증착에 의한 산화알루미늄막을 형성시킴으로써, 절연막 표면에 노출된 탄소성분을 제거하여 구리배선과 절연막 사이의 접착력을 강화시키고, 동시에 절연막의 유전 특성이 변하는 것을 방지하고, 상기 산화알루미늄막이 후속공정에서 마스크층 및 연마저지층의 역할을 할 수 있도록 한다.
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公开(公告)号：KR1020000019184A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980037158
申请日：1998-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768
Abstract: PURPOSE: A method for applying HSQ(hydrogen silsesquioxane) to a high topology metal wiring of semiconductor device applies HSQ material on all IMD layer even in a pattern having a lower pattern topology of 1 micro-meter over. CONSTITUTION: A method forms(10) a part to be a metal wiring by using a dry etching process on a semiconductor substrate, forms(12) an insulation layer on the part, forms(14) HSQ(hydrogen silsesquioxane) layer on the insulation layer, and forms(16) again the insulation layer on HSQ layer. Thereby, a performance of a semiconductor(over 4-metal) requiring a low dielectric layer is enhanced.
Abstract translation: 目的：将HSQ（氢倍半硅氧烷）应用于半导体器件的高拓扑金属布线的方法，即使在具有1微米以上的较低图案拓扑的图案中，也可在所有IMD层上施加HSQ材料。 方法：一种方法通过在半导体衬底上的干蚀刻工艺形成（10）成为金属布线的部分，在该部分上形成（12）绝缘层，在绝缘层上形成（14）HSQ（氢倍半硅氧烷）层 层，并再次形成（16）HSQ层上的绝缘层。 由此，提高了需要低介电层的半导体（超过4金属）的性能。
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公开(公告)号：KR100243279B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970002977
申请日：1997-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 폴리머(Polymer)를 금속 배선 사이의 절연물질로 사용하는 금속 배선의 층간절연막 형성방법에 관하여 개시하고 있다. 이를 위하여 본 발명은, 금속배선이 밀집된 영역과, 금속배선이 없는 영역을 갖는 반도체 기판의 금속배선의 층간절연막 형성방법에 있어서, 하부막이 형성된 반도체 기판 상에 금속 배선을 형성하는 단계와, 상기 결과물의 상에 캡핑층용 절연막을 증착하고 상기 하부막의 일부를 과도식각(over etching)하여 상기 금속배선의 상부에 캡핑층을 형성하는 단계와, 상기 결과물 상에 유기폴리머로 된 제1 절연막을 형성하는 단계와, 상기 금속배선이 밀집된 영역에서는 캡핑층이 노출되고, 없는 영역에서는 하부막이 드러날 때까지 상기 제1 절연막을 식각하는 단계와, 상기 제1 절연막의 식각이 끝난 반도체 기판의 전면에 제2 절연막을 증착하는 단계와, 상기 제2 절연막의 단차를 평탄화하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 배선의 층간절� ��막 형성방법을 제공한다. 따라서, 기존의 층간절연막인 산화막보다 저유전성이 우수한 유기 폴리머(Polymer)를 금속 배선의 층간 절연막으로 사용하여 금속 배선 사이의 기생 커패시턴스를 없애고, 배선용량을 효과적으로 낮출수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980040636A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960059860
申请日：1996-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 평탄화 방법에 관해 개시한다.
본 발명의 실시예에서는 기판상에 형성된 적층물 상에 형성하는 절연물질의 두께를 적층물의 폭에 무관하게 균일하게 형성할 수 있다. 따라서 상기 적층물에 동일한 깊이의 비어홀을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 상기 적층물의 계면에 완전한 비어홀을 형성할 수도 있으므로 각 비어 홀을 채우는 도전성 물질층사이의 저항값이 거의 차이가 나지 않게 할 수 있고 따라서 장치가 동작할 때 에라가 발생되는 것을 최소화할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1020170030708A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020150127786
申请日：2015-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L28/75
Abstract: 본발명은커패시터및 이를포함하는반도체소자에관련된것으로, 더욱상세하게는하부전극; 상기하부전극상에배치된유전막; 및상기유전막상에배치된상부전극을포함한다. 상기상부전극은상기유전막상의제1 전극및 상기제1 전극상의제2 전극을포함하며, 상기제1 전극은금속산화질화물(MON)을포함하고, 상기제1 전극의금속(M)과산소(O)의원자비(y/x)는 0.5 내지 2이다.
Abstract translation: 电容器和包括该电容器的半导体器件技术领域本发明涉及电容器和包括该电容器的半导体器件，并且更具体地， 介电层设置在下电极上; 以及设置在介电膜上的上电极。 其中，上电极包括介电膜上的第一电极和第一电极上的第二电极，第一电极包括金属氧氮化物（MON），并且第一电极的金属（M）和氧 （O）
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公开(公告)号：KR101556238B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020090012973
申请日：2009-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/20
CPC classification number: H01L27/10891
Abstract: 선택적증착법을이용한매립형배선라인을구비하는반도체소자의제조방법을개시한다. 반도체기판에트렌치를형성한다. 제1도전막을상기트렌치의측면및 저면에형성한다. 상기트렌치에매립되도록제2도전막을선택적증착법을이용하여상기제1도전막상에선택적으로형성한다. 상기제2도전막을형성하는것은무전해도금법을이용하여형성하는것 또는 MOCVD 또는 ALD 증착법을이용하여형성하는것을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101516157B1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：KR1020080037556
申请日：2008-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/42324 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/10873 , H01L29/4941 , H01L29/517
Abstract: 게이트구조물은기판상의게이트절연막, 게이트절연막상의폴리실리콘막, 폴리실리콘막상의오믹막, 오믹막상의확산방지막, 확산방지막상의비정질막및 비정질막상의금속막을포함한다. 게이트구조물은낮은면저항및 우수한열적안정성을갖는다.
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公开(公告)号：KR1020150027363A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020130104386
申请日：2013-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76831 , H01L21/76889 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/53209 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10888 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 반도체 소자에 따르면, 스토리지 노드 콘택 플러그의 측벽을 덮는 스페이서는 식각 손상이 많은 제 1 부분과 식각 손상이 상대적으로 적은 제 2 부분 사이의 경계와 콘택 플러그의 금속 실리사이드층이 이격되어 있다. 이로써 반도체 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 根据半导体器件，在覆盖接触插塞的侧壁的间隔件中，相对较多损坏的第一部分与较少损坏的第二部分之间的边界与接触插塞的金属硅化物层间隔开。 因此，可以提高半导体器件的可靠性。
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