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公开(公告)号：KR101822169B1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：KR1020160163626
申请日：2016-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/23238 , G03B37/04 , G06F3/013 , H04N5/232 , H04N5/23216 , H04N5/23293 , H04N5/2353 , H04N5/247 , H04N9/045
Abstract: 파노라마영상을제공하는전자장치및 그제어방법이개시된다. 본발명에따른전자장치에서파노라마영상을생성하기위한방법은, 복수의카메라로부터촬영된영상들의촬영설정값을획득하는단계, 획득한촬영설정값에기초하여복수의카메라중 적어도하나에적용할촬영설정값을재설정하는단계및 재설정된촬영설정값을바탕으로복수의카메라에서촬영된영상들을이용하여파노라마영상을생성하는단계를포함한다. 이에따라, 전자장치는복수의카메라로부터촬영된영상으로부터전체적으로자연스러운파노라마영상을생성할수 있다.
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公开(公告)号：KR101685021B1
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020100077087
申请日：2010-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
Abstract: 반도체소자의제조방법을제공한다. 기판에도전성패턴을형성한다. 상기도전성패턴을노출하는콘택홀을가진절연층을형성한다. 상기콘택홀의측벽및 상기도전성패턴상에하부전극을형성한다. 상기하부전극상에저항성패턴을형성한다. 상기저항성패턴및 상기하부전극은상기절연층의상부표면보다낮다. 상기하부전극및 상기저항성패턴상에데이터저장플러그를형성한다. 상기데이터저장플러그는상기하부전극의측벽에정렬된제1 측벽및 상기저항성패턴의측벽에정렬된제2 측벽을갖는다. 상기데이터저장플러그상에비트라인을형성한다.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成具有自对准插塞的半导体器件的方法，以通过在半导体衬底上形成多个底部电极结构和数据存储插头来形成具有优异电特性的存储器件。 构成：形成具有接触孔的绝缘层。 底部电极（51R）形成在接触孔的侧壁上和导电图案上。 底部电极包括上部和下部，以便于L形的纵向截面。 电阻率图案（53R）形成在底部电极上。 底部电极和电阻率图形比绝缘层的上表面低。 在底部电极和电阻率图案上形成数据存储插头（61）。 在数据存储插头上形成位线（67）。
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公开(公告)号：KR1020160071803A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：KR1020140179404
申请日：2014-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01S5/0036 , G01S5/0242 , G01S5/06 , G01S5/14 , H04W64/00 , G01S5/02 , G01S11/06 , G01S19/10 , Y02E10/52
Abstract: 본발명의다양한실시예에따르면, 위치를추정하는방법은, 전자장치에서상기전자장치와송신단간의거리와비례관계에있는시간정보를포함하는송신단정보를송신단으로부터수집하는동작과, 상기송신단정보를수집한지점에대한상기전자장치의위치정보를획득하는동작과, 상기송신단의위치를추정하는데 이용될수 있도록상기송신단정보및 상기위치정보를서버로전송하는동작을포함할수 있으며, 다양한실시예가가능하다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，一种用于估计位置的方法包括：在电子设备中收集包括与电子设备与传输端之间的距离成比例的时间信息的发送结束信息的步骤; 获取关于收集发送结束信息的点的电子设备的位置信息的步骤; 以及将发送结束信息和位置信息发送到服务器以利用发送结束信息和位置信息来估计发送端的位置的步骤。 各种实施例是可能的。 根据本发明，使用定时提前（TA）来估计基站的位置，从而克服由于接收性能，接收环境等引起的问题。
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公开(公告)号：KR1020160061048A
公开(公告)日：2016-05-31
申请号：KR1020140163468
申请日：2014-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W24/08 , H04L47/27 , H04L61/2007 , H04L61/6022 , H04W48/20 , H04W84/12 , H04W88/08 , H04W48/16 , H04W24/00 , H04W74/0866
Abstract: 본발명의다양한실시예는전자장치에서무선랜 서비스를제공하기위한장치및 방법에관한것이다. 이때, 전자장치는, 무선랜 서비스를위한신호를송수신하는통신인터페이스와상기통신인터페이스를이용하여채널스캔정보에기반하여다수개의채널들을선택하고, 상기다수개의채널들중 적어도하나의채널에대응하는적어도하나의 AP(access point)에접속하고, 상기적어도하나의 AP와의접속을유지한상태에서상기다수개의채널들을모니터링하는프로세서를포함할수 있다. 다른실시예들도가능할수 있다.
Abstract translation: 本发明的各种实施例涉及一种用于在电子设备中提供无线LAN服务的设备和方法。 电子设备包括：用于无线LAN服务的发送/接收信号的通信接口; 以及通过使用所述通信接口来选择基于信道扫描信息的多个信道的处理器，连接到与所述多个信道中的至少一个信道相对应的至少一个接入点（AP），并且在保持连接的同时监视所述多个信道 与至少一个AP。 可以实现其他实施例。
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85.发明公开
公开(公告)号：KR1020150009875A
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：KR1020130084362
申请日：2013-07-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조성래
Abstract: 본 발명은 실시 예는 기지국을 제어하는 기지국 제어 장치에 관한 것으로, 기지국으로부터 상기 기지국의 적어도 하나의 인접 기지국들 중 미리 설정된 조건을 만족하는 인접 기지국을 나타내는 식별 정보를 수신하는 무선 통신 처리부; 및 기지국 제어 장치가 제어하는 복수의 기지국들에 대해 임의의 값을 할당하고, 각 기지국에 할당된 임의의 값과 상기 기지국의 적어도 하나의 인접 기지국에 할당된 임의의 값을 비교하여, 상기 기지국의 서비스 활성 여부를 판단하며, 상기 판단 결과에 따라 상기 각 기지국의 서비스 활성 여부를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及用于控制基站的基站控制装置。 基站控制装置包括：无线通信处理部，其在一个基站的多个相邻基站之间接收表示满足规定条件的相邻基站的识别信息; 以及控制单元，其将随机值分配给由所述基站控制设备控制的多个基站，并将分配给至少一个相邻基站的值与分配给其他基站的值进行比较，以确定是否激活所述基站的业务 并且根据确定结果控制各个基站的服务激活状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101480292B1
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020080024523
申请日：2008-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1616
Abstract: 상변화막을 포함하는 반도체 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 개구부를 갖는 기판 상에 상변화막을 증착하는 단계 및 열 처리 공정에 의하여 개구부 외부에 위치한 상변화막의 일부가 개구부내로 이동되는 단계를 포함한다. 이때, 상변화막은 열 처리 공정의 공정 온도를 상변화막의 용융점 보다 낮추는 특정 원소를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101335995B1
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020070020044
申请日：2007-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조성래
IPC: H02J7/34
Abstract: 본 발명은 전원장치 및 그 전원공급방법에 관한 것이다. 배터리를 포함하는 전자장치에 전력을 공급하는 본 발명에 따른 전원장치에 있어서, 제1전력레벨의 1차전원을 공급하는 1차전원부와, 전자장치에 가변 가능한 제2전력레벨의 2차전원을 공급하는 이차전지부와, 제1전력레벨이 전자장치의 필요전력레벨보다 작은 경우 상기 제1전력레벨과 제2전력레벨의 합이 전자장치의 필요전력레벨에 도달하도록 이차전지부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 전원장치 및 그 전원공급제어방법은 최소의 회로소자로 전자장치에 전원을 공급함으로써 전원장치의 생산 원가를 절약할 수 있다.-
88.发明公开
公开(公告)号：KR1020120104031A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020110022085
申请日：2011-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , H01L45/143
Abstract: PURPOSE: A phase change material layer and a forming method thereof, and a phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to form the phase change material layer through a sputtering process using three constituent phase change materials of germanium-heavy metal-tellurium, thereby speedily raising phase transition. CONSTITUTION: An insulation structure(10) is formed on an object(5) such as a substrate. A micro structure(15) exposing the object is formed in the insulation structure. A phase change material layer pattern(25) filling the micro structure by forming three constituent phase change materials of germanium-heavy metal-tellurium through a sputtering process using one source target is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种相变材料层及其形成方法，以及相变存储器件及其制造方法，通过溅射法形成相变材料层，该溅射工艺使用三重重金属碲的组成相变材料 ，从而迅速提高相变。 构成：在诸如基板的物体（5）上形成绝缘结构（10）。 在绝缘结构中形成露出物体的微结构（15）。 形成通过使用一个源极靶通过溅射工艺形成锗 - 重金属 - 碲的三种组成相变材料来填充微结构的相变材料层图案（25）。
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公开(公告)号：KR1020110015907A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：KR1020090073351
申请日：2009-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C8/08 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A multi-level memory device using a resistance body is provided to adjust the size of the amorphous region of a phase change material by applying a write pulse with different pulse heights to one or more phase change materials. CONSTITUTION: A multi-level memory cell array(100) includes a plurality of multi-level memory cells in a matrix shape. The rows of the multi-level memory cells are coupled with each word-line(WL0 to WLm). The columns of the multi-level memory cells are coupled with bit-lines(BL0 to BLn). A decoder(300) provides row selection signals and column selection signals to a row selection circuit(130) and a column selection circuit(120). A read circuit(110) reads data saved in a multi-level memory cell which is selected from the multi-level memory cell array.
Abstract translation: 目的：提供使用电阻体的多电平存储器件，通过向一个或多个相变材料施加具有不同脉冲高度的写入脉冲来调节相变材料的非晶区域的尺寸。 构成：多层存储单元阵列（100）包括矩阵形状的多个多级存储单元。 多级存储器单元的行与每个字线（WL0至WLm）耦合。 多级存储单元的列与位线（BL0至BLn）耦合。 解码器（300）向行选择电路（130）和列选择电路（120）提供行选择信号和列选择信号。 读取电路（110）读取从多层存储单元阵列中选择的多层存储单元中保存的数据。
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公开(公告)号：KR1020100108001A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020090026420
申请日：2009-03-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: PURPOSE: A formation method of an information storage pattern is provided to improve the electrical property of a phase variation memory device by uniformly maintaining the resistance value of a memory cell. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(10) comprises an active layer(20). An interlayer insulating layer(30) is formed on the semiconductor substrate. The interlayer insulating layer comprises an opening(35) which exposes a transistor or a diode. A bottom electrode(40) is formed in the opening of the interlayer insulating layer. The bottom electrode is formed in order to partly fill the opening of the interlayer insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供信息存储模式的形成方法，以通过均匀地维持存储单元的电阻值来改善相位变化存储装置的电性能。 构成：半导体衬底（10）包括有源层（20）。 在半导体衬底上形成层间绝缘层（30）。 层间绝缘层包括暴露晶体管或二极管的开口（35）。 底层电极（40）形成在层间绝缘层的开口中。 形成底部电极以部分地填充层间绝缘层的开口。
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