公开(公告)号：KR1020090037712A

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：KR1020070103192

申请日：2007-10-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌수 ,  박재철 ,  이현웅 ,  염윤호

IPC: G06F21/31 ,  G06F9/06 ,  G06F9/24

CPC classification number: G06F21/575

Abstract: An electronic device for security boot up and a method for computation hash vale and boot-up operation thereof are provided to decrease a production cost and a chip size by reducing hash code stored in the E-fuse memory. A flash memory(120) stores the boot code and public key. A processor(111) enforces the boot code. An E-fuse memory(113) stores the first hash value. A block encrypting unit(115) calculates the second Hash value of the public key with the block cryptographic algorithm. The block cryptographic algorithm uses a part of the public key as the first input value. The first hash value stored in the second memory is the value hashing the public key with the block cryptographic algorithm. The boot code comprises command codes. The command code determines whether a processor calculates the Hash value of the public key stored in the nonvolatile memory, reads the Hash value stored in E-fuse memory, and compares the calculated Hash value with the Hash value read from the E-fuse memory. When the calculated Hash value matches with the Hash value read from the E-fuse, the command code enforces the processor to execute a boot code.

Abstract translation: 提供一种用于安全启动的电子设备和用于计算散列值和启动操作的方法，以通过减少存储在电熔丝存储器中的散列码来降低生产成本和芯片尺寸。 闪存（120）存储引导代码和公钥。 处理器（111）强制引导代码。 电子熔丝存储器（113）存储第一散列值。 块加密单元（115）利用块加密算法计算公开密钥的第二哈希值。 块加密算法使用公钥的一部分作为第一输入值。 存储在第二存储器中的第一个哈希值是使用块加密算法对公钥进行散列的值。 引导代码包括命令代码。 命令代码确定处理器是否计算存储在非易失性存储器中的公用密钥的哈希值，读取存储在电熔丝存储器中的哈希值，并将计算的哈希值与从电子熔丝存储器读取的哈希值进行比较。 当计算的哈希值与从电子熔丝读取的哈希值匹配时，命令代码强制处理器执行引导代码。

公开(公告)号：KR100888614B1

公开(公告)日：2009-03-17

申请号：KR1020050014652

申请日：2005-02-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남경완 ,  박재철

IPC: H04L9/06

CPC classification number: G11C8/16 ,  G11C8/18 ,  G11C8/20

Abstract: 본 발명에 따른 RC4 알고리즘을 하드웨어로 구현한 보안 알고리즘 회로 및 데이터 암호화 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 보안 알고리즘 회로는 S박스, 읽기 제어 로직, 레지스터, 그리고 쓰기 제어 로직을 포함한다. 상기 S박스는 제 1 및 제 2 포트를 가지며, 하나의 클록 신호에 응답하여 제 1 포트를 통해 데이터를 출력하고, 동시에 제 2 포트를 통해 데이터를 입력받는다. 상기 읽기 제어 로직은 상기 제 1 포트에 연결되며, 상기 S박스의 읽기 동작을 제어한다. 상기 레지스터는 상기 읽기 제어 로직에서 출력된 어드레스 및 상기 S박스에서 출력된 데이터를 저장한다. 상기 쓰기 제어 로직은 상기 레지스터에 저장된 어드레스 및 데이터를 입력받고, 상기 S박스의 쓰기 동작을 제어한다. 본 발명에 따른 보안 알고리즘 회로는 읽기 제어 로직과 쓰기 제어 로직을 따로 구비하고 있기 때문에 보안 알고리즘의 설계가 용이하며, 듀얼 포트 에스램을 사용하여 파이프 라인 방식으로 동작하기 때문에 종래에 비해 클록수를 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090022186A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020070087307

申请日：2007-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  이재철 ,  송이헌 ,  박영수 ,  김창정 ,  박재철

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L29/78696

Abstract: An oxide thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve electrical characteristic by forming a capping layer with high work function in a channel region. A channel(14) and a capping layer(15) with a work function higher than the channel are consecutively formed in the position corresponding to a gate(12). A gate insulator(13) is formed between the gate and the channel. A source(16a) and a drain(16b) are formed while contacting two parts of the capping layer. A passivation layer is formed by coating the insulating material on the capping layer. The channel is made of the In-Zn oxide coated with Ni.

Abstract translation: 提供一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，通过在沟道区域形成具有高功函数的覆盖层来提高电气特性。 具有比通道高的功函数的通道（14）和盖层（15）在对应于门（12）的位置处连续地形成。 栅极绝缘体（13）形成在栅极和沟道之间。 形成源极（16a）和漏极（16b），同时接触覆盖层的两个部分。 通过在绝缘层上涂覆绝缘材料形成钝化层。 该通道由镀Ni的In-Zn氧化物制成。

公开(公告)号：KR1020080112877A

公开(公告)日：2008-12-26

申请号：KR1020070061875

申请日：2007-06-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  박영수 ,  이은하 ,  박재철

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09K13/06 ,  H01L21/467 ,  H01L29/7869

Abstract: An etching solution of a Zn oxide and a Zn oxide thin film transistor are provided to remove damage area formed in a channel in a source and drain forming process as a channel surface is partly removed and a recessed portion is formed. A Zn oxide thin film transistor comprises a gate(32), a channel(34), a gate insulator, a source(35a), a drain(35b), and a recessed portion(R). The channel is formed of a Zn oxide in a location corresponding to the gate. The gate insulator is formed between the gate and channel. The source and drain are formed with contacting two part of the channel. The recessed portion is formed in the channel between the drain and source.

Abstract translation: 提供Zn氧化物和Zn氧化物薄膜晶体管的蚀刻溶液以去除在源极和漏极形成过程中形成的沟道中的损伤区域，因为部分地去除沟道表面并形成凹陷部分。 Zn氧化物薄膜晶体管包括栅极（32），沟道（34），栅极绝缘体，源极（35a），漏极（35b）和凹陷部分（R）。 沟道由与栅极对应的位置的Zn氧化物形成。 栅极绝缘体形成在栅极和沟道之间。 源极和漏极形成为接触通道的两部分。 凹陷部分形成在漏极和源极之间的沟道中。

公开(公告)号：KR102026737B1

公开(公告)日：2019-09-30

申请号：KR1020130008743

申请日：2013-01-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이채훈 ,  김영 ,  박재철 ,  전용우

IPC: A61B6/00 ,  G01T1/20 ,  G01T1/208

公开(公告)号：KR101997035B1

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：KR1020120121544

申请日：2012-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤대건 ,  김영 ,  이채훈 ,  김창정 ,  박재철

IPC: G01T1/161 ,  A61B6/00

公开(公告)号：KR101842259B1

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：KR1020110096371

申请日：2011-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 한상욱 ,  김현식 ,  조규형 ,  김창정 ,  박재철 ,  성영훈 ,  김영 ,  양준혁

IPC: A61B6/12 ,  H01L27/148

CPC classification number: G01T1/247 ,  G01T1/17 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 고품질의이미지를얻을수 있는이미지센서를개시한다. 이를위해본 발명은, 검출부에서검출된전하들을증폭시키며, 입력단자, 증폭단자, 및출력단자를포함하는전하검출증폭기를포함하고, 전하검출증폭기는, 입력단자와증폭단자사이에연결된제1 커패시터, 입력단자와증폭단자사이에연결된제1 스위칭유닛, 증폭단자와출력단자사이에연결된제2 커패시터, 및출력단자와기준전압단자사이에연결된제2 스위칭유닛을포함하는것을특징으로하는이미지센서를제공한다.

Abstract translation: 公开了一种能够获得高质量图像的图像传感器。 本发明实现这一点，放大由检测器，输入端，放大器端子和充电检测放大器，包括输出级，和电荷检测放大器，连接在输入端子和放大端之间的第一电容器检测到的电荷， 提供一种图像传感器，其包括第二电容器和连接在输出端和连接在所述第一开关单元，所述放大器和终端连接在输入端和放大端之间的输出端子之间的参考电压端之间的第二开关单元 的。

公开(公告)号：KR101672343B1

公开(公告)日：2016-11-04

申请号：KR1020090122539

申请日：2009-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  김창정 ,  전상훈 ,  송이헌 ,  박재철

IPC: G06F3/042

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G06F3/0386

Abstract: 광민감성투명산화물트랜지스터를이용한광터치패널및 그구동방법을개시한다. 개시된광터치패널은디스플레이장치의화소내에일체로배열된다수의광센싱영역및 그구동회로를구비할수 있다. 또는, 개시된광터치패널은디스플레이장치의화소와별도로제작되어, 디스플레이장치의표면에부착될수도있다. 개시된광터치패널에따르면, 광민감성투명산화물트랜지스터로광센싱영역을구성함으로써, 레이저등과같은간단한광원장치를이용하여대형디스플레이장치를손쉽게제어할수 있다.

Abstract translation: 光学触摸面板可以包括多个感光区域。 多个感光区域可以与显示面板中的像素一体地形成，或者可以形成在显示面板上，以便感测来自光学触摸面板外部的入射光。 驱动光学触摸面板的方法可以包括在两个时间点之间感测多个光感测区域的输出的变化，并且当输出的变化大于或等于第一时间点时确定存在光学输入 提前定义的参考值。 光感测区域可以与显示面板中的像素一体地形成或形成在显示面板的表面上，用于感测来自光学触摸面板外部的入射光。

公开(公告)号：KR101658037B1

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：KR1020100111121

申请日：2010-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 권대웅 ,  박병국 ,  김창정 ,  박재철

IPC: G09G3/30

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0251

Abstract: 능동형디스플레이구동방법이개시된다. 개시된능동형디스플레이장치의구동방법은, 각화소를충전하기이전에상기화소에연결된스위칭트랜지스터에음의바이어스전압을인가하여상기스위칭트랜지스터의문턱전압을회복시키는단계를포함한다. 상기음의바이어스전압은상기스위칭트랜지스터의드레인전극에인가된다.

公开(公告)号：KR101603775B1

公开(公告)日：2016-03-18

申请号：KR1020090033846

申请日：2009-04-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  송이헌 ,  김창정 ,  박재철 ,  김상욱

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 채널층및 그를포함하는트랜지스터에관해개시되어있다. 개시된채널층은다층구조일수 있다. 상기채널층을구성하는층들은이동도(mobility) 및/또는캐리어밀도(carrier density)가서로다를수 있다. 상기채널층은하부층과상부층으로갖는이중층구조일수 있고, 상기하부층과상부층은서로다른산화물층일수 있다. 상기하부층및 상부층의물질및 두께등에따라트랜지스터의특성이제어될수 있다.