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公开(公告)号：KR1020160014207A
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：KR1020140096024
申请日：2014-07-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 금속전기증착방식(metal electrodeposition)을이용하는접촉대전발전기(triboelectric energy harvester)의생성방법은기판위에전극을형성하는단계; 상기전극위의적어도일부영역에마이크로금속패턴을생성하는단계; 및금속전기증착방식을이용하여상기마이크로금속패턴위에나노패턴을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 使用本发明的金属电沉积的摩擦电能收集器的制造方法包括以下步骤：在基板上形成电极; 在所述电极的至少一个区域上产生微细金属图案; 并且通过使用金属电沉积在微金属图案上形成纳米图案。
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公开(公告)号：KR1020150077800A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166652
申请日：2013-12-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/778
Abstract: 본발명의실시형태는금속산화물반도체전계효과트랜지스터및 그제조방법에관한것이다. 본발명의실시형태에따른금속산화물반도체전계효과트랜지스터는, 제1 반도체층; 상기제1 반도체층 상에배치된게이트전극; 상기게이트전극의일 측및 타측에배치된스페이서; 및상기제1 반도체층의일 측및 타측 각각에배치되어서로이격된소스전극과드레인전극; 을포함하고, 상기제1 반도체층의폭은상기게이트전극의폭보다넓다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及金属氧化物半导体场效应晶体管及其方法。 根据本发明的实施例的金属氧化物半导体场效应晶体管包括第一半导体层; 布置在所述第一半导体层上的栅电极; 布置在栅电极的一侧和另一侧的间隔物; 以及源极电极和漏极电极，其布置在第一半导体层的一侧和另一侧并且彼此分离。 第一半导体层的宽度大于栅电极的宽度。
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公开(公告)号：KR101415542B1
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020130038966
申请日：2013-04-10
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: An embodiment of the present invention relates to a memory device and a fabrication method thereof. A memory device according to the embodiment of the present invention includes a substrate; a first semiconductor layer which is arranged on the substrate; a second semiconductor layer which is arranged on the first semiconductor layer; a third semiconductor layer which is arranged on the second semiconductor layer; a gate insulating layer which is partly arranged on the sidewall of the second semiconductor layer; and a gate electrode which is arranged on the gate insulating layer. The second semiconductor layer has a first region and a second region. The gate insulating layer separates the first region from the second region.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种存储器件及其制造方法。 根据本发明的实施例的存储器件包括：衬底; 布置在所述基板上的第一半导体层; 布置在第一半导体层上的第二半导体层; 布置在第二半导体层上的第三半导体层; 栅极绝缘层，其部分地布置在所述第二半导体层的侧壁上; 以及布置在栅极绝缘层上的栅电极。 第二半导体层具有第一区域和第二区域。 栅极绝缘层将第一区域与第二区域分开。
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公开(公告)号：KR1020140080741A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120146580
申请日：2012-12-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/108 , H01L29/861
Abstract: An embodiment of the present invention relates to an asymmetric two-terminal biristor and a fabrication method thereof. An asymmetric two-terminal biristor according to an embodiment includes a substrate; a first semiconductor layer which is formed on the substrate; a second substrate layer which is formed on the first semiconductor layer; a third semiconductor layer which is formed on the second semiconductor layer; a first conduction layer which is electrically connected to the first semiconductor layer; and a second conduction layer which is electrically connected to the third semiconductor layer. The second semiconductor layer has a first impurity region and a second impurity region. The concentration of the first impurity region is greater than that of the second impurity region.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种非对称双端子半导体晶体管及其制造方法。 根据实施例的非对称双端子半导体器件包括基板; 形成在所述基板上的第一半导体层; 形成在所述第一半导体层上的第二基板层; 形成在所述第二半导体层上的第三半导体层; 电连接到第一半导体层的第一导电层; 以及与第三半导体层电连接的第二导电层。 第二半导体层具有第一杂质区和第二杂质区。 第一杂质区域的浓度大于第二杂质区域的浓度。
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公开(公告)号：KR101411837B1
公开(公告)日：2014-06-27
申请号：KR1020130010454
申请日：2013-01-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/2015 , H01L21/2026
Abstract: An embodiment of the present invention relates to a transfer method of a functional element. The transfer method of a functional element according to the embodiment includes: sequentially forming a first separation layer and a second separation layer on a first substrate to form a functional element on the second separation layer; separating the first separation layer from the second separation layer by bonding a holder having a bonding strength between the holder and the functional element greater than a bonding strength between the first separation layer and the second separation layer; and transferring the functional element and the second separation layer bonded to the holder on a second substrate.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及功能元件的传送方法。 根据实施例的功能元件的转印方法包括：在第一基板上依次形成第一分离层和第二分离层，以在第二分离层上形成功能元件; 通过将保持器和功能元件之间的接合强度的保持器接合大于第一分离层和第二分离层之间的接合强度，将第一分离层与第二分离层分离; 以及将在所述保持器上结合的所述功能元件和所述第二分离层转印到第二基板上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101289666B1
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020120088191
申请日：2012-08-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0665 , H01L29/1079 , H01L29/42392
Abstract: PURPOSE: A bulk type nanostructure transistor and a manufacturing method thereof are provided to effectively block a leakage current by inserting a buried insulating layer in the lower part of source and drain region. CONSTITUTION: A source (111) and a drain (112) are formed on a bulk type substrate. The source and the drain are separated from each other by installing a channel which has nanostructure in between. A first buried insulating layer (130a) is positioned between the bulk type substrate and the source. A second buried insulating layer (130b) is positioned between the bulk type substrate and the drain. A gate is positioned between the source and the drain.
Abstract translation: 目的：提供一种体型纳米结构晶体管及其制造方法，以通过在源极和漏极区域的下部插入掩埋绝缘层来有效地阻断泄漏电流。 构成：源体（111）和漏极（112）形成在体型衬底上。 通过在其间安装具有纳米结构的通道来将源极和漏极彼此分离。 第一掩埋绝缘层（130a）位于本体型衬底和源极之间。 第二掩埋绝缘层（130b）位于本体型衬底和漏极之间。 门位于源极和漏极之间。
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公开(公告)号：KR101273238B1
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：KR1020110072788
申请日：2011-07-22
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명의 검출물질 감지센서는, 절연기판; 상기 절연기판 상에 형성된 주전극; 상기 주전극과 전기적으로 절연되고, 전하를 띠는 검출물질이 부착되는 검출물질 부착부; 및 상기 검출물질 부착부의 상부에, 상기 주전극 및 상기 검출물질 부착부와 이격되고 상기 주전극 및 상기 검출물질 부착부와 대향하도록 형성된 유동전극;을 포함하고, 상기 유동전극이 상기 주전극이 배치된 방향으로 위치 이동하도록 하는, 상기 주전극과 상기 유동전극 사이의 구동전압은, 전하를 띠는 검출물질이 상기 검출물질 부착부에 특이적 결합을 이룬 경우가 특이적 결합을 이루지 않은 경우보다 크거나 작다.
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公开(公告)号：KR101201853B1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：KR1020100071736
申请日：2010-07-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 본 발명의 커패시터리스 디램 셀 제조방법은, 기판 상에 매립 절연산화막을 형성하는 단계; 상기 매립 절연 산화막 상에 단결정 반도체층을 형성하고, 상기 단결정 반도체층 상에 제1 타입의 반도체의 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 상기 단결정 반도체층을 식각하여 활성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 활성 반도체층에서 상기 제1 타입의 반도체로 남겨둘 부위에 감광막을 형성한 상태에서 제2 타입의 반도체의 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 및 상기 감광막을 제거한 후 상기 활성 반도체층에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120022353A
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020100085879
申请日：2010-09-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A switching device and a manufacturing method thereof are provided to block a flow of a parasitic current due to undesirable current conduction by performing a rectifying conduction operation of each switch device. CONSTITUTION: A driving electrode unit(130) includes a support layer fixed to a substrate and an elastic conductive layer(133) which is separated from the substrate. A fixed electrode unit(140) is separated from the elastic conductive layer and is arranged on the substrate. The driving electrode unit and the fixed electrode unit include semiconductor materials with the same work function. The elastic conductive layer and the fixed electrode unit are switched on by an electrostatic attraction between the driving electrode unit and the fixed electrode unit. The driving electrode unit and the fixed electrode unit perform an ohmic conduction operation in a forward voltage or backward voltage when the driving electrode unit and the fixed electrode unit are switched on.
Abstract translation: 目的：提供开关器件及其制造方法，通过执行每个开关器件的整流导通操作来阻止由于不期望的电流导通引起的寄生电流的流动。 构成：驱动电极单元（130）包括固定到基板的支撑层和与基板分离的弹性导电层（133）。 固定电极单元（140）与弹性导电层分离并设置在基板上。 驱动电极单元和固定电极单元包括具有相同功函数的半导体材料。 弹性导电层和固定电极单元通过驱动电极单元和固定电极单元之间的静电吸引而被接通。 当驱动电极单元和固定电极单元接通时，驱动电极单元和固定电极单元进行正向电压或反向电压的欧姆传导操作。
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公开(公告)号：KR101078184B1
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：KR1020100017158
申请日：2010-02-25
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G01N21/658
Abstract: 본발명은원자의크기레벨로나노갭(nanogap)의위치, 폭및 깊이의조정이가능하고다수의나노갭을동시에형성할수 있는다중적층나노갭구조및 그제조방법에관한것으로써, 표면증강라만산란(SERS)를이용한단분자검출센서에적용될수 있는, 직선형의나노갭이일정간격을두고반복적으로나타나는배열의나노갭구조와그 제조방법을제공한다. 보다더 구체적으로본 발명은, 표면증강라만산란(SERS)를이용한단분자검출센서용구조에있어서, 기판; 및상기기판위에순차적으로증착되는희생층및 강화층;을포함하되, 상기희생층및 강화층은적어도한 번이상반복적으로증착되고, 상기기판, 희생층및 강화층으로형성된구조에서적어도하나의측면부에는, 상기기판과강화층사이또는각각의강화층사이의희생층의소정영역이제거되어상기기판또는강화층이돌출됨으로써형성되는적어도하나이상의나노갭을구비하는것을특징으로하는다중적층나노갭구조를제공한다.
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