公开(公告)号：KR1020100066291A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020090031273

申请日：2009-04-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임영안 ,  송정호 ,  김기수 ,  김경옥

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/323 ,  H01S3/09415 ,  H01S5/06203 ,  H01S5/1003

Abstract: PURPOSE: A resonator of a hybrid laser diode is provided to minimize the effect of a surface bonding by widening the width of the compound semiconductor waveguide of the resonator. CONSTITUTION: A substrate includes a semiconductor layer in which a waveguide for a hybrid(120h), a multiple mode waveguide(122), and a single mode waveguide(126) are serially connected. A compound semiconductor waveguide(210) is arranged on the waveguide for the hybrid of the semiconductor layer. A tapered coupling structure(210t), which is overlapped with a part of the multiple mode waveguide, is formed on one end of the compound semiconductor waveguide. A reflective unit(128) is arranged on one end of the single mode waveguide.

Abstract translation: 目的：提供混合激光二极管的谐振器，以通过扩大谐振器的化合物半导体波导的宽度来最小化表面接合的影响。 构成：衬底包括半导体层，其中用于混合（120h）的波导，多模波导（122）和单模波导（126）串联连接。 复合半导体波导（210）布置在用于半导体层的混合物的波导上。 在复合半导体波导的一端形成有与多模波导的一部分重叠的锥形耦合结构（210t）。 反射单元（128）布置在单模波导的一端。

公开(公告)号：KR1020100040481A

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：KR1020080099613

申请日：2008-10-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현수 ,  권오균 ,  김동철 ,  최병석 ,  김기수 ,  오대곤

IPC: H04B10/291 ,  H04B10/00 ,  H01S3/16

CPC classification number: H01S5/50 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0608 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/509

Abstract: PURPOSE: A reflective semiconductor optical amplification device and an optical signal processing method using the same are provided to reduce the cost of manufacturing using a reflective semiconductor amplifier which uses one optical fiber. CONSTITUTION: An optical signal amplification are(102) supplies gain to a downlink optical signal applied from the outside. An optical signal modulation area(103) is connected with the optical signal amplification area and generates a modulated optical signal. The downlink optical signal is amplified through cross gain modulation by the modulated optical signal and outputted as an uplink optical signal. The optical signal amplification area includes a semiconductor amplifier. The optical signal demodulation area includes a laser diode. The optical signal amplification and demodulation areas respectively have a first electrode and a second electrode. The first and the second electrodes receive independent current.

Abstract translation: 目的：提供一种反射半导体光放大装置和使用该反射半导体光放大装置的光信号处理方法，以减少使用使用一根光纤的反射半导体放大器的制造成本。 构成：光信号放大（102）向从外部施加的下行光信号提供增益。 光信号调制区域（103）与光信号放大区域连接并产生调制光信号。 下行光信号通过调制光信号的交叉增益调制进行放大，作为上行光信号输出。 光信号放大区包括半导体放大器。 光信号解调区域包括激光二极管。 光信号放大和解调区域分别具有第一电极和第二电极。 第一和第二电极接收独立电流。

公开(公告)号：KR1020100008577A

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：KR1020080069129

申请日：2008-07-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오광룡 ,  김동철 ,  김기수

IPC: H01S5/10

CPC classification number: H01S5/1014 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0052 ,  G02B27/0977 ,  G02B27/0988 ,  G02B27/0994 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1025 ,  H01S5/12

Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser including a waveguide lens is provide to input a single mode beam generated in a narrow waveguide to a wide waveguide in parallel by forming a waveguide lens with a parabola or elliptical shape. CONSTITUTION: At least one first waveguide(20) has a first width. At least one second waveguide(30) has a second width wider than the first width. At least one waveguide lens(50) has the width which is widened from the first waveguide to the second waveguide. The waveguide lens connects the first and second waveguides. At least side wall of the waveguide lens connecting the first and second waveguides has a curved shape. At least one side wall of the waveguide lens has the radius of curvature increasing from the first waveguide to the second waveguide consecutively.

Abstract translation: 目的：提供一种包括波导透镜的半导体激光器，通过形成具有抛物线或椭圆形状的波导透镜，将窄波导中产生的单模光束平行地输入到宽波导管中。 构成：至少一个第一波导（20）具有第一宽度。 至少一个第二波导（30）具有比第一宽度宽的第二宽度。 至少一个波导透镜（50）具有从第一波导加宽到第二波导的宽度。 波导透镜连接第一和第二波导。 连接第一和第二波导的波导透镜的至少侧壁具有弯曲的形状。 波导透镜的至少一个侧壁的曲率半径连续地从第一波导增加到第二波导。

公开(公告)号：KR100916311B1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：KR1020070132764

申请日：2007-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오광룡 ,  김종회 ,  김동철 ,  권오기 ,  김기수 ,  윤기홍

IPC: G02B6/125 ,  H01S3/063 ,  H01S3/082

CPC classification number: H01S5/1071 ,  G02B6/12007 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/50

Abstract: 본 발명은 이중 결합 링 공진기를 이용한 파장 가변 레이저 다이오드에 관한 것으로, 서로 다른 반경을 갖는 두 개의 링 공진기를 서로 연결하여 새로운 이중 결합 링 공진기 구조를 형성함으로써, 두 개의 링 공진기가 동시에 공진하는 공진 파장에서만 안정적인 레이저 발진이 이루어지며, 두 개의 링 공진기의 유효 굴절률을 적절히 상대적으로 다르게 조절하여 레이저의 발진 파장이 가변하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따르면, 다중 모드 결합기에 의해 수동도파로와 링 공진기의 광결합 특성의 재현성을 확보할 수 있으므로, 파장 가변 레이저 다이오드의 제조 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 출력단에 집적된 광증폭기에 의해 발진 파장의 특성에 영향을 미치지 않으면서 출력광의 세기를 증폭시켜 출력할 수 있다.
레이저 다이오드, 광대역 파장 가변 레이저, 광 도파로, 반사기, 링 공진기, 공진기, 광 집적회로

公开(公告)号：KR1020090054361A

公开(公告)日：2009-05-29

申请号：KR1020080047433

申请日：2008-05-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오광룡 ,  김종회 ,  김동철 ,  권오기 ,  김기수 ,  윤기홍

IPC: G02B5/18 ,  G02B6/293

Abstract: 본 발명에 따른 주파수 가변 테라헤르츠파 광원 소자는, 2개의 격자 주기를 갖는 이중 회절격자를 이용하여 임의의 파장에서 리트로(Littrow) 회절 조건을 만족시키는 동시에 다른 파장에서 리트만(Littman-Metcalf) 회절 조건을 만족시킴으로써, 서로 다른 두 파장에서 동시에 발진이 이루어지도록 하여 두 발진 파장의 비팅(beating)에 의해 안정적으로 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 주파수 가변 테라헤르츠파 광원 소자는 수 THz 까지 주파수 가변이 용이하고 소형으로 제작이 가능하다.
테라헤르츠파, 파장 가변 광원, 외부 공진기, Littman-Metcalf, Littrow, 회절격자, 가변 편향기

公开(公告)号：KR1020090047114A

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：KR1020070113130

申请日：2007-11-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임영안 ,  송정호 ,  김기수 ,  권오균 ,  김경옥

IPC: H01S3/0941 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12152 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0218 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/32316 ,  H01S5/32333

Abstract: 실리콘층 및 화합물 반도체층을 각각 슬랩 도파로 및 채널 도파로로 이용하는 하이브리드 레이저 다이오드가 제공된다. 본 발명에 따른 하이브리드 레이저 다이오드는 도파 모드의 손실, 누설 전류 및 직렬 저항을 줄일 수 있으며, 개선된 열 방출 특성을 갖는다. 특히, 본 발명에 따르면, 활성영역 및 도파로가 분명하게 정의될 수 있다.

公开(公告)号：KR100794673B1

公开(公告)日：2008-01-14

申请号：KR1020060049246

申请日：2006-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기수 ,  심은덕 ,  한원석 ,  김성복

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물 및 그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드에 관한 것으로, 본 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물은, InP 기판과, 상기 InP기판 상에 적층되며, InAlGaAs층 및 상기 InAlGaAs층보다 낮은 굴절률을 갖는 InAlAs층으로 이루어진 복수의 InAlGaAs/InAlAs DBR층과, 상기 복수의 InAlGaAs/InAlAs DBR층 사이에 주기적으로 형성된 상기 InAlGaAs층 및 InP층으로 이루어진 InAlGaAs/InP DBR층을 포함한다. 이에 따라, DBR 구조물의 표면 상태를 개선하여 결함이 없는 양질의 박막을 유지하고, 반사율을 향상시킬 수 있다. 또한, 표면 상태가 개선된 양질의 DBR 구조물을 사용하여 DBR의 반사율을 향상시킴으로써, 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 자체의 특성을 향상시킬 수 있다.
분산 브래그 반사경(DBR: distributed Bragg reflector), 장파장 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드

Abstract translation: 本发明中，所述二极管垂直腔表面根据垂直腔表面发射激光器（VCSEL）DBR结构和二极管的制造方法以及垂直腔表面发射激光器（VCSEL）二极管发射激光器（VCSEL），InP衬底的DBR结构 和，被沉积在InP衬底，InAlGaAs层和InAlGaAs层InAlGaAs层比由铟铝砷层的具有低的折射率，并周期性所述多个InAlGaAs / InAlAs的DBR层之间形成在该多个InAlGaAs / InAlAs的DBR层上 以及由InP层制成的InAlGaAs / InP DBR层。 因此，能够提高DBR结构保持无缺陷的薄膜的质量的表面状态并提高反射率。 此外，它是通过改善DBR的反射率与表面条件改善的质量DBR结构可能，提高了垂直腔表面发射激光二极管本身的特性。

公开(公告)号：KR100794667B1

公开(公告)日：2008-01-14

申请号：KR1020060049238

申请日：2006-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기수 ,  한원석 ,  김성복 ,  오대곤

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물 및 그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드에 관한 것이다.
본 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물은 InP 기판 상부에 형성되는 제 1 굴절률을 갖는 InAlGaAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제1 InAlAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 제1 InAlAs층 상에 형성되는 InP층; 및 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제2 InAlAs층을 포함한다. 이에 따라, InAlGaAs층과 InP층의 접합부분에서 발생하는 타입-Ⅱ 밴드 라인업에 의해 발생하는 광학적 손실을 줄이므로, 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.
DBR(distributed Bragg reflector), InAlGaAs, InP, InAlAs, 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드

公开(公告)号：KR1020070060523A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020050120175

申请日：2005-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오수환 ,  김기수 ,  권오기 ,  백용순

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/227

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34306

Abstract: A buried ridge waveguide laser diode is provided to improve a temperature characteristic of the laser diode by arranging a p-n-p current blocking layer outside the ridge. A buried ridge waveguide laser diode includes a clad layer(108), a ridge region, and a p-n-p current blocking layer. The clad layer(108) is arranged on an active layer. The ridge region is vertically extended to a part of the clad layer(108) in the same width, and has a selective etching layer(110) and a first conductive type compound layer. The p-n-p current blocking layer has the same thickness as a depth of the ridge region on the clad layer(108) of an outer side of the ridge region, and has a second conductive type second compound layer(112) which is opposite to the first conductive type. The current blocking layer has a first compound layer(114) on the second compound. The first compound layer(114) of the ridge region is extended.

Abstract translation: 提供掩埋脊波导激光二极管，以通过在脊外布置p-n-p电流阻挡层来改善激光二极管的温度特性。 掩埋脊波导激光二极管包括包覆层（108），脊区域和p-n-p电流阻挡层。 包覆层（108）布置在有源层上。 脊区域以相同的宽度垂直延伸到包层（108）的一部分，并且具有选择性蚀刻层（110）和第一导电型化合物层。 所述pnp电流阻挡层的厚度与所述脊部区域的外侧的所述包覆层（108）上的所述脊部区域的深度相同，并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电型第二化合物层（112） 导电型。 电流阻挡层在第二化合物上具有第一化合物层（114）。 脊区域的第一化合物层（114）延伸。

公开(公告)号：KR1020070059854A

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：KR1020060049246

申请日：2006-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기수 ,  심은덕 ,  한원석 ,  김성복

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18327 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/18366 ,  H01S5/3054

Abstract: A DBR(Distributed Bragg Reflector) in a vertical cavity surface emitting laser diode and a manufacturing method thereof and a vertical cavity surface emitting laser diode are provided to improve a surface state of the DBR by reducing a laminating thickness of an InAlAs layer, thereby improving a reflection factor. A DBR in a vertical cavity surface emitting laser diode(300) includes an InP substrate(310). A plurality of InAlGaAs/InAlAs DBR layers are laminated on the InP substrate(310) and composed of an InAlGaAs layer(321,341) and an InAlAs layer(322,342) having a lower reflection factor than the InAlGaAs layer(321,341). An InAlGaAs/InP DBR layer composed of the InAlGaAs layer(321,341) and an InP layer(343) is inserted whenever a predetermined number of InAlGaAs/InAlAs DBR layers are laminated.

Abstract translation: 提供垂直腔表面发射激光二极管中的DBR（分布式布拉格反射器）及其制造方法和垂直腔表面发射激光二极管，以通过降低InAlAs层的层压厚度来改善DBR的表面状态，从而改善 反思因素。 垂直腔表面发射激光二极管（300）中的DBR包括InP衬底（310）。 多个InAlGaAs / InAlAs DBR层叠在InP衬底（310）上并由InAlGaAs层（321,341）和具有比InAlGaAs层（321,341）低的反射系数的InAlAs层（322,342）组成。 每当层叠有预定数量的InAlGaAs / InAlAs DBR层时，插入由InAlGaAs层（321,341）和InP层（343）组成的InAlGaAs / InP DBR层。