公开(公告)号：KR1019970052279A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950051466

申请日：1995-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 ,  박철순 ,  편광의

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR1019960009236A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019950024503

申请日：1995-08-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오용호 ,  박병선 ,  유형준

IPC: G03F1/20 ,  G03F1/54 ,  H01L21/28

Abstract: 본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 석영 등의 투명 기판의 일측면에 주마스크와 타측면에 상기 주마스크의 해상력을 증가시키는 보조마스크로 이루어지는 데, 상기 주마스크는 투명 기판의 일측면에 크롬(Cr) 또는 산화철(Fe
2 O
3 ) 등과 같은 마스크 패턴재료나 그밖의 불투명한 물질이 소정 두께로 증착되어 노광 공정시 조사되는 광이 투과되는 것을 방지하는 불투명막과, 이 불투명막이 형성되지 않아 상기 투명 기판이 노출되어 조사되는 광을 동시에 각각 투과시켜 T-게이트전극의 다리 및 머리 부분을 형성하기 위한 제1 및 제2패턴을 가지며, 그리고 상기 보조 마스크는 투명 기판 타측면의 소정 부분이 소정 깊이로 에칭되어 투과되는 광의 회절 및 간섭이 일어나도록 상기 조사되는 광의 위상을 변환시키는 반전부와 조사되는 광의 위상을 변 시키지 않고 투과시키는 투과부를 갖는다. 따라서 단일의 포토레지스트층에 1번 노광 공정과 1번의 현상 공정에 의해 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로 공정을 간단하게 할 수 있으며, 또한 보조 마스크의 반전부와 투과부를 통과하는 광이 회절 및 보강 간섭에 의해 해상력을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950021044A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029628

申请日：1993-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박병선

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1019950021021A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026309

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종문 ,  박병선 ,  구진근

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 반도체 소자제조공정중 전자노광 장비를 이용한 미세패턴형성 공정의 생산성을 높이는 광스텝퍼와 e-빔 사진 전사 혼합 공정방법에 관한 것으로, 종래에 공정단계가 복잡하고, 공정비용이 증가되는 문제점을 해결 하기 위하여 본 발명은 광스템퍼와 e-빔 사진 혼합공정방법에 있어서 레지스트 도포1회당 광 정렬노광 및 e-빔 정렬노광을 각각 수행하고, 현상공정 1회로 소정의 형상을 형성시키는 방법을 제공함으로써 공정단계가 줄어서 제조비용면에서 줄어드는 효과를 제공한다.