公开(公告)号：KR100523484B1

公开(公告)日：2005-10-24

申请号：KR1020020069586

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  권오균 ,  한원석 ,  박상희 ,  김종희 ,  신재헌 ,  주영구

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/3095 ,  H01S2301/176

Abstract: 전류 제한 구조(current-confined structure)를 갖는 반도체 광소자의 제조방법를 제공한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도층이 순차적으로 적층되는 메사 구조를 형성한 후, 상기 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도체층을 구성하는 물질층중 적어도 어느 하나의 물질층을 선택적으로 습식에칭하여 측면부에 리세스를 형성한다. 상기 리세스의 일부 혹은 전체를 채우면서 상기 제1 반도체층 내지 제3 반도체층의 측벽면에 산화막 혹은 질화막을 형성하여 상기 리세스된 물질층으로 전류 주입 경로를 갖게 한다. 이상과 같이 제조된 본 발명의 반도체 광소자는 광통신 파장 영역에서 사용 가능하고 역학적으로 안정하고 열전도도가 우수하며 상업성을 갖춘 전류 제한 구조를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020050051743A

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：KR1020030085359

申请日：2003-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  한원석 ,  김종희 ,  주영구 ,  권오균 ,  박상희

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18341 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18363

Abstract: 본 발명은 반도체 반사경 또는 광학 필터로 이용될 수 있는 반도체 광소자의 제작 방법에 대해 개시한다. 에칭비가 서로 다른 두가지 이상의 반도체층들을 교대로 적층한 후 적어도 한 종류의 반도체층들을 선택적으로 에칭하여 에어갭(air gap)을 형성하고, 에어갭이 매립되도록 열전달 특성이 양호한 산화물 혹은 질화물을 증착한다. 에어갭에 매립된 산화물 혹은 질화물과 반도체층의 큰 굴절률 차이로 인하여 적은 주기로도 효과적으로 높은 반사율을 갖는 반도체 반사경 또는 광학 필터를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100482914B1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：KR1020020071277

申请日：2002-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  송현우 ,  주영구 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 하부거울층, 하부거울층 상부에 위치하여 전류 및 열방출의 경로가 되는 열방출층, 열방출층 상부에 위치하여 공진하는 레이저빔이 광이득을 얻는 활성층, 활성층 상부에 위치하며 양 측면에 공기층 구경을 갖는 구경형성층, 구경형성층 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 상부거울층, 상부거울층, 구경형성층 및 활성층의 측면과 상기 열방출층의 상부에 위치하는 절연층 및 상부거울층의 상부에 위치하는 전극을 포함한다. 따라서 기계적으로 안정적이고 효과적인 전류유도를 할 수 있으며, 단일 횡모드 발진이 가능하고 구동전력이 적고 동작속도가 빠른 통신용 장파장 광원의 공급이 가능해지는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020040042694A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020071277

申请日：2002-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  송현우 ,  주영구 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균

IPC: H01S5/183

Abstract: PURPOSE: A vertical cavity surface emission layer structure provided with an air gap aperture and a method for manufacturing the same are provided to effectively induce the current by making the etching depth of the air gap aperture shallow. CONSTITUTION: A vertical cavity surface emission layer structure provided with an air gap aperture includes an air gap aperture provided with a substrate(100), a bottom mirror layer(102), a heat emission layer(104), an active layer(106), an aperture formation layer(108), a top mirror layer(110), an insulation layer(112) and an electrode(114). The heat emission layer(104) is positioned at the top of the bottom mirror layer(102) and is a role of the path of the current and the heat dissipation. The active layer(106) is positioned at the top of the heat emission layer(104) to obtain the optical gain of the laser. The aperture formation layer(108) is positioned on the top of the active layer and the top mirror layer(110) is formed on the top of the aperture formation layer(108), wherein the top mirror layer is formed by alternatively growing two layers. The insulation layer(112) is formed on the sides of the top mirror layer(110), the aperture formation layer(108) and the active layer(106) and the top of the heat emission layer(104). And, the electrode is formed on the top of the top mirror layer(110).

Abstract translation: 目的：提供具有气隙孔的垂直腔表面发射层结构及其制造方法，以通过使气隙孔的蚀刻深度变浅而有效地引起电流。 构造：设置有气隙孔的垂直腔表面发射层结构包括设置有衬底（100）的气隙孔，底镜层（102），发热层（104），有源层（106） ，孔形成层（108），顶镜层（110），绝缘层（112）和电极（114）。 发热层（104）位于底部镜层（102）的顶部，并且是电流和散热的路径的作用。 活性层（106）位于发热层（104）的顶部，以获得激光的光学增益。 孔径形成层（108）位于有源层的顶部上，顶部镜层（110）形成在孔形成层（108）的顶部上，其中顶部镜层是通过交替生长两层形成的 。 绝缘层（112）形成在顶镜层（110），孔形成层（108）和有源层（106）和发热层（104）的顶部的侧面上。 并且，电极形成在顶镜层（110）的顶部。

公开(公告)号：KR100349661B1

公开(公告)日：2002-08-22

申请号：KR1019990061160

申请日：1999-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장동훈 ,  이중기 ,  송현우 ,  남은수 ,  심종인

IPC: H01S5/32

Abstract: 본발명에서는반도체레이저에미세다공진기구조의광필터를집적(Monolithic 또는 Hybrid 집적)시켜파장에따른투과광량을광검출기를통하여측정함으로서파장변화에따른광강도변화를측정하여광원에부착된온도조절기를통하여온도를조절함으로서미세한광파장변화를측정하고보정하여광원의파장을일정하게고정시킬수 있다. 이와같은특성을얻기위하여서는광필터역할을하는미세다공진기가집적화된반도체레이저가필수적이며, 일반적으로반도체와폴리이미드(Polyimide)(또는공기)의온도에따른굴절율변화는반대이므로폴리이미드의선택에따라온도에따른평균유효굴절율(effective refractive index)의변화가없도록제어할수 있으므로온도변화에무관한광파장필터의효과를얻을수 있다.

公开(公告)号：KR1020010063877A

公开(公告)日：2001-07-09

申请号：KR1019990061981

申请日：1999-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  장동훈 ,  남은수 ,  이중기

IPC: H01S5/18

Abstract: PURPOSE: A horizontal resonance surface discharging type semiconductor laser using an electrooptic effect is provided to obtain stable output polarization by applying a voltage to a part of a resonator mirror, and effectively control a direction of the output polarization by changing the direction of the applied voltage. CONSTITUTION: The horizontal resonance surface discharging type semiconductor laser includes a compound semiconductor substrate(9). The first resonance mirror(3) is formed on the compound semiconductor substrate(9). The first clad layer is formed on the first resonance mirror(3). A gain medium layer(2) is formed on the first clad layer. The second clad layer is formed on the gain medium layer(2). A resistance material layer(7) is formed on the second clad layer. The second resonance mirror(1) is formed on the resistance material layer(7). An electrode(5) guide the electrooptic effect by closing to the second resonance mirror(1).

Abstract translation: 目的：提供使用电光效应的水平共振表面放电型半导体激光器，以通过向谐振镜的一部分施加电压来获得稳定的输出偏振，并且通过改变施加电压的方向来有效地控制输出偏振的方向 。 构成：水平共振表面放电型半导体激光器包括化合物半导体衬底（9）。 第一共振镜（3）形成在化合物半导体衬底（9）上。 第一包层形成在第一共振镜（3）上。 增益介质层（2）形成在第一覆层上。 第二包层形成在增益介质层（2）上。 电阻材料层（7）形成在第二覆盖层上。 第二共振镜（1）形成在电阻材料层（7）上。 电极（5）通过关闭第二共振反射镜（1）来引导电光效应。