公开(公告)号：KR1020090065271A

公开(公告)日：2009-06-22

申请号：KR1020070132757

申请日：2007-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정우석 ,  유민기 ,  조두희 ,  신재헌 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618

Abstract: A transparent electronic device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a manufacturing process and a manufacturing cost by forming simultaneously a p-type channel and an n-type channel. A buffer layer(120) is formed on an upper surface of a substrate. The buffer layer is made of an oxide layer or a nitride layer in order to form easily a crystalline thin film. A source(150) and a drain(160) are formed on an upper part of the buffer layer. A channel layer is formed between the source and the drain. A hard mask layer(140) is formed on an upper part of the channel layer. A transparent electrode(170) is formed on an upper part of the source and the drain. A gate is formed at an upper part of the transparent electrode.

Abstract translation: 提供透明电子器件及其制造方法，以同时形成p型沟道和n型沟道来减少制造工艺和制造成本。 在衬底的上表面上形成缓冲层（120）。 缓冲层由氧化物层或氮化物层制成，以便容易地形成结晶薄膜。 源极（150）和漏极（160）形成在缓冲层的上部。 在源极和漏极之间形成沟道层。 在沟道层的上部形成有硬掩模层（140）。 在源极和漏极的上部形成透明电极（170）。 在透明电极的上部形成栅极。

公开(公告)号：KR1020090065269A

公开(公告)日：2009-06-22

申请号：KR1020070132753

申请日：2007-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  양신혁 ,  박상희 ,  신재헌 ,  유민기 ,  황치선 ,  조경익 ,  추혜용

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: A transparent thin film transistor having a polymer protection layer and a manufacturing method thereof are provided to prevent a change of characteristics caused by external environment and to prevent a change of characteristics of an active layer caused by a low-temperature process. A gate electrode(122) is formed on an upper surface of a substrate. A gate insulating layer(120) is formed on an upper surface of the gate electrode. A semiconductor active layer(130) is formed on an upper surface of the gate insulating layer. A source electrode and a drain electrode are formed at both ends of the semiconductor active layer, respectively. A protective layer of the polymer material is formed to cover the semiconductor active layer, the source electrode, and the drain electrode.

Abstract translation: 提供具有聚合物保护层的透明薄膜晶体管及其制造方法，以防止由外部环境引起的特性变化，并防止由低温处理引起的活性层特性的变化。 栅极电极（122）形成在基板的上表面上。 栅极绝缘层（120）形成在栅电极的上表面上。 半导体有源层（130）形成在栅极绝缘层的上表面上。 分别在半导体活性层的两端形成源电极和漏电极。 形成聚合物材料的保护层以覆盖半导体有源层，源电极和漏电极。

公开(公告)号：KR1020090047889A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：KR1020070113970

申请日：2007-11-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유민기 ,  추혜용 ,  황치선 ,  박상희 ,  정우석 ,  신재헌 ,  조경익

IPC: H04N13/00 ,  H04W4/02

CPC classification number: G06T19/006 ,  G01S19/03 ,  G06F3/015 ,  H04N13/332

Abstract: 본 발명은 증강 현실 구현 방법에 관한 것으로, 투명 전자 소자를 이용하여 복잡한 광학적 구조가 필요 없는 증강 현실 구현 장치를 제공한다.
이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 전자 소자를 이용한 증강 현실 구현 방법은, (a) 사용자의 현재 위치를 인식하는 단계; (b) 상기 인식된 사용자의 현재 위치 정보를 위치에 따른 영상 데이터를 저장하는 서버로 출력하고, 상기 현재 위치 정보에 대응하여 상기 서버로부터 출력되는 영상 데이터를 수신하는 단계; (c) 사용자가 바라보는 방향을 인식하는 단계; 및 (d) 상기 인식된 방향 정보를 기반으로 상기 수신된 영상 데이터 중 상기 사용자에게 표시할 부분 영상 데이터를 외부로부터 입력되는 빛을 투과시키는 투명 전자 소자로 구성된 화면에 출력하는 단계를 포함한다.
그럼으로써, 복잡한 광학적 구조가 없는 증강 현실 구현 장치를 제공하는 이점이 있다.
증강 현실, 투명 디스플레이, 투명 전자 소자

公开(公告)号：KR100769547B1

公开(公告)日：2007-10-23

申请号：KR1020060044063

申请日：2006-05-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최성율 ,  유민기 ,  김안순 ,  아칠성 ,  유한영

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 본 발명은 복수의 유전체층을 갖는 유전체 박막을 포함하는 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 소자는 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되며, 전하 트랩 밀도가 상이한 복수의 유전체층을 갖는 적어도 하나의 유전체 박막; 및 상기 유전체 박막 상에 형성되는 상부 전극을 포함한다. 이에 따라, 공정이 단순하여 제조가 용이하고, 구조가 단순하여 고집적화 실현이 가능한 메모리 소자를 제공할 수 있다.
메모리, 유전체, 공간전하 제한전류 (space-charge-limited-current, SCLC)