전력 송신 장치 및 전력 수신 장치
    84.
    发明公开
    전력 송신 장치 및 전력 수신 장치 有权
    电力传输装置和电力接收装置

    公开(公告)号:KR1020130011585A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:KR1020110072830

    申请日:2011-07-22

    CPC classification number: H02J50/80 H02J5/005 H02J50/12

    Abstract: PURPOSE: A power transmission apparatus and a power reception apparatus are provided to maximize transfer efficiency according to the power transfer. CONSTITUTION: A signal processor(140) obtains a received power status signal according to distance variation between coil parts from the outside. A modulation controller(150) generates modulation frequency for selecting a frequency band with a maximum power transmission performance. A power signal generator(110) generates a power signal. A modulator(120) modulates the power signal in response to the modulation frequency. A transmission coil part(130) transmits the modulated power signal. [Reference numerals] (100) Power transmission device; (110) Power signal generator; (120) Modulator; (130) Transmission coil part; (140) Signal processor; (150) Modulation controller; (200) Power receiving device; (210) Receiving coil part; (220) Power generator; (230) Signal generator; (240) Load; (AA) Power signal; (BB) Power receiving condition signal

    Abstract translation: 目的:提供电力传输装置和电力接收装置,以根据电力传输最大化传输效率。 构成:信号处理器(140)根据来自外部的线圈部分之间的距离变化获得接收到的电力状态信号。 调制控制器(150)产生用于选择具有最大功率传输性能的频带的调制频率。 电力信号发生器(110)产生电力信号。 调制器(120)响应于调制频率来调制功率信号。 发送线圈部(130)发送调制后的功率信号。 (附图标记)(100)动力传递装置; (110)功率信号发生器; (120)调制器; (130)传动线圈部分; (140)信号处理器; (150)调制控制器; (200)受电装置; (210)接收线圈部分; (220)发电机; (230)信号发生器; (240)负载; (AA)电源信号; (BB)电源接收状态信号

    반도체 소자의 제조방법
    85.
    发明授权
    반도체 소자의 제조방법 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR101215305B1

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:KR1020090098243

    申请日:2009-10-15

    Inventor: 구재본 강승열

    CPC classification number: H01L29/78603 H01L21/84

    Abstract: 본발명은생산성을향상시킬수 있는반도체소자의제조방법을개시한다. 그의방법은, 제 1 기판상에활성층을형성하는단계; 상기활성층의상부면과제 2 기판을접합시키고, 상기제 1 기판으로부터상기활성층을분리하는단계; 상기제 2 기판에접합된상기활성층의소스/드레인영역들에대응되는도전성불순물영역들을형성하는단계; 상기활성층의하부면에제 3 기판에접합시키고상기제 2 기판을제거하는단계; 및상기제 3 기판에접합된상기활성층의상기도전성불순물영역들사이의상부에게이트전극을형성하고, 상기도전성불순물영역들상에소스/드레인전극들을형성하는단계를포함하여이루어진다.

    투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
    86.
    发明授权
    투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 有权
    透明非易失性存储器薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101201891B1

    公开(公告)日:2012-11-16

    申请号:KR1020090026068

    申请日:2009-03-26

    CPC classification number: H01L21/28291 H01L29/78391 H01L29/7869

    Abstract: 본 발명은 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 이 소자는투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막, 그리고 상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 유기물 강유전체 박막과 산화물 반도체 박막을 사용하고, 상기 유기물 강유전체 박막 하부 및 상에 보조 절연막을 형성함으로써, 저온 공정이 가능하고 저렴하게 제작이 가능한 투명 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다.
    투명, 비휘발성, 메모리, 유기 강유전체, 산화물 반도체

    통신 시스템에서 에너지 전송 시스템 및 방법
    87.
    发明公开
    통신 시스템에서 에너지 전송 시스템 및 방법 无效
    用于在通信系统中传输能量的系统和方法

    公开(公告)号:KR1020120012372A

    公开(公告)日:2012-02-09

    申请号:KR1020110010552

    申请日:2011-02-07

    Abstract: PURPOSE: An energy transmission system in a communication system and a method thereof are provided to transmit multi-energy through multi-channel communication in the communication system, thereby maximizing frequency utilization efficiency. CONSTITUTION: A reflected wave separation and path determination part(100) with respect to a radio frequency(RF) signal passes a broadband RF signal to a channel selector(200) with respect to RF reception for a demodulation process. The channel selector passes a channel selected by a user. An energy regeneration part(300) regenerates energy with respect to the RF signal reflected from the channel selector. A narrow-band RF signal which passes the channel selector is processed in a data processing part(400) in order to be utilized as a communication signal. The reflected broadband RF signal is converted into DC energy required in a receiving device.

    Abstract translation: 目的:提供通信系统中的能量传输系统及其方法,以在通信系统中通过多信道通信来发送多个能量,从而最大化频率利用效率。 构成:相对于射频(RF)信号的反射波分离和路径确定部分(100)相对于解调处理的RF接收将宽带RF信号传递到信道选择器(200)。 频道选择器通过用户选择的频道。 能量再生部件(300)相对于从通道选择器反射的RF信号再生能量。 在数据处理部分(400)中处理通过信道选择器的窄带RF信号,以便用作通信信号。 反射的宽带RF信号被转换成接收设备中所需的直流能量。

    휴대기기 및 그것의 배터리 충전 방법
    88.
    发明公开
    휴대기기 및 그것의 배터리 충전 방법 无效
    可充电装置及其充电方法

    公开(公告)号:KR1020110066827A

    公开(公告)日:2011-06-17

    申请号:KR1020100029239

    申请日:2010-03-31

    Abstract: PURPOSE: A portable device and a method for charging a battery are provided to improve the charging performance of the portable device by forming an antenna with coils of which winding direction is parallel in the surface of the portable device. CONSTITUTION: A first antenna(210) receives a first power signal(RPO1) from a charging device through an electromagnetic induction method. A second antenna(220) receives a second power signal(RPO2) from the charging device through a magnetic resonance method. A first power generating circuit(230) receives a first battery state signal(STA1) from the first power signal. A second power generating circuit(240) generates a clock signal(CLK) and a frequency signal(FR) for transmitting control signals. A signal generating circuit(250) generates a first charging enable signal(EN1) in response to a first battery state signal.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于对电池充电的便携式设备和方法,以通过在便携式设备的表面中形成具有卷绕方向平行的线圈的天线来改善便携式设备的充电性能。 构成:第一天线(210)通过电磁感应方法从充电装置接收第一功率信号(RPO1)。 第二天线(220)通过磁共振方法从充电装置接收第二功率信号(RPO2)。 第一发电电路(230)从第一功率信号接收第一电池状态信号(STA1)。 第二发电电路(240)产生用于发送控制信号的时钟信号(CLK)和频率信号(FR)。 信号发生电路(250)响应于第一电池状态信号产生第一充电使能信号(EN1)。

    그래핀 박막의 증착방법
    89.
    发明公开
    그래핀 박막의 증착방법 有权
    沉积石墨膜的方法

    公开(公告)号:KR1020110066608A

    公开(公告)日:2011-06-17

    申请号:KR1020090123339

    申请日:2009-12-11

    Inventor: 안성덕 강승열

    Abstract: PURPOSE: A method for depositing a graphene film is provided to uniformly form a graphene film with a large size through a rapid heating method and to improve the electrical properties of the graphene film. CONSTITUTION: A method for depositing a graphene film is as follows. A graphene source is prepared on a substrate(140). A carbon compound is prepared on the substrate. An adsorption layer is formed by cooling the substrate and adsorbing the graphene source onto the cooled substrate. The adsorption layer is activated to couple carbon components of the adsorption layer each other by heating the adsorption layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于沉积石墨烯膜的方法,以通过快速加热方法均匀地形成具有大尺寸的石墨烯膜并改善石墨烯膜的电性能。 构成:用于沉积石墨烯膜的方法如下。 在基板(140)上制备石墨烯源。 在基材上制备碳化合物。 通过冷却基板并将石墨烯源吸附到冷却的基板上形成吸附层。 激活吸附层,通过加热吸附层将吸附层的碳组分相互耦合。

    반도체 소자의 제조방법
    90.
    发明公开
    반도체 소자의 제조방법 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR1020110041184A

    公开(公告)日:2011-04-21

    申请号:KR1020090098243

    申请日:2009-10-15

    Inventor: 구재본 강승열

    CPC classification number: H01L29/78603 H01L21/84 H01L27/1266 H01L21/76254

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to finish manufacturing a thin film transistor on a third plastic substrate, thereby increasing a production yield. CONSTITUTION: An active layer(14) is formed on a first substrate. A gate insulating layer(16) and a gate electrode(18) are formed on the active layer. The upper surface of the active layer is bonded with a second substrate. Conductive impurity areas(24) correspond to source/drain areas of the active layer bonded with the second substrate. A third substrate(30) is bonded with the lower surface of the active layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造半导体器件的方法,以在第三塑料基板上完成薄膜晶体管的制造,从而提高了产量。 构成:在第一衬底上形成有源层(14)。 在有源层上形成栅极绝缘层(16)和栅电极(18)。 有源层的上表面与第二衬底结合。 导电杂质区域(24)对应于与第二衬底结合的有源层的源极/漏极区域。 第三基板(30)与有源层的下表面接合。

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