公开(公告)号：DE102014213406A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：DE102014213406

申请日：2014-07-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  WIENGARTEN MARIO

IPC: H01S5/02

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterlaserbauteil (1) eine Laserdiode (2) und eine Reflexionsfläche (3). Die Reflexionsfläche (3) reflektiert diffus und wird im Betrieb von der Laserdiode (2) bestrahlt. Die Laserdiode (2) dient als einzige Lichtquelle des Halbleiterlaserbauteils (1). Es ist die Laserdiode (2) relativ zu der Reflexionsfläche (3) unbeweglich gelagert. Von dem Halbleiterlaserbauteil (1) im Betrieb emittiertes Licht (R) weist die gleichen oder weniger spektrale Komponenten auf als von der Laserdiode (2) emittiertes Licht (R). Ein Zwischenraum zwischen der Laserdiode (2) und der Reflexionsfläche (3) ist frei von einer Optik. Eine lichtemittierende Fläche des Halbleiterlaserbauteils (1) ist um mindestens einen Faktor 100 größer als eine lichtemittierende Fläche der Laserdiode (2).

公开(公告)号：DE112013004754A5

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：DE112013004754

申请日：2013-09-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL STEFAN ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01L25/16 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/58

公开(公告)号：DE102012106628A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE102012106628

申请日：2012-07-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SOSSENHEIMER DIRK ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: G01J1/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Identifizierung einer Schwankungsfrequenz (F) eines Umgebungslichts (S) angegeben, das folgende Schritte enthält: A) Vorgeben der ersten Frequenz (F1) und der zweiten Frequenz (F2), wobei die erste Frequenz kleiner als die zweite Frequenz ist; B) Messen einer optischen Leistung des Umgebungslichts mittels eines Signalempfängers (2) über ein Messzeitintervall (Ti) während einer Gesamtmesszeit (T), wobei das Messzeitintervall kleiner oder gleich einer der ersten Frequenz zugehörigen ersten Periodendauer (P1) ist; C) Erfassen der optischen Leistung des Umgebungslichts in einer Zeitreihe über die Gesamtmesszeit; D) Bestimmen zumindest eines Erkennungsmerkmals zur Identifizierung der Schwankungsfrequenz mittels Auswertens der Zeitreihe; und E) Identifizieren der Schwankungsfrequenz des Umgebungslichts als die erste Frequenz oder als die zweite Frequenz anhand des zumindest einen Erkennungsmerkmals. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement zur Identifizierung von Umgebungslichtschwankungen angegeben.

公开(公告)号：DE102011113483A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：DE102011113483

申请日：2011-09-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JAEGER CLAUS ,  HALBRITTER HUBERT ,  STOJETZ BERNHARD ,  HAAS HEINZ

IPC: H01L31/16 ,  H01L25/16 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen (1) angegeben, das die Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Anschlussträgerverbunds (20); b) Anordnen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (3, 31) auf dem Anschlussträgerverbund (20); c) Positionieren eines Rahmenverbunds (40) mit einer Mehrzahl von Öffnungen (41) derart relativ zum Anschlussträgerverbund (20), dass die Halbleiterchips (3, 31) jeweils in einer der Öffnungen (41) angeordnet sind; d) Positionieren einer Mehrzahl von optischen Elementen (5) derart relativ zum Rahmenverbund (40), dass die optischen Elemente die Öffnungen überdecken; und e) Vereinzeln des Anschlussträgerverbunds mit dem Rahmenverbund und den optischen Elementen in die Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen, so dass jedes optoelektronische Bauelement einen Anschlussträger (2) mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip, einen Rahmen (4) mit zumindest einer Öffnung und zumindest ein optisches Element aufweist. Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

公开(公告)号：DE112020006062B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE112020006062

申请日：2020-12-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT

IPC: H01S5/04 ,  G01S7/481 ,  H01S5/06 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42

Abstract: FMCW-LIDAR-System (140) mit:einer Laser-Lichtquelle (10),einem Strahlteiler (141), der eingerichtet ist, von der Laser-Lichtquelle (10) emittierte Laserstrahlung in einen Referenzstrahl (154) und einen Objektstrahl (144) aufzuteilen, sowieeinem Detektor (150), der eingerichtet ist, ein Signal nachzuweisen, das sich aus einer Überlagerung des Referenzstrahls (154) mit einem reflektierten Strahl (145) ergibt, der sich durch eine Reflexion des Objektstrahls (144) an einem Objekt ergibt,wobei die Laser-Lichtquelle (10) einen kantenemittierenden, ersten Halbleiterlaser (100), der geeignet ist, Pumpstrahlung (110) einer einzigen optischen Mode zu emittieren,ein optisches System (112), das eingerichtet ist, eine Strahlaufweitung der emittierten Pumpstrahlung (110) zu bewirken, undeine Anordnung (120) von oberflächenemittierenden Halbleiterlasern (1251, 1252, ...125n),eine erste Spannungsquelle, durch die an die Anordnung (120) von oberflächenemittierenden Halbleiterlasern eine Spannung unterhalb einer Schwellspannung der oberflächenemittierenden Halbleiterlaser anlegbar ist, wobei die Anordnung (120) von oberflächenemittierenden Halbleiterlasern geeignet ist, die Pumpstrahlung (110) zu absorbieren und über den Injection-Locking-Mechanismus Laserstrahlung (130) mit einer Emissionswellenlänge zu emittieren, wobei die Wellenlänge der Pumpstrahlung und die Emissionswellenlänge durch Veränderung einer in den ersten Halbleiterlaser (100) eingeprägten Stromstärke modulierbar sind, sowieeine zweite Spannungsquelle, durch die an den ersten Halbleiterlaser (100) eine veränderbare Spannung anlegbar ist, so dass die in den ersten Halbleiterlaser (100) einprägbare Stromstärke veränderbar ist, aufweist.

公开(公告)号：DE102020123560B4

公开(公告)日：2025-02-13

申请号：DE102020123560

申请日：2020-09-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT

IPC: H01S5/0687 ,  G01B9/02 ,  G01S7/481 ,  H01S5/062

Abstract: Laserquelle (10), umfassend:eine Laserdiode (103),eine Modulationseinrichtung (140), die eine Stromquelle (149) umfasst und geeignet ist, eine in die Laserdiode (103) eingeprägte Stromstärke zu verändern, wobei eine Emissionsfrequenz der Laserdiode (103) veränderbar ist, undeine Rückkopplungseinrichtung (109), die geeignet ist, der Modulationseinrichtung (140) ein von der Intensität in einem vorgegebenen Wellenlängenbereich abhängendes Rückkopplungssignal zuzuführen, wobeidie Rückkopplungseinrichtung (109) eine Vielzahl von Interferometern (118) aufweist, die jeweils geeignet sind, aus einem von der emittierten elektromagnetischen Strahlung (15) abgezweigten Messstrahl (16) ein Signal zu erzeugen, dessen Intensität sich periodisch in Abhängigkeit von einer Emissionswellenlänge verändert, und der Messstrahl (16) in eine Vielzahl von Teilstrahlen (21, 24) aufgeteilt wird, die jeweils unterschiedlichen Interferometern (118) zugeführt werden, und die Rückkopplungseinrichtung (109) ferner eine Auswahleinrichtung (110) umfasst, die geeignet ist, das Signal desjenigen Interferometers (118) mit linearer Abhängigkeit der Intensität von der Wellenlänge auszuwählen und der Modulationseinrichtung (140) zuzuführen, so dass eine durch die Stromquelle (149) in die Laserdiode (103) eingeprägte Stromstärke in Abhängigkeit von von der Laserdiode (103) emittierter elektromagnetischer Strahlung (15) verändert wird.

公开(公告)号：DE102016115918B4

公开(公告)日：2024-12-05

申请号：DE102016115918

申请日：2016-08-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRICK PETER ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: G02B5/02 ,  F21V5/00 ,  F21Y105/10 ,  G02B27/09

Abstract: Optoelektronisches Bauteil (1), das ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung (2) über einen Abstrahlbereich (3) abzugeben, mit einem Streuelement (4) zum Aufweiten des Abstrahlbereiches (3) der elektromagnetischen Strahlung (2) des Bauteiles (1), wobei das Streuelement (4) im Abstrahlbereich (3) angeordnet ist, wobei das Streuelement (4) eine erste Schicht (6) mit ersten linearen Strukturen (7) aufweist, wobei die ersten Strukturen (7) parallel zueinander angeordnet sind, wobei das Streuelement (4) eine zweite Schicht (8) mit zweiten linearen Strukturen (9) aufweist, wobei die zweiten Strukturen (9) parallel zueinander ausgerichtet sind, wobei die ersten und die zweiten Strukturen (7, 9) in einem vorgegebenen Winkel zwischen 1° und 179° angeordnet sind, wobei das Bauteil (1) mehrere Bauelemente (26) aufweist, die ausgebildet sind, um elektromagnetische Strahlung (2) zu erzeugen, wobei die Bauelemente (26) in einem Raster mit gleichen Abständen (29) angeordnet sind, wobei sich das Bauteil (1) über eine vorgegebene Breite und Länge erstreckt, wobei die ersten und/oder die zweiten linearen Strukturen (7, 9) Wellenberge (12) und Wellentäler (13) bilden, wobei benachbarte Wellentäler (13) und benachbarte Wellenberge (12) einen periodischen Abstand bilden,- wobei der periodische Abstand höchstens um 20 % von einem Vielfachen des periodischen Abstandes der Bauelemente (26) abweicht, und/oder-wobei der periodische Abstand der Wellentäler (13) und/oder der Wellenberge (12) der ersten und/oder der zweiten linearen Strukturen (7, 9) höchstens um 10 % von einem ganzzahligen Teiler der Breite oder der Länge des Bauteils (1) abweicht, dadurch gekennzeichnet, dass die zwei Schichten (6, 8) über wenigstens einen Steg (22, 23, 24, 25) miteinander verbunden sind.

公开(公告)号：DE102021116674A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102021116674

申请日：2021-06-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT

IPC: H01S5/0225 ,  G01S7/481 ,  G02B5/00 ,  H01S5/10

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse. Ein optisches Element (10) und ein Halbleiterlaser (20) sind entlang einer gemeinsamen optischen Achse innerhalb des Gehäuses angeordnet. Dabei ist der Halbleiterlaser eingerichtet, durch einen Laserprozess einen Lichtstrahl mit beugungsbegrenzter Divergenz zu generieren, so dass der Lichtstrahl am optischen Element im Wesentlichen kollimiert ist.

公开(公告)号：DE102015104237B4

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：DE102015104237

申请日：2015-03-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  GÖÖTZ BRITTA

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/50

Abstract: Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40)mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (200), der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem ersten Spektralbereich (610, 710) zu emittieren,mit einem wellenlängenkonvertierenden Element (300), das dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem ersten Spektralbereich (610, 710) in elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem zweiten Spektralbereich (620, 720) zu konvertieren,und mit einem reflektierenden Element (400, 410), das im ersten Spektralbereich (610, 710) eine erste Reflektivität (615, 715) und im zweiten Spektralbereich (620, 720) eine zweite Reflektivität (625, 725) aufweist,wobei der erste Spektralbereich (610, 710) im Bereich unterhalb von 1100 nm liegt,wobei der zweite Spektralbereich (620, 720) im Bereich oberhalb von 1200 nm liegt,wobei das wellenlängenkonvertierende Element (300) Quantenpunkte aufweist,wobei das wellenlängenkonvertierende Element (300) zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip (200) und dem reflektierenden Element (410) angeordnet ist,wobei die erste Reflektivität (715) größer als die zweite Reflektivität (725) ist,wobei das reflektierende Element (410) an einer Trägerscheibe (500) angeordnet ist,wobei die Trägerscheibe (500) Silicium aufweist.

公开(公告)号：DE102021103828A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102021103828

申请日：2021-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JENTZSCH BRUNO ,  HALBRITTER HUBERT ,  MÜLLER MARTIN

IPC: H01S5/185 ,  H01S5/065 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Zone (21, 22, 23) zur Erzeugung zumindest einer Laserstrahlung (L1, L2, L3) und senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) sowie eine Elektrode (31) an einer Halbleiteroberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) zur Bestromung der Halbleiterschichtenfolge (2),wobei- die Halbleiterschichtenfolge (2) in Richtung quer zu einer Resonatorlängsachse (R) und in Draufsicht auf die Halbleiteroberseite (20) gesehen breiter ist als die Elektrode (31) und der Halbleiterlaser (1) gewinngeführt sein kann, und- sich an einer Umlenkfläche (4) und/oder an einer Auskoppelseite (40) für die zumindest eine Laserstrahlung (L1, L2, L3) mindestens ein Modenbegrenzer (5) befindet, der dazu eingerichtet ist, in Draufsicht auf die Auskoppelseite (40) gesehen die zumindest eine Laserstrahlung (L1, L2, L3) in Richtung senkrecht zur Resonatorlängsachse (R) zu begrenzen.