公开(公告)号：DE102021113701A1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：DE102021113701

申请日：2021-05-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KEIDLER MARKUS ,  MÜLLER MARTIN

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/301 ,  H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01S5/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauteilen (10, 11) angegeben, wobei das Verfahren umfasst:- Bereitstellen zumindest eines Halbleiterwafers (1), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten, miteinander verbundenen Einzeldiodenelementen (12) aufweist, die jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge (2) umfassen,- Erzeugen von thermisch induzierten Sollbruchstellen (6) in der Halbleiterschichtenfolge (2) zwischen den Einzeldiodenelementen (12) mittels Laserstrahlung,- Anordnen des Halbleiterwafers (1) auf einem Träger (7),- Verbinden des Halbleiterwafers (1) mit dem Träger (7), wobei die Einzeldiodenelemente (12) an den thermisch induzierten Sollbruchstellen (6) zumindest teilweise voneinander getrennt werden.Ferner werden optoelektronische Bauteile angegeben.

公开(公告)号：DE102006010727B4

公开(公告)日：2019-10-24

申请号：DE102006010727

申请日：2006-03-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PHILIPPENS MARC DR ,  ALBRECHT TONY ,  MÜLLER MARTIN ,  SCHMID WOLFGANG DR

IPC: H01S5/183 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01S5/042 ,  H01S5/06 ,  H01S5/343

Abstract: Oberflächenemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit einer vertikalen Emissionsrichtung, das einen Halbleiterkörper (2) mit einer Mehrzahl von zur Erzeugung von Strahlung geeigneten, in vertikaler Richtung voneinander beabstandet angeordneten aktiven Bereichen (4a, 4b) umfasst, wobei- ein frequenzselektives Element (6) im Halbleiterkörper ausgebildet ist;- das frequenzselektive Element (6) zwischen zwei benachbarten aktiven Bereichen (4a, 4b) angeordnet ist;- das frequenzselektive Element (6) einen Braggspiegel (7, 8) und einen weiteren Braggspiegel (7, 8) aufweist; und- ein Tunnelübergang, über den die beiden aktiven Bereiche elektrisch leitend verbunden sind, zwischen dem Braggspiegel und dem weiteren Braggspiegel angeordnet ist.

公开(公告)号：DE112017006473A5

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE112017006473

申请日：2017-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER MARTIN ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01S5/022

公开(公告)号：DE102017125237A1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102017125237

申请日：2017-10-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER MARTIN ,  GRÖNNINGER GÜNTHER

IPC: H01S5/40

Abstract: Halbleiterlaserarray (1) mit einer Mehrzahl von Halbleiterlasern (10) umfassend ein gemeinsames Substrat (20, 20n, 20p), das die gemeinsame Anode (A) der Mehrzahl von Halbleiterlasern (10) ist, wobei jeder Halbleiterlaser (10) jeweils einen pn-Übergangsbereich (110, 120, 130) zwischen der gemeinsamen Anode (A) und einer Kathodenkontaktschicht (30, 30n, 30p) aufweist und der pn-Übergangsbereich (110, 120, 130) eine p-dotierte Schicht (p) und eine n-dotierte Schicht (n) umfasst und die p-dotierte Schicht (p) des pn-Übergangsbereichs (110, 120, 130) dem Substrat (20, 20n, 20p) zugewandt ist. Die Halbleiterlaserarrayschaltungsanordnung umfasst solch ei Halbleiterlaserarray (1), dessen Laser (10) jeweils von einem Treiber (60) mit einem n-MOSFET (66) angesteuert werden.

公开(公告)号：DE102021103828A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102021103828

申请日：2021-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JENTZSCH BRUNO ,  HALBRITTER HUBERT ,  MÜLLER MARTIN

IPC: H01S5/185 ,  H01S5/065 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Zone (21, 22, 23) zur Erzeugung zumindest einer Laserstrahlung (L1, L2, L3) und senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) sowie eine Elektrode (31) an einer Halbleiteroberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) zur Bestromung der Halbleiterschichtenfolge (2),wobei- die Halbleiterschichtenfolge (2) in Richtung quer zu einer Resonatorlängsachse (R) und in Draufsicht auf die Halbleiteroberseite (20) gesehen breiter ist als die Elektrode (31) und der Halbleiterlaser (1) gewinngeführt sein kann, und- sich an einer Umlenkfläche (4) und/oder an einer Auskoppelseite (40) für die zumindest eine Laserstrahlung (L1, L2, L3) mindestens ein Modenbegrenzer (5) befindet, der dazu eingerichtet ist, in Draufsicht auf die Auskoppelseite (40) gesehen die zumindest eine Laserstrahlung (L1, L2, L3) in Richtung senkrecht zur Resonatorlängsachse (R) zu begrenzen.

公开(公告)号：DE102016125430A1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE102016125430

申请日：2016-12-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER MARTIN ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01S5/00

Abstract: In einer Ausführungsform ist der Halbleiterlaser (1) oberflächenmontierbar und umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Laserstrahlung (L) eingerichteten Erzeugungsbereich (22) zwischen einer p-Seite (p) und einer n-Seite (n) beinhaltet. Weiterhin umfasst der Halbleiterlaser zwei Kontaktflächen (31, 32) zur externen elektrischen Kontaktierung der p-Seite (p) und der n-Seite (n). Dabei ist der Erzeugungsbereich (22) dazu eingerichtet, gepulst mit zeitweisen Stromdichten von mindestens 30 A/mmbetrieben zu werden. Die Kontaktflächen (31, 32) befinden sich an derselben Seite der Halbleiterschichtenfolge (2) in einer gemeinsamen Ebene, sodass der Halbleiterlaser (1) bonddrahtfrei kontaktierbar ist.

公开(公告)号：DE102014113975A8

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：DE102014113975

申请日：2014-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER MARTIN ,  GRÖNNINGER GÜNTHER ,  KREUTER PHILIPP ,  BEHRES ALEXANDER

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/101

公开(公告)号：DE102014113975A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102014113975

申请日：2014-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER MARTIN ,  BEHRENS ALEXANDER ,  GRÖNNINGER GÜNTHER ,  KREUTER PHILIPP

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/101

Abstract: Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur mit wenigstens einer Schicht aus einem halbleitenden Material und mit einer kompressiv verspannten Funktionsschicht, wobei in einem vorgegebenen Abstand zur Funktionsschicht eine Getterschicht in der Schichtstruktur vorgesehen ist, wobei die Getterschicht als weitere kompressiv verspannte Schicht ausgebildet ist, um wandernde Leerstellen der Schichtstruktur zu binden.

公开(公告)号：DE112017006473B4

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：DE112017006473

申请日：2017-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER MARTIN ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01S5/022

Abstract: Oberflächenmontierbarer Halbleiterlaser (1), der ein Kantenemitter ist, mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2), die mindestens einen zur Erzeugung von Laserstrahlung (L) eingerichteten Erzeugungsbereich (22) zwischen einer p-Seite (p) und einer n-Seite (n) aufweist, und- mindestens zwei Kontaktflächen (31, 32) zur externen elektrischen Kontaktierung der p-Seite (p) und der n-Seite (n), und- mehreren Stromschienen (5), die sich von der Seite mit den Kontaktflächen (31, 32) her vollständig über die Halbleiterschichtenfolge (2) erstrecken und die in Draufsicht gesehen an einem Rand der Halbleiterschichtenfolge (2) liegen, sodass die Stromschienen (5) nur zum Teil von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) umgeben sind, und/oder mehreren Durchkontaktierungen (4), die mindestens den Erzeugungsbereich (22) von der Seite mit den Kontaktflächen (31, 32) her vollständig durchdringen und die in Draufsicht gesehen innerhalb der Halbleiterschichtenfolge (2) liegen, sodass die Durchkontaktierungen (4) ringsum von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) umgeben sind, wobei- der Erzeugungsbereich (22) dazu eingerichtet ist, gepulst mit zeitweisen Stromdichten von mindestens 30 A/mm2betrieben zu werden,- sich die Kontaktflächen (31, 32) an derselben Seite der Halbleiterschichtenfolge (2) in einer gemeinsamen Ebene befinden, sodass der Halbleiterlaser (1) bonddrahtfrei kontaktierbar ist, und- die Durchkontaktierungen (4) und/oder die Stromschienen (5) in Draufsicht gesehen in mindestens zwei Reihen angeordnet sind und sich je mindestens eine der Reihen auf jeder Seite einer Längsachse (A) befindet, und es sich bei der Längsachse (A) um eine Resonatorachse des Halbleiterlasers (1) handelt und jede der Reihen mehrere der Durchkontaktierungen (4) und/oder der Stromschienen (5) beinhaltet.