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公开(公告)号：CN106946219A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611114288.0
申请日：2016-12-07
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00277 , B81B7/0035 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , G01P15/0802 , B81B7/02
Abstract: 本发明提出用于制造微机械构件的方法，具有衬底和与衬底连接且与衬底包围第一空穴的罩，在第一空穴中存在第一压力且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，‑第一方法步骤中，在衬底或罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，‑第二方法步骤中，调节第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，‑第三方法步骤中，通过借助激光将能量或热量引入衬底或罩的吸收部分来封闭进入开口，其特征在于，‑第四方法步骤中，第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层在衬底或罩表面上沉积或生长，‑第五方法步骤中，提供包括第二晶体层和/或第二无定型层和/或纳米晶体层和/或第二多晶体层的衬底或者罩。
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公开(公告)号：CN103221333B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201180055630.3
申请日：2011-09-16
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , H01L23/481 , H01L2224/131 , H01L2924/1461 , H05K1/18 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本文涉及多晶片微机电系统(MEMS)封装。在一示例中，多晶片MEMS封装可以包括：控制器集成电路(IC)，所述控制器集成电路配置成耦合到电路板；MEMS IC，所述MEMS IC安装到所述控制器IC的第一侧；硅通孔，所述硅通孔穿过所述控制器IC在所述第一侧和所述控制器IC的第二侧之间延伸，所述第二侧与所述第一侧相反；并且其中，所述MEMS IC耦合到所述硅通孔。
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公开(公告)号：CN103837705B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310613108.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 铃木利尚
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0051 , B81B2201/0235 , G01P15/18 , G01P2015/0814 , G01P2015/0871
Abstract: 一种实现装置全面小型化和改善灵敏度的加速度传感器，包括第一传感器。第一传感器配备有静电电容器，所述静电电容器配置使得第一固定电极、第二固定电极和可动电极集中设置一列。在静电电容器中，第一固定电极、第二固定电极和可动电极设置为在基板平面视图中对应于锤部中心的位置处沿加速度检测方向（y轴线方向）彼此毗邻。在每一个电极的一个纵向侧端部（沿x轴线方向的一个端部）处，连接件设置为通过连接件将第一固定电极和第二固定电极连接到。
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公开(公告)号：CN104944359B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410113757.1
申请日：2014-03-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81B7/0074 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81C1/00182 , B81C1/00214
Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中所述MEMS器件，包括：衬底，所述衬底中形成有集成电路；位于衬底上的第一介质层，第一介质层中形成有若干第一金属连接端和第二金属连接端，第一金属连接端和第二金属连接端与集成电路电相连；位于第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层中形成有加速度传感器，加速度传感器与第一金属连接端电连接；位于第二介质层上与第二介质层键合的半导体基底；位于半导体基底和第二介质层中若干第一金属插塞，第一金属插塞与第二金属连接端电连接；位于半导体基底上的压力传感器，压力传感器与第一金属插塞电连接。本发明的MEMS器件实现压力传感器和加速度传感器的集成，并且MEMS器件的体积较小。
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公开(公告)号：CN104169657B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380013497.4
申请日：2013-03-12
Applicant: W.L.戈尔及同仁股份有限公司
Inventor： A·J·霍利达
IPC: F24F7/00
CPC classification number: B81B7/0061 , B01D53/228 , B01D69/12 , B01D71/06 , B23B3/00 , B32B3/266 , B32B37/18 , B32B38/0004 , B81B7/0041 , B81B7/0058 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00293 , H04R1/28 , H04R25/456 , H04R2460/11 , Y10T156/1052 , Y10T428/24331
Abstract: 本发明涉及包括多个排气区域的排气阵列，排气区域包括多孔PTFE基底材料和包括具有多个穿孔的基质材料的无孔材料，其中，基质材料填充多孔PTFE基底的孔，以形成无孔区域，该无孔区域使多个排气区域互连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106335869A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610085669.4
申请日：2016-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , B81C1/00976 , B81B7/02 , B81B7/0032 , B81C1/00015
Abstract: 本发明提供了CMOS-MEMS器件结构。CMOS-MEMS器件结构包括感测衬底和CMOS衬底。感测衬底包括接合台面结构。CMOS衬底包括顶部介电层。感测衬底和CMOS衬底通过接合台面结构接合，并且接合台面结构限定CMOS衬底和感测衬底之间的接合间隙。本发明提供了一种用于接合第一半导体结构和第二半导体结构的接合台面结构。此外，本发明还提供了一种制造CMOS-MEMS器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN106289211A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610807852.0
申请日：2013-01-31
IPC: G01C19/5656 , B81B7/00
CPC classification number: G01C19/5656 , B81B7/0029 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235
Abstract: 描述了一种具有微粒屏障的传感器。在一示例中，传感器包括：分别被设置在平坦的支承表面上和检测质量块上的第一电极组和第二电极组，所述检测质量块能沿着大体平行于所述平坦的支承表面的第一轴线顺从地移位；和第一屏障，该第一屏障被设置在所述平坦的支承上围绕所述第一电极组，并且具有的高度小于所述平坦的支承与所述检测质量块之间的间隙，以减轻向所述第一电极组或所述第二电极组中的微粒迁移。
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公开(公告)号：CN106276780A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610481536.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01D11/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81C1/00309 , B81C2201/0123 , B81C1/00182 , B81B3/0021 , B81B7/02
Abstract: 根据本发明涉及一种用于制造微机械元件的方法以及用此方法制造的微机械元件。所述微机械元件具有传感器衬底和安装在传感器衬底上的罩。为了制造该罩，在罩衬底的正面的表面上在一个被限制的区域设置多个开口，例如呈微孔的形式(直径几微米)。在制造这些开口时应注意，开口在罩衬底内终止，即不完全穿过罩衬底并具有较小的深度。然后将如此加工的罩衬底安装在传感器衬底上，其中，带有多个开口的罩衬底正面朝向传感器衬底。然后将罩衬底的一部分从背面去除，例如通过从背面减薄、磨削工艺或者其他适合于此的半导体工艺。通过从背面去除罩衬底材料来产生通向所述开口的进入口。
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公开(公告)号：CN103958393B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280055218.6
申请日：2012-11-09
Applicant: 株式会社优利电子
IPC: H01L23/28
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B7/007 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00285 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , H01L31/02016 , H01L2224/291 , H01L2924/014
Abstract: 本发明涉及MEMS传感器封装及其方法。一种微机电系统(MEMS)传感器封装，包括：第一晶片，其上形成有读出集成电路(ROIC)；第二晶片，其对应于第一晶片设置并在其一侧上具有凹部以及在凹部上制备的MEMS传感器；连结焊料，其沿MEMS传感器周围形成并通过连结第一和第二晶片而密封MEMS传感器；以及盘焊料，其形成为电连接第一晶片的ROIC电路和第二晶片的MEMS传感器。根据本公开，在对其上形成有ROIC的晶片和其上形成有MEMS传感器的晶片进行连结和封装时，通过在内部形成盘焊料以电连接ROIC和MEMS传感器封装件的尺寸可减小并可稳定地提供电信号。
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公开(公告)号：CN101624168B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN200910159751.7
申请日：2009-07-10
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2203/0109 , B81B2207/07 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/084 , Y10T29/42
Abstract: 本发明的传感器具备：框部；从该框部向内侧方向突出的多个梁部；通过梁来支撑重锤部；配置在梁部的压电电阻元件；以及被覆压电电阻元件的绝缘层，其中，压电电阻元件具有1个以上的折叠部，在位于该折叠部的绝缘层上配置金属布线，将该金属布线经由形成在绝缘层的2个以上的接触孔连接到折叠部，在位于压电电阻元件的两端部的绝缘层设置接触孔，使电桥电路布线经由该接触孔连接到压电电阻元件。
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