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    Protection contre des surtensions
    1.
    发明专利
    Protection contre des surtensions 未知

    公开(公告)号：FR3104841B1

    公开(公告)日：2021-12-24

    申请号：FR1914398

    申请日：2019-12-13

    Applicant: ST MICROELECTRONICS INC ,  ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  BLAUSER JEFFREY ,  GRANGE KARL ,  SAADNA MOHAMED

    IPC: H02H9/04

    Abstract: Protection contre des surtensions La présente description concerne une interface d’alimentation (414) comprenant :un premier interrupteur (309) reliant une borne d’entrée (301) de l’interface à une borne de sortie (305) de l’interface ;un pont diviseur (311) de tension reliant la borne d’entrée (301) à un nœud de référence (313) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; un comparateur (323) dont une première entrée est connectée à un premier nœud (319) du pont diviseur et dont une deuxième entrée est configurée pour recevoir un potentiel constant (Vth) ; un convertisseur numérique analogique (DAC) ;un deuxième interrupteur (329) reliant une sortie du convertisseur (DAC) à un deuxième nœud (321) du pont diviseur (311) ; etun premier circuit (331) configuré pour commander le deuxième interrupteur (329) et le convertisseur (DAC), dans lequel une commande du premier interrupteur est déterminée par un signal de sortie (comp_sig) du comparateur (323). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    Protection contre des surtensions
    2.
    发明专利
    Protection contre des surtensions 未知

    公开(公告)号：FR3104841A1

    公开(公告)日：2021-06-18

    申请号：FR1914398

    申请日：2019-12-13

    Applicant: ST MICROELECTRONICS INC ,  ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  BLAUSER JEFFREY ,  GRANGE KARL ,  SAADNA MOHAMED

    IPC: H02H9/04

    Abstract: Protection contre des surtensions La présente description concerne une interface d’alimentation (414) comprenant :un premier interrupteur (309) reliant une borne d’entrée (301) de l’interface à une borne de sortie (305) de l’interface ;un pont diviseur (311) de tension reliant la borne d’entrée (301) à un nœud de référence (313) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; un comparateur (323) dont une première entrée est connectée à un premier nœud (319) du pont diviseur et dont une deuxième entrée est configurée pour recevoir un potentiel constant (Vth) ; un convertisseur numérique analogique (DAC) ;un deuxième interrupteur (329) reliant une sortie du convertisseur (DAC) à un deuxième nœud (321) du pont diviseur (311) ; etun premier circuit (331) configuré pour commander le deuxième interrupteur (329) et le convertisseur (DAC), dans lequel une commande du premier interrupteur est déterminée par un signal de sortie (comp_sig) du comparateur (323). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    PROCEDE DE FABRICATION DE PUCES ISOLEES LATERALEMENT
    6.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION DE PUCES ISOLEES LATERALEMENT 未知

    公开(公告)号：FR3069102A1

    公开(公告)日：2019-01-18

    申请号：FR1756678

    申请日：2017-07-13

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  BOUFNICHEL MOHAMED ,  LACONDE ERIC

    IPC: H01L21/76

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de puces isolées (25) latéralement à partir d'une tranche semiconductrice, comprenant les étapes successives suivantes : former des tranchées périphériques (33) délimitant latéralement les puces à former (25), de profondeur supérieure ou égale à l'épaisseur des puces (25), en répétant des étapes successives de gravure ionique utilisant un plasma d'hexafluorure de silicium et de passivation utilisant un plasma d'octafluorocyclobutane de façon que, à l'issue de l'étape de formation de la tranchée (33), les parois latérales de la tranchée (33) soient recouvertes d'une couche isolante d'un polyfluoroéthylène (35) ; et amincir la tranche par sa face inférieure jusqu'à atteindre le fond de la tranchée (33) sans étape préalable de retrait de ladite couche isolante.

    COMPOSANT DE PROTECTION CONTRE DES SURTENSIONS
    9.
    发明专利
    COMPOSANT DE PROTECTION CONTRE DES SURTENSIONS 未知

    公开(公告)号：FR3023060A1

    公开(公告)日：2016-01-01

    申请号：FR1455999

    申请日：2014-06-26

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  MOINDRON LAURENT ,  BALLON CHRISTIAN

    IPC: H01L29/87 ,  H02H9/04

    Abstract: L'invention concerne un composant (10) comportant une diode de Shockley verticale (D1) comprenant du haut vers le bas une première région (15) d'un premier type de conductivité, un substrat (13a) d'un second type de conductivité, une deuxième région (17) du premier type de conductivité dans laquelle est formée une troisième région (19) du second type de conductivité, ce composant comportant en outre un premier transistor vertical (T2'), ce transistor comprenant du haut vers le bas une portion (13b) dudit substrat séparée de la diode de Shockley (D1) par un mur vertical (22), une portion de la deuxième région (17), une quatrième région (24) de même nature que la troisième région (19), formée dans ladite portion de la deuxième région (17), la troisième région (19) étant connectée à la quatrième région (24).

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