公开(公告)号：WO2014104552A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/KR2013/009502

申请日：2013-10-24

Applicant: (재)한국나노기술원 ,  성균관대학교 산학협력단

Inventor： 박원규 ,  허종곤 ,  전동환 ,  박진홍 ,  심재우

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

Abstract: 본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600℃~700℃에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种在半导体器件的接合区域处理缺陷的方法，包括以下步骤：通过在衬底上生长p-Ge层来沉积电极; 通过在p-Ge层上的离子注入形成n + Ge区域，或通过原位掺杂和在p-Ge层上蚀刻，或沉积氧化物层，在原位上进行图案化，蚀刻和掺杂 p-Ge层; 形成用于封盖的氧化物层; 并在600〜700℃下进行1〜3小时的热处理。 通过热处理，可以处理n + / p结的Ge缺陷，并且通过热处理加深接头可以相对降低，从而使泄漏电流最小化并提高半导体器件的性能。 此外，该方法可用于高堆叠半导体器件或制造相同的结构。

公开(公告)号：KR101582349B1

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：KR1020140139834

申请日：2014-10-16

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 허종곤 ,  전동환 ,  박원규 ,  박진홍 ,  임정우 ,  유광위

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은확장된광흡수영역을포함하는태양전지및 그제조방법에관한것으로서, 제1 기판을기초로생성된제1 셀, 제2 기판을기초로생성되고, 상기제1 셀보다수평면적이확장되어확장영역을갖는제2 셀, 및상기제1 셀과상기제2 셀을접착하는하나이상의본딩금속을포함하되, 상기제2 셀은상기확장영역을통해직접태양광을흡수하는것을특징으로한다. 본발명에따르면확장된광흡수영역을통해광입자를흡수함으로써, 본딩금속의면적및 하부셀결함에의해발생하는전류량손실을개선할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括扩展光吸收区域的太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括基于第一基板产生的第一单元，基于第二基板生成的具有比第一单元延伸的水平面以具有延伸区域的第二单元，以及至少一个键合金属 第一个细胞和第二个细胞。 第二个细胞通过延伸区直接吸收阳光。 根据本发明，通过扩展的光吸收区域吸收光子。 由此，可以提高接合金属的面积和由下部电池缺陷产生的电流的损失。

公开(公告)号：KR101419533B1

公开(公告)日：2014-07-14

申请号：KR1020120157977

申请日：2012-12-31

Applicant: (재)한국나노기술원 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박원규 ,  허종곤 ,  전동환 ,  박진홍 ,  심재우

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

Abstract: 본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600℃~700℃에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.

公开(公告)号：KR101193810B1

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：KR1020110096960

申请日：2011-09-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  허종곤 ,  박원규 ,  박진홍

IPC: H01L31/047 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/047 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A multi-junction solar cell and a manufacturing method thereof are provided to prevent the reduction of a lifetime of a carrier by bonding a substrate after grid matched materials are grown on heterogeneous substrates. CONSTITUTION: A first solar cell layer(12) is deposited or grown on a first base substrate. A second base substrate(20) is made of materials which are different from the first base substrate. A second solar cell layer(22) is deposited or grown on the second base substrate. A bonding layer(30) bonds an ohmic layer formed on the first solar cell layer or the first base layer to an ohmic layer formed on the second solar cell layer or the second base layer.

Abstract translation: 目的：提供一种多结太阳能电池及其制造方法，以防止在异质基板上生长栅格匹配材料之后通过接合基板来降低载体的寿命。 构成：第一太阳能电池层（12）沉积或生长在第一基底上。 第二基底（20）由与第一基底不同的材料制成。 在第二基底衬底上沉积或生长第二太阳能电池层（22）。 接合层（30）将形成在第一太阳能电池层或第一基极层上的欧姆层与形成在第二太阳能电池层或第二基极层上的欧姆层接合。

公开(公告)号：KR1020140087549A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：KR1020120157977

申请日：2012-12-31

Applicant: (재)한국나노기술원 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박원규 ,  허종곤 ,  전동환 ,  박진홍 ,  심재우

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

Abstract: The present invention relates to a method of repairing a defect in a junction region of a semiconductor device. A p-Ge layer grows on a substrate, and an n+ Ge region is formed on the p-Ge layer through ion implantation or in-situ doping is performed on the upper portion of the p-Ge layer to form the n+ Ge region or an oxide layer is deposited on the p-Ge layer, pattered, etched, and in-situ doped to form the n+ Ge region. After an oxide layer for capping is formed, heat treatment is performed thereon at a temperature of 600-700°C for 1 to 3 hours to deposit an electrode. A leakage current is minimized to improve characteristics of a semiconductor device by relatively reducing deep junction through the heat treatment. The method has advantages in that high integration and refinement of the semiconductor device are realized.

Abstract translation: 本发明涉及修复半导体器件的接合区域中的缺陷的方法。 p-Ge层在衬底上生长，并且通过离子注入在p-Ge层上形成n + Ge区，或者在p-Ge层的上部进行原位掺杂以形成n + Ge区或 氧化物层沉积在p-Ge层上，图案化，蚀刻和原位掺杂以形成n + Ge区域。 在形成用于封盖的氧化物层之后，在600-700℃的温度下对其进行1至3小时的热处理以沉积电极。 通过相对减少通过热处理的深度接合，使漏电流最小化以改善半导体器件的特性。 该方法具有实现半导体器件的高集成度和精细化的优点。