公开(公告)号：KR101068176B1

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：KR1020100054210

申请日：2010-06-09

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송호영 ,  오일환 ,  강호관 ,  신기수

IPC: H01L29/866

CPC classification number: H01L29/866 ,  H01L25/167

Abstract: 본 발명은 발광 소자 패키지에 장착되는 제너 다이오드에 있어, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 제너 다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 제너 다이오드는 측면이 바닥면과 경사지게 형성되며 제1 도전형으로 도핑되어 있는 기판과, 기판의 바닥면에 형성되어 있는 하부 전극과, 기판의 상부에 형성되며 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형으로 도핑되어 있는 활성 영역과, 활성 영역 상에 형성되어 있는 상부 전극과, 기판의 측면과 상면에 형성되어 있는 절연막과, 절연막 상에 형성되되 상부 전극과 전기적으로 연결되지 않도록 형성되어 있는 반사막을 구비한다.

公开(公告)号：KR101205826B1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：KR1020100056268

申请日：2010-06-15

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  유승환 ,  강호관 ,  이종근 ,  고철기 ,  정상현 ,  신현범 ,  송호영 ,  장민철

IPC: B29C33/38 ,  B29C35/08 ,  B29C43/02

Abstract: 하나의 스탬프를 이용해 패턴 모양이나 크기가 변화된 다른 스탬프를 제조 하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 스탬프 제조 방법의 일 구성에서는 금속 원소에 빛과 열 중 적어도 어느 하나에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체를 포함하는 무기물 레진을 스탬프용 기판에 코팅한 후, 패턴을 가진 제1 스탬프를 준비한다. 상기 제1 스탬프로 상기 무기물 레진을 가압한 후에 상기 가압된 무기물 레진에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 경화된 금속 산화 박막 패턴을 형성한다. 상기 제1 스탬프를 상기 금속 산화 박막 패턴으로부터 제거한 다음, 상기 제1 스탬프의 패턴과 다른 금속 산화 박막 패턴을 가지는 제2 스탬프를 제조하기 위하여, 상기 금속 산화 박막 패턴의 모양, 선폭 및 높이 중 적어도 어느 하나를 변화시키도록 상기 금속 산화 박막 패턴을 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사한다.

公开(公告)号：KR101220421B1

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：KR1020100056267

申请日：2010-06-15

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  유승환 ,  강호관 ,  이종근 ,  고철기 ,  정상현 ,  신현범 ,  송호영 ,  장민철

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/04 ,  B29C33/38

Abstract: 본 발명은 패터닝된 그래핀을 원하는 위치에 전사할 수 있고, 그래파이트화 촉매의 식각에 따른 오염 문제가 없는 그래핀 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 패턴 형성 방법의 일 구성은 마스터 기판 상에 패턴이 형성되어 있는 임프린트 스탬프를 준비하는 단계; 상기 임프린트 스탬프 상에 그래파이트화 촉매를 포함하는 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막이 형성된 임프린트 스탬프 상에 그래핀을 형성하는 단계; 및 상기 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 임프린트 방법을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 전사하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110136341A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：KR1020100056268

申请日：2010-06-15

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  유승환 ,  강호관 ,  이종근 ,  고철기 ,  정상현 ,  신현범 ,  송호영 ,  장민철

IPC: B29C33/38 ,  B29C35/08 ,  B29C43/02

CPC classification number: B29C33/38 ,  B29C33/424 ,  B29C2033/426 ,  G03F7/0002

Abstract: PURPOSE: A method for making stamps with changed pattern and size by using another stamp is provided to manufacture new size and patterns of a stamp by varying a line width of a pattern without complex lithography. CONSTITUTION: A method for making stamps with changed pattern and size by using another stamp is as follows. An inorganic material resin(20) including metal-organic precursor is coated in a substrate(10) for a stamp. A first stamp(30) having patterns(31) is prepared. The inorganic material resin is pressurized with the first stamp. The irradiation of ultraviolet rays at same time with heating is performed at the same time of a pressurized inorganic material resin heating time and an ultraviolet irradiating time. A hardened metal oxide thin film pattern(21) is formed. The first stamp is removed from a metal oxide thin film pattern.

Abstract translation: 目的：提供通过使用另一印章制作具有改变的图案和尺寸的印章的方法，以通过改变图案的线宽而无需复杂的光刻来制造印模的新尺寸和图案。 构成：通过使用另一个邮票制作具有改变的图案和尺寸的邮票的方法如下。 将包含金属 - 有机前体的无机材料树脂（20）涂覆在用于印模的基板（10）中。 准备具有图案（31）的第一印章（30）。 无机材料树脂用第一印模加压。 在加压无机材料树脂加热时间和紫外线照射时间的同时进行加热的同时照射紫外线。 形成硬化的金属氧化物薄膜图案（21）。 从金属氧化物薄膜图案中去除第一印模。

公开(公告)号：KR1020110136340A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：KR1020100056267

申请日：2010-06-15

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  유승환 ,  강호관 ,  이종근 ,  고철기 ,  정상현 ,  신현범 ,  송호영 ,  장민철

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/04 ,  B29C33/38

CPC classification number: C01B32/184 ,  B29C33/38 ,  B81C1/0046 ,  B82B3/00 ,  C01B2204/04 ,  G03F7/0002

Abstract: PURPOSE: A method for forming a graphene pattern using an imprinting technique is provided to easily adjust the thickness of transferred graphene by adjusting the strength of a voltage if a graphene transferring process is implemented based on an electronic filed. CONSTITUTION: An imprint stamp(210), in which a pattern(205) is formed on a master substrate(200), is prepared. A metal film(220) containing a graphitization catalyst is formed on the imprint stamp. Graphene(230) is formed on the imprint stamp. The graphene is transferred to a substrate(240) for manufacturing devices in order to form a graphene pattern. The graphitization catalyst is one or more selected from Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, and Zr.

Abstract translation: 目的：提供一种使用压印技术形成石墨烯图案的方法，以便通过基于电子场来实现石墨烯转印处理，通过调节电压的强度来容易地调节转印石墨烯的厚度。 构成：准备在母板（200）上形成有图案（205）的压印印模（210）。 在压印印模上形成含有石墨化催化剂的金属膜（220）。 石墨烯（230）形成在印记上。 将石墨烯转移到用于制造器件的衬底（240）以形成石墨烯图案。 石墨化催化剂是选自Ni，Co，Fe，Pt，Au，Al，Cr，Cu，Mg，Mn，Mo，Rh，Si，Ta，Ti，W，U，V和Zr中的一种或多种。