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公开(公告)号：KR101486712B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130166261
申请日：2013-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명의 일 측면에 의하면, 플렉서블한 기판 상에 금속 시드층을 형성하는 제1단계; 상기 금속 시드층 상에 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist; 이하 DFR층)를 적층하는 제2단계; 상기 DFR층의 패터닝에 의해 1차 패턴을 형성하여 상기 금속 시드층의 일부를 노출시키는 제3단계; 상기 일부 노출된 금속 시드층 상에 도금 공정을 통한 제1금속패턴을 형성하는 제4단계; 상기 제1금속패턴 및 상기 DFR층 상에 PR(Photoresist)층을 코팅하고, PR층의 패터닝에 의해 2차 패턴을 형성하여 상기 제1금속패턴의 일부 영역을 노출시키는 제5단계; 상기 제1금속패턴 상의 노출된 영역 상에 도금 공정을 통해 제2금속패턴을 형성하는 제6단계; 상기 DFR층 및 PR층을 동시에 제거하여, 플렉서블 기판 상에 상기 제1금속패턴과 제2금속패턴으로 이루어진 금속 구조체를 형성하는 제7단계; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판 상에 입체형 금속 구조체를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 높은 단차가 필요한 구성에 감광필름(Dry Film Resist; DFR)을 사용함으로써, 플렉서블 기판에 금속 구조체를 제작할 때, 고열이 기판에 작용하지 않도록 하는 효과가 있다.Abstract translation: 本发明实施例提供的在柔性基板上制造三维金属结构的方法包括：在柔性基板上形成金属种子层的第一步骤; 在金属种子层上堆叠干膜抗蚀剂（DFR）层的第二步骤; 第三步骤，通过形成DFR层的图形来形成初级图案来暴露金属种子层的一部分; 通过电镀工艺在所述部分暴露的金属种子层上形成第一金属图案的第四步骤; 第五步骤，用光致抗蚀剂（PR）层涂覆第一金属图案和DFR层，并通过PR层的图案形成二次图案来曝光第一金属图案的部分区域; 在通过电镀工艺从第一金属图案露出的区域上形成第二金属图案的第六步骤; 以及通过同时去除DFR层和PR层在柔性基板上形成由第一金属图案和第二金属图案形成的金属结构的第七步骤。 因此，本发明能够通过使用DFR用于需要高高差的组合物在柔性基板上制造金属结构时，能够防止在基板上施加高热。
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公开(公告)号：KR101219030B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020110039866
申请日：2011-04-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 도전성 지지층이 요철구조로 이루어진 질화갈륨(GaN)을 기반으로 하는 질화갈륨계 수직형 발광다이오드(Light Emitting Diode; LED) 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, n형 전극, n형 전극 하면에 형성된 n형 질화갈륨층, n형 질화갈륨층 하면에 형성된 활성층, 활성층 하면에 형성된 p형 질화갈륨층, p형 질화갈륨층 하면에 형성된 p형 전극, p형 전극의 하면과 상기 p형 전극에서 노출된 상기 p형 질화갈륨층의 하면에 형성된 금속층 및 금속층 하면에 형성된 요철 구조의 도전성 지지층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 수직형 LED 소자 제조방법은 먼저, 반도체 기판 상에 순차적으로 n형 질화갈륨층, 활성층 및 p형 질화갈륨층을 순차적으로 형성한 후, p형 질화갈륨층의 상면에 p형 전극을 형성하는 단계, p형 전극의 상면과 p형 질화갈륨층의 상면에 금속층을 형성하는 단계, 금속층 전면에 감광액(Photoresist)을 도포하고, 포토리소그라피(Photolithography)공정을 활용하여 절단부(Street line) 영역에 감광액(Photoresist)패턴을 형성하는 단계, 감광액패턴이 형성된 금속층 전면에 도전성 지지층을 1차 형성하는 단계, 절단부(Street line) 영역에 형성된 감광액(Photoresist)을 제거하는 단계, 감광액이 제거된 상태에서 도전성 지지층을 2차 형성함으로써, 절단부 및 반도체 구조 영역의 두께가 상이한 요철 구조의 도전성 지지층을 형성하는 단계, 반도체 기판을 분리하는 단계, 소자 영역이외 영역의 질화갈륨층을 제거하는 단계 및 n형 질화갈륨층의 상면에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR101270499B1
公开(公告)日：2013-06-03
申请号：KR1020100115397
申请日：2010-11-19
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 하나의 패턴 안에서 선폭이 변화하는 모양으로 패턴을 형성하는 보다 간단한 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 패턴 형성 방법에서는, 금속 원소에 빛과 열 중 적어도 어느 하나에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체 조성물을 피식각층에 코팅한다. 요철 구조가 패턴된 몰드를 준비한 다음, 상기 몰드로 상기 금속-유기물 전구체 조성물을 가압한다. 상기 가압된 금속-유기물 전구체 조성물에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 경화된 제1 금속 산화 박막 패턴을 형성한다. 상기 몰드를 상기 제1 금속 산화 박막 패턴으로부터 제거한 후, 상기 제1 금속 산화 박막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층 일부를 식각한다. 상기 제1 금속 산화 박막 패턴을 가열하거나 마이크로웨이브(Microwave), X-선, 감마선 또는 자외선을 조사하거나 플라즈마 처리하여 상기 제1 금속 산화 박막 패턴 크기를 변경시켜 제2 금속 산화 박막 패턴을 형성한다. 상기 제2 금속 산화 박막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층을 식각한다.
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公开(公告)号：KR1020110136340A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：KR1020100056267
申请日：2010-06-15
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: C01B32/184 , B29C33/38 , B81C1/0046 , B82B3/00 , C01B2204/04 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A method for forming a graphene pattern using an imprinting technique is provided to easily adjust the thickness of transferred graphene by adjusting the strength of a voltage if a graphene transferring process is implemented based on an electronic filed. CONSTITUTION: An imprint stamp(210), in which a pattern(205) is formed on a master substrate(200), is prepared. A metal film(220) containing a graphitization catalyst is formed on the imprint stamp. Graphene(230) is formed on the imprint stamp. The graphene is transferred to a substrate(240) for manufacturing devices in order to form a graphene pattern. The graphitization catalyst is one or more selected from Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, and Zr.
Abstract translation: 目的：提供一种使用压印技术形成石墨烯图案的方法，以便通过基于电子场来实现石墨烯转印处理，通过调节电压的强度来容易地调节转印石墨烯的厚度。 构成：准备在母板（200）上形成有图案（205）的压印印模（210）。 在压印印模上形成含有石墨化催化剂的金属膜（220）。 石墨烯（230）形成在印记上。 将石墨烯转移到用于制造器件的衬底（240）以形成石墨烯图案。 石墨化催化剂是选自Ni，Co，Fe，Pt，Au，Al，Cr，Cu，Mg，Mn，Mo，Rh，Si，Ta，Ti，W，U，V和Zr中的一种或多种。
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公开(公告)号：KR101043343B1
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：KR1020080136539
申请日：2008-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L21/28
Abstract: 본 발명은 네거티브 포토레지스트를 이용하여 에어브릿지를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에어브릿지 제조방법은 기판 상에 복수의 하부 전극을 형성하고, 기판 상에 복수의 하부 전극이 함께 덮이도록 네거티브 포토레지스트로 이루어진 제1감광막을 도포한다. 그리고 적어도 2개의 하부 전극 표면이 노출되도록 제1감광막을 패터닝한 후, 패터닝된 제1감광막의 측벽이 포지티브 슬로프를 갖도록, 제1감광막을 하드 베이킹한다. 그리고 포지티브 슬로프를 갖는 제1감광막 상에 금속 시드층을 형성하고, 금속 시드층 상에 제2감광막을 형성한 후, 제2감광막을 패터닝한다. 그리고 시드 금속층 상에 전도성 물질을 증착하여 에어브릿지를 형성하고, 제1감광막, 제2감광막 및 제1감광막과 제2감광막 사이에 형성된 금속 시드층을 제거한다.
에어브릿지, 네거티브 포토레지스트, 하드 베이킹, 아세톤, 포지티브 슬로프-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100078312A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080136539
申请日：2008-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28194 , G03F7/168 , G03F7/70475 , H01L21/28562 , H01L21/3205
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an air-bridge using a negative photo-resist is provided to economically manufacture the air-bridge by simply removing a first photo-resist film, a second photo-resist film, and a metal seed layer through one process. CONSTITUTION: A first photo-resist, which is composed of a negative photo-resist, is applied on a substrate. The first photo-resist film is pattered to expose the surface of at least two lower electrodes(321, 325). The first photo-resist film is hard-baked. A metal seed layer(340) is formed on the first photo-resist film including a positive slope. A second photo-resist film is formed on the metal seed layer. The second photo-resist film is patterned. An air-bridge is formed on the metal seed layer by depositing a conductive material. The metal seed layer is removed.
Abstract translation: 目的：提供一种使用负光致抗蚀剂制造空气桥的方法，通过简单地通过一个方法去除第一光致抗蚀剂膜，第二光致抗蚀剂膜和金属种子层来经济地制造空气桥 。 构成：将由负光致抗蚀剂构成的第一光致抗蚀剂施加在基板上。 第一光致抗蚀剂膜被图案化以暴露至少两个下电极（321,325）的表面。 第一光致抗蚀膜被硬烘烤。 在包括正斜率的第一光致抗蚀剂膜上形成金属种子层（340）。 在金属种子层上形成第二光致抗蚀剂膜。 第二光刻胶膜被图案化。 通过沉积导电材料在金属籽晶层上形成空气桥。 去除金属种子层。
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公开(公告)号：KR1020120121951A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020110039866
申请日：2011-04-28
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L2933/0008
Abstract: PURPOSE: A vertical light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve efficiency of a package process by forming a thickness of a street line to be less than that of a semiconductor structure region. CONSTITUTION: An n-type gallium nitride film(102) is formed on the lower side of an n-type electrode(101). An active layer(103) is formed on the lower side of the n-type gallium nitride film. A p-type gallium nitride film(104) is formed on the lower side of the active layer. A p-type electrode is formed on the lower side of the p-type gallium nitride film. A metal layer is formed on the lower side of the p-type electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种垂直发光二极管及其制造方法，以通过将街道线的厚度形成为小于半导体结构区域的厚度来提高封装处理的效率。 构成：n型氮化镓膜（102）形成在n型电极（101）的下侧。 在n型氮化镓膜的下侧形成有源层（103）。 在有源层的下侧形成p型氮化镓膜（104）。 p型电极形成在p型氮化镓膜的下侧。 在p型电极的下侧形成有金属层。
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公开(公告)号：KR101508185B1
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020130137855
申请日：2013-11-13
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0037 , G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/0045
Abstract: 본발명에따르면기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는감광층형성단계; 상기감광성금속-유기물전구체층을 1차광을사용하여포토리소그래피하며, 상기 1차광은완전경화도즈(Dose) 보다낮고임계도즈보다높은강도로조사하는메타-포토리소그래피단계; 상기감광성금속-유기물전구체층에패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하여패턴을형성하는임프린팅단계; 상기감광성금속-유기물전구체층에완전경화도즈이상으로 2차광또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는포토리소그래피완료단계; 상기임프린트용스탬프를상기금속산화박막패턴층으로부터제거하고현상(Developing)하는단계를포함하는것을특징으로하는 3차원금속산화물구조체제조방법을제공한다. 이를통해일회의현상공정을통해두 가지패턴을함께새길수 있고, 임프린팅단계에서압력의집중이일어나지않아서공정을단순화하고패턴을정밀하게새길수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，提供了一种三维金属氧化物结构体的制造方法。 该方法包括在基板或薄膜的上侧形成感光金属 - 有机材料前体层的感光层形成步骤; 使用以强度低于完全固化剂量并高于阈值剂量发射的第一光进行感光金属 - 有机材料前体层上的光刻的元光刻步骤; 通过用感光金属 - 有机材料前体层压印印模来形成图案的压印步骤; 通过用强度为全固化剂量或更高的第二光照射感光金属 - 有机材料前体层或通过向感光金属 - 有机材料前体层提供热量来形成金属氧化物薄膜图案层的光刻精加工步骤; 以及从感光金属氧化物薄膜图案层去除印模的印模并显影感光金属氧化物薄膜图案层的显影步骤。 通过本发明的方法，可以通过一个显影步骤将两个图案印刷在一起，并且在印刷步骤期间压力不集中在一个区域上。 因此，可以简化处理，并且可以精确地印刷图案。
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公开(公告)号：KR101205826B1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：KR1020100056268
申请日：2010-06-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 하나의 스탬프를 이용해 패턴 모양이나 크기가 변화된 다른 스탬프를 제조 하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 스탬프 제조 방법의 일 구성에서는 금속 원소에 빛과 열 중 적어도 어느 하나에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체를 포함하는 무기물 레진을 스탬프용 기판에 코팅한 후, 패턴을 가진 제1 스탬프를 준비한다. 상기 제1 스탬프로 상기 무기물 레진을 가압한 후에 상기 가압된 무기물 레진에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 경화된 금속 산화 박막 패턴을 형성한다. 상기 제1 스탬프를 상기 금속 산화 박막 패턴으로부터 제거한 다음, 상기 제1 스탬프의 패턴과 다른 금속 산화 박막 패턴을 가지는 제2 스탬프를 제조하기 위하여, 상기 금속 산화 박막 패턴의 모양, 선폭 및 높이 중 적어도 어느 하나를 변화시키도록 상기 금속 산화 박막 패턴을 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사한다.
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公开(公告)号：KR101220421B1
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：KR1020100056267
申请日：2010-06-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 패터닝된 그래핀을 원하는 위치에 전사할 수 있고, 그래파이트화 촉매의 식각에 따른 오염 문제가 없는 그래핀 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 패턴 형성 방법의 일 구성은 마스터 기판 상에 패턴이 형성되어 있는 임프린트 스탬프를 준비하는 단계; 상기 임프린트 스탬프 상에 그래파이트화 촉매를 포함하는 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막이 형성된 임프린트 스탬프 상에 그래핀을 형성하는 단계; 및 상기 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 임프린트 방법을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 전사하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.
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