Abstract:
PURPOSE: A micro-nano hybrid stamp using a micro patterned stamp for imprint lithography and a manufacturing method thereof are provided to remove an additional stamp by easily changing the linewidth, depth or shape of a multilevel pattern through the thermal process of a metal-organic precursor layer. CONSTITUTION: A substrate(105) for a stamp is made of polymer. A UV curable resin(106) is deposited or coated on the upper side of the substrate for the stamp. A micro-nano hybrid stamp(107) is obtained by forming a multilevel stamp on the upper side of the UV curable resin. A micro patterned stamp for imprint lithography is formed by thermally processing a metal-organic precursor layer buried in a pattern region. An engraved or embossed multilevel pattern(108) is formed by an imprint lithography process.
Abstract:
PURPOSE: A patterning method using an imprint lithography and a multilayer thin film and a semiconductor device manufactured by the same are provided to reduce a patterning process by forming a pattern of a nanosize once. CONSTITUTION: A pattern is formed on the upper side of a substrate(102) for a mold. A sacrificial layer is deposited and coated on the upper side of a substrate. Resin for imprint is coated on the upper side of the sacrificial layer. A multistage pattern is formed on the upper side of the resin for the imprint. A metal layer(105) is deposited on the surface of the resin for imprint.
Abstract:
본 발명은 패터닝된 그래핀을 원하는 위치에 전사할 수 있고, 그래파이트화 촉매의 식각에 따른 오염 문제가 없는 그래핀 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 패턴 형성 방법의 일 구성은 마스터 기판 상에 패턴이 형성되어 있는 임프린트 스탬프를 준비하는 단계; 상기 임프린트 스탬프 상에 그래파이트화 촉매를 포함하는 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막이 형성된 임프린트 스탬프 상에 그래핀을 형성하는 단계; 및 상기 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 임프린트 방법을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 전사하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A method for forming patterns based on a nano-imprint technique is provided to simplify manufacturing processes by forming layers to be etched of various shapes based on one imprint process. CONSTITUTION: Metal-organic precursor compositions are coated on a layer to be etched(S1). A mold with concave-convex patterns pressurizes the metal-organic precursor compositions(S2). The pressurized metal-organic precursor compositions are heated, ultraviolet ray-irradiated, or simultaneously heated and ultraviolet ray-irradiated to form a cured first metal oxide thin film pattern(S3). The mold is eliminated from the first metal oxide thin film pattern(S4). A part of the layer to be etched is etched by using the first metal oxide thin film pattern as a mask(S5). The first metal oxide pattern is heated and microwave, X-ray, gamma-ray, or ultraviolet-ray irradiated, or plasma treated to change the side of the first metal oxide thin film pattern and to form a second metal oxide thin film pattern(S6). The second metal oxide thin film pattern is used as an etching mask to secondarily etch the layer to be etched(S7).
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing for a nano-pattern stamp for nano-imprint lithography is provided to reduce the destruction possibility of the stamp and to obtain the various shapes and sizes of the stamp by varying the shape and the line width of patterns. CONSTITUTION: Metal-organic precursor compositions are coated on a substrate for a stamp(S1). Either electronic beam or X-ray is locally irradiated to the compositions to form a metal oxide thin film pattern through a developing agent washing process(S2). The compositions include metallic elements and organic ligand bonded to the metallic elements. The organic ligand is decomposed by either the electronic beam or the X-ray. The metal oxide thin film pattern is the form of linear, circular, ellipse, square, pentagon, hexagon, polygon, or lamellar. At least one of the shape, the line width, and the height of the pattern is changed by heating or microwave, x-ray, gamma-ray, or ultraviolet ray irradiating(S3).
Abstract:
PURPOSE: A method for making stamps with changed pattern and size by using another stamp is provided to manufacture new size and patterns of a stamp by varying a line width of a pattern without complex lithography. CONSTITUTION: A method for making stamps with changed pattern and size by using another stamp is as follows. An inorganic material resin(20) including metal-organic precursor is coated in a substrate(10) for a stamp. A first stamp(30) having patterns(31) is prepared. The inorganic material resin is pressurized with the first stamp. The irradiation of ultraviolet rays at same time with heating is performed at the same time of a pressurized inorganic material resin heating time and an ultraviolet irradiating time. A hardened metal oxide thin film pattern(21) is formed. The first stamp is removed from a metal oxide thin film pattern.
Abstract:
본 발명은 감광성 금속-유기물 전구체의 열처리에 의해 패턴의 선폭 및 깊이 변경이 용이한 임프린트용 마이크로 스탬프(Micro Patterned Stamp for Imprint Lithography)를 이용한 마이크로-나노 하이브리드 스탬프 및 그 제조방법에 관한 것으로, ㎛ 또는 ㎚ 크기 단위로 패턴이 형성된 기판을 제공하는 단계, 패턴이 형성된 기판에 감광성 금속-유기물 전구체를 도포하는 단계, 몰드로 기판에 도포된 감광성 금속-유기물 전구체를 가압하여, 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계, 감광성 금속-유기물 전구체층에서 건식 또는 습식 식각으로 몰드를 제거하는 단계, 감광성 금속-유기물 전구체층을 건식 또는 습식 식각하여, 기판 영역과 패턴 영역을 평탄화하는 단계, 패턴 영역에 매립된 금속-유기물 전구체층을 열처리하여, 패턴 영역에 ㎚ 크기 단위의 금속산화박막 패턴이 형성된 임프린트용 마이크로 스탬프(Micro Patterned Stamp for Imprint Lithography)를 취득하는 단계, 폴리머로 이루어진 스탬프용 기판을 제공하는 단계, 스탬프용 기판 상부에 자외선 경화 수지(UV Curable Resin)를 증착 또는 코팅하는 단계, 임프린트용 마이크로 스탬프(Micro Patterned Stamp for Imprint Lithography)를 이용해 자외선 경화 수지(UV Curable Resin) 상부에 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 형성하여 마이크로-나노 하이브리드 스탬프를 취득하는 단계를 포함한다.
Abstract:
하나의 스탬프를 이용해 패턴 모양이나 크기가 변화된 다른 스탬프를 제조 하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 스탬프 제조 방법의 일 구성에서는 금속 원소에 빛과 열 중 적어도 어느 하나에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체를 포함하는 무기물 레진을 스탬프용 기판에 코팅한 후, 패턴을 가진 제1 스탬프를 준비한다. 상기 제1 스탬프로 상기 무기물 레진을 가압한 후에 상기 가압된 무기물 레진에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 경화된 금속 산화 박막 패턴을 형성한다. 상기 제1 스탬프를 상기 금속 산화 박막 패턴으로부터 제거한 다음, 상기 제1 스탬프의 패턴과 다른 금속 산화 박막 패턴을 가지는 제2 스탬프를 제조하기 위하여, 상기 금속 산화 박막 패턴의 모양, 선폭 및 높이 중 적어도 어느 하나를 변화시키도록 상기 금속 산화 박막 패턴을 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사한다.