散热基板以及制造该散热基板的方法

    公开(公告)号:CN102480834A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201010624261.2

    申请日:2010-12-31

    CPC classification number: H05K1/053 H05K2201/09745

    Abstract: 在此公开了一种散热基板以及制造该散热基板的方法。该散热基板包括:底基板,该基板带有散热器并具有凹槽;绝缘层,该绝缘层通过在底基板上进行阳极氧化而形成在底基板上;和电路层,该电路层形成在绝缘层上,凭借由金属材料制造而成的带有散热器的散热基板,从而可以保护抗热性能差的装置并因此解决寿命缩短和可靠性降低的问题。

    双侧冷却功率半导体模块及使用该模块的多堆叠功率半导体模块包

    公开(公告)号:CN103378018B

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201210254677.9

    申请日:2012-07-20

    Abstract: 本发明公开了一种双侧冷却功率半导体模块,该双侧冷却功率半导体模块包括:第一冷却器,该第一冷却器的一个表面上沿厚度方向形成有凹部;第一半导体芯片,该第一半导体芯片安装在所述第一冷却器的所述凹部上;第二冷却器,该第二冷却器具有一个表面和另一个表面并且形成在所述第一冷却器的一个表面上,使得所述第二冷却器的所述一个表面与所述第一半导体芯片接触;电路板,该电路板形成在所述第二冷却器的所述另一个表面上;第二半导体芯片,该第二半导体芯片安装在所述电路板上;以及挠性基板,该挠性基板具有电路层,该电路层将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片相互电连接。

    双侧冷却功率半导体模块及使用该模块的多堆叠功率半导体模块包

    公开(公告)号:CN103378018A

    公开(公告)日:2013-10-30

    申请号:CN201210254677.9

    申请日:2012-07-20

    Abstract: 本发明公开了一种双侧冷却功率半导体模块,该双侧冷却功率半导体模块包括:第一冷却器,该第一冷却器的一个表面上沿厚度方向形成有凹部;第一半导体芯片,该第一半导体芯片安装在所述第一冷却器的所述凹部上;第二冷却器,该第二冷却器具有一个表面和另一个表面并且形成在所述第一冷却器的一个表面上,使得所述第二冷却器的所述一个表面与所述第一半导体芯片接触;电路板,该电路板形成在所述第二冷却器的所述另一个表面上;第二半导体芯片,该第二半导体芯片安装在所述电路板上;以及挠性基板,该挠性基板具有电路层,该电路层将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片相互电连接。

Patent Agency Ranking