公开(公告)号：CN118248510A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202211659220.6

申请日：2022-12-22

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 王明明 ,  连增迪 ,  叶如彬 ,  杨宽 ,  王洪青 ,  刘武平

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种等离子体边缘刻蚀设备，包括等离子体处理腔室，位于所述等离子体处理腔室内且相对设置的上电极组件和下电极组件；升降装置，用于使所述上电极组件上下运动；所述上电极组件包括等离子区域定位板，其中，所述等离子区域定位板具有主体部和连接部，所述等离子区域定位板通过所述连接部与所述升降装置连接。本发明通过优化具有对准要求的等离子区域定位板与下电极组件之间的连接件，减少等离子区域定位板与下电极组件之间的尺寸链，避免尺寸链的误差累积，提高一次装配的精确度。

公开(公告)号：CN118263080A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211700090.6

申请日：2022-12-28

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 王明明 ,  连增迪 ,  叶如彬 ,  杨宽 ,  王洪青 ,  刘武平

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种等离子体边缘刻蚀设备，该装置包含：真空反应腔，所述真空反应腔内具有可移动的上电极组件或下电极组件，两者分别包含相对设置的上电极环和下电极环，所述下电极组件用以支撑基片；设置于所述基片径向外围的环形等离子体约束单元，用以约束所述基片周围形成的等离子体；以及连通所述等离子体约束单元内侧及外侧的抽气通道。其优点是：该装置中设置的等离子体约束单元对基片周围的等离子体进行限制，使等离子体均匀分布在基片周围，提高清洁的效果；此外，该装置还设置有抽气通道，以对抽气进行控制，同时，该抽气通道还增加了等离子体在抽气通道中熄灭的概率，减少等离子体对非反应区域的零部件造成损伤，增加设备使用寿命。

公开(公告)号：CN118156110A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211558358.7

申请日：2022-12-06

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 谢林 ,  连增迪 ,  刘武平

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种晶圆边缘处理装置，其包括反应腔，反应腔内设有下电极组件和上电极组件；下电极组件包括下边缘环和基座，上电极组件包括上边缘环和上盖板；待测件为校准晶圆或待处理晶圆，待测件包括第一待测件，待测件的边缘区域位于上边缘环和下边缘环之间；晶圆边缘处理装置还包括：设置在上电极组件中的第一组传感器，第一组传感器包括至少三个沿上电极组件的周向间隔排布的传感器，用于测量第一组传感器与第一待测件之间的第一距离；计算单元，其基于第一组传感器的测量结果判断第一待测件与上边缘环是否平行，当平行时，第一组传感器测得的多个第一距离值的两两差值均小于第一预设阈值。本发明还提供一种晶圆边缘处理装置的操作方法。

公开(公告)号：CN118053724A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211406956.2

申请日：2022-11-10

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 连增迪 ,  倪图强 ,  谢林 ,  刘武平 ,  吴狄

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种半导体处理设备，包含对准调节装置，所述对准调节装置包含至少一个驱动单元，所述驱动单元包含固定部和移动部，所述固定部与上电极组件连接，所述移动部与设置于所述上电极组件的等离子体区域限制环或等离子体区域限制板或上电极环连接，所述移动部可相对于所述固定部在平行于所述基片所在的平面内移动。本发明采用对准调节装置来精准调节等离子体区域限制环、等离子体区域限制板或上电极环的位置，使等离子体区域限制环、等离子体区域限制板或上电极环与基片或下电极组件实现对准，确保边缘刻蚀的精度。

公开(公告)号：CN118053723A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211400264.7

申请日：2022-11-09

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 杨宽 ,  王洪青 ,  刘武平 ,  王明明 ,  连增迪

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：真空反应腔，位于真空反应腔内用于承载晶圆的下电极组件，与所述下电极组件相对设置其可上下移动的上电极组件，所述上电极组件包括下端具有凸台部的上电极和环绕所述凸台部的边缘环，位于所述上电极组件上的至少两组驱动机构，所述驱动机构的末端可沿水平方向移动并与所述边缘环连接。所述驱动机构用于驱动所述边缘环相对于所述上电极在水平方向上移动，从而调整所述边缘环与所述上电极之间的相对位置，保证上电极组件具有极高的同心度，避免边缘环位置偏移导致的晶圆边缘区域刻蚀不均匀问题。