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公开(公告)号：CN110567616A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910807926.4
申请日：2019-08-29
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种用于硅压阻式压力传感器单元的信号采集电路。该采集电路包括多个滤波器、转换器、双运算放大器和电源单元，转换器包括多路复用转换单元和模数转换单元，每个压力传感器连接一个滤波器，滤波器用于对压力传感器的输出信号进行滤波并输出至多路复用转换单元；多路复用转换单元，用于对滤波后的信号进行通道切换，并将滤波后的信号切换输出至双运算放大器；双运算放大器，用于对滤波后的信号进行差分放大并输出至模数转换单元；模数转换单元用于对差分放大后的信号进行模数转换；电源单元用于为压力传感器、多个滤波器、转换器和双运算放大器供电。由此，可以解决传感器数据采集误差大、精度低的问题。
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公开(公告)号：CN112378553A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011227769.9
申请日：2020-11-06
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种在线温控标定的硅压阻压力传感器及其温度标定方法，该传感器包括外壳和设置于外壳内的表芯、测温元件、加热元件、恒温结构层、制冷元件、机械支撑结构层、隔热结构层、控制电路与导线；表芯包括芯片和基座，芯片封装在基座上，测温元件设置于表芯上，恒温结构层与基座共同组成第一腔体；加热元件和制冷元件均设置在恒温结构层的外壁上；表芯、测温元件、加热元件均通过导线与控制电路电气连接；机械支撑结构层与基座共同组成第二腔体，第二腔体的外壁上包裹有隔热结构层；隔热结构层和控制电路均与外壳机械连接。本发明能够解决现有传感器无法实现免拆装在线标定的技术问题。
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公开(公告)号：CN119959832A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411938248.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01R33/032 , G01R33/00
Abstract: 本发明提供了一种热隔离的芯片级原子磁强计集成封装方法及磁强计，在光源衬底表面集成用于测温的温度传感器以及加热线圈，将半导体激光器及温度传感器集成在光源衬底表面；在光源衬底上键合第一气凝胶隔层；将准直透镜、1/4玻片、偏振片三层光学元件提前进行堆叠，采用对位加热装置使准直透镜和光源衬底进行键合；在偏振片外圈预制一层热固性树脂，在偏振片表面键合第二气凝胶隔层；采用第一绝热环将原子气室与第二气凝胶隔层进行结构隔离；在原子气室上键合第二绝热环；在第二绝热环上键合第三气凝胶隔层；使用对准键合设备将光电探测器进行键合。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中原子磁强计结构复杂、体积大及原子气室温度高的技术问题。
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公开(公告)号：CN116027233A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211475424.4
申请日：2022-11-23
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01R33/032 , G02B6/42
Abstract: 本发明提供了一种芯片磁强计光学集成方法及芯片磁强计，芯片磁强计光学集成方法包括：在衬底表面集成封装激光器光源以形成光源集成芯片，在衬底表面增加介质层；将芯片化的准直镜片与预置了介质层的光源集成芯片进行键合；将芯片化的偏振镜片与芯片化的准直镜片进行键合；将集成有加热测温芯片的芯片化的原子气室与芯片化的偏振镜片进行键合；将光电探测芯片与集成有加热测温芯片的芯片化的原子气室进行键合。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中原子磁强计结构复杂、体积大的技术问题。
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公开(公告)号：CN112345127A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011054177.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01L1/22
Abstract: 本发明提供了一种双芯体复合硅压阻压力传感器数据融合方法，该方法包括：在第一芯体压力量程的全压力范围和全温度范围内建立第一芯体的拟合模型和第二芯体的拟合模型；基于第一芯体的拟合模型获取待测环境的第一解算压力值；基于第二芯体的拟合模型获取待测环境的第二解算压力值；将第二解算压力值与第二芯体压力量程的最大值进行比较，并根据比较结果确定待测环境的输出压力值；其中，第一芯体压力量程的最大值大于第二芯体压力量程的最大值。应用本发明的技术方案，以解决现有的硅压阻压力传感器无法同时满足小体积和分段量程不同精度的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110597013A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910879957.0
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明提供一种柔性微型加热器及其加工方法，解决了现有技术中柔性微型加热器加工过程中所存在的技术问题。该方法包括以下步骤：步骤1、采用磁控溅射工艺在柔性基底层表面加工金属电阻层；步骤2、采用光刻、显影工艺控制金属电阻层表面部分覆盖光刻胶，使得溅射完金属电阻层的柔性基底层表面实现图形化；步骤3、采用离子铣工艺将步骤2得到的产品中未被光刻胶覆盖的金属电阻层去除；步骤4、去除步骤3得到的产品中的光刻胶。
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公开(公告)号：CN110567632A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910808376.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明提供一种芯体复合式硅压阻压力传感器，以解决现有硅压阻式压力传感器进行压力测量时所存在的全量程精度缺陷问题。该压力传感器包括：多个硅压阻压力传感器芯体，所述硅压阻压力传感器芯体包括硅压阻压力传感器芯片，用于对待测件进行压力采集；多个所述硅压阻压力传感器芯片的量程不同，且多个所述硅压阻压力传感器芯片的量程覆盖使用的全量程；芯体复合外壳，所述芯体复合外壳用于对多个硅压阻压力传感器芯体组件进行封装，并对所述多个硅压阻压力传感器芯体组件提供统一测试压力介质；信息处理电路板，所述信息处理电路板设置在所述芯体复合外壳上，所述信息处理电路板用于控制并实现多个硅压阻压力传感器芯体的协同测量和切换输出。
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公开(公告)号：CN119959831A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411938171.9
申请日：2024-12-26
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01R33/032 , G01R33/00
Abstract: 本发明提供了一种芯片级原子磁强计集成封装方法及芯片级原子磁强计，包括：在预制加热元件的光源衬底表面贴装激光器以及测温元件，使用片上集成的方式将激光器、测温元件以及加热元件集成在同一光源衬底表面；在光源衬底表面预制一层键合层，用于光源衬底与光学元件的键合；将提前键合集成好的光学元件采用键合加热对准装置与光源衬底进行对准键合；将气室模组下表面通过第一绝热层与光学元件进行键合；在气室模组上表面预制第二绝热层以便于防止气室热量传导到上方光电探测器位置；使用对准键合设备将光电探测器进行键合，完成芯片级原子磁强计的整体封装。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中原子磁强计结构复杂、体积大的技术问题。
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公开(公告)号：CN112378553B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011227769.9
申请日：2020-11-06
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种在线温控标定的硅压阻压力传感器及其温度标定方法，该传感器包括外壳和设置于外壳内的表芯、测温元件、加热元件、恒温结构层、制冷元件、机械支撑结构层、隔热结构层、控制电路与导线；表芯包括芯片和基座，芯片封装在基座上，测温元件设置于表芯上，恒温结构层与基座共同组成第一腔体；加热元件和制冷元件均设置在恒温结构层的外壁上；表芯、测温元件、加热元件均通过导线与控制电路电气连接；机械支撑结构层与基座共同组成第二腔体，第二腔体的外壁上包裹有隔热结构层；隔热结构层和控制电路均与外壳机械连接。本发明能够解决现有传感器无法实现免拆装在线标定的技术问题。
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公开(公告)号：CN112345127B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011054177.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01L1/22
Abstract: 本发明提供了一种双芯体复合硅压阻压力传感器数据融合方法，该方法包括：在第一芯体压力量程的全压力范围和全温度范围内建立第一芯体的拟合模型和第二芯体的拟合模型；基于第一芯体的拟合模型获取待测环境的第一解算压力值；基于第二芯体的拟合模型获取待测环境的第二解算压力值；将第二解算压力值与第二芯体压力量程的最大值进行比较，并根据比较结果确定待测环境的输出压力值；其中，第一芯体压力量程的最大值大于第二芯体压力量程的最大值。应用本发明的技术方案，以解决现有的硅压阻压力传感器无法同时满足小体积和分段量程不同精度的技术问题。
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