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公开(公告)号：CN116716660A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310938720.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种晶体生长方法和晶体生长装置，所述晶体生长方法包括依次进行装料、引燃、扩熔池、晶体生长和降温等过程，得到晶体；其中，引燃的过程中使光源的焦点于晶体原料表面运动从而使其表面熔化形成熔池，直至熔池的表面积扩大至目标尺寸，扩熔池的过程中启动设置于坩埚外侧的感应线圈，且同步向坩埚内加入晶体原料，熔池持续向下扩张直至接触到坩埚底部的籽晶，晶体生长的过程中下调感应线圈的功率，使自籽晶顶部由下向上不断结晶，直至晶体达到熔池的顶部。本发明提供的晶体生长方法和晶体生长装置能够得到有效熔池，并且能够形成径向的温度梯度，改善晶体的解理程度。
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公开(公告)号：CN117568916A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311458620.5
申请日：2023-11-03
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸碘化铯晶体单晶化生长方法及下降炉，将装有原料的坩埚放置于散热装置上，晶体生长第一阶段，通过散热装置内的水循环组件使晶体芯部热量导出，促使晶体芯部先形核并结晶，同时使晶体固液界面形成微凸形态，便于晶体单晶化生长和排杂；晶体生长第二阶段，通过散热装置内的气体循环组件进一步提高结晶时的散热速率，使热量尽可能多地从芯部导出，同时可以使晶体固液界面继续保持微凸形态，进一步提高晶体排杂效率。晶体生长不同阶段，通过调节散热装置的导热能力及时将结晶潜热从晶体芯部导出，使固液界面处芯部的温度低于边缘部，利于晶体的单晶化生长；同时，使晶体生长界面变为凸面，便于结晶排杂、改善晶体质量和性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220703866U
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202322007706.8
申请日：2023-07-28
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种晶体生长装置，所述晶体生长装置包括：坩埚；包裹在所述坩埚的外周面的保温层；设置在所述保温层的外侧周向的感应线圈；位于所述坩埚的下方且用于固定籽晶的晶座，所述籽晶深入所述坩埚内，所述晶座内设置有冷却系统；设置于坩埚的顶部的保温盖；设置于保温盖上的加料口；设置于保温盖内的至少一个蓝宝石透光口；设置于蓝宝石透光口上方的光源发射器；设置于坩埚的外侧壁和保温层之间的上热电偶和下热电偶；所述上热电偶设置于坩埚的外侧壁的顶部一侧；所述下热电偶设置于坩埚的外侧壁的底部一侧。本实用新型提供的晶体生长装置可以为晶体提供相对密闭的生长环境，同时能够降低径向的温度梯度，有利于晶体生长。
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公开(公告)号：CN219526863U
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202320685104.5
申请日：2023-03-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C30B13/28
Abstract: 本实用新型涉及晶体生长设备技术领域，具体公开了一种浮区法晶体生长炉，该浮区法晶体生长炉包括机架、光源组件和晶体管，机架包括第一机架和第二机架，第一机架用于固定晶料棒和籽晶，晶料棒和籽晶同轴线且能各自独立地沿晶料棒的轴线位移；光源组件设置于第二机架，光源组件的光源焦点位于晶料棒的轴线上；晶体管设于第一机架，晶体管设置有通孔，晶料棒和籽晶穿设于通孔内且晶料棒和晶体管同轴线设置，沿晶料棒至籽晶的方向，通孔的直径逐渐增大，晶体管的熔点小于晶料棒的析晶温度；光源焦点于晶体管的轴线相对位移。该装置可以大致了解光源组件的光源焦点处沿径向的温度场分布情况，有利于对光学浮区法生长晶体技术的发展。
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公开(公告)号：CN219160822U
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202223386067.2
申请日：2022-12-16
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 一种烘料封装炉，包括：工作台包括底座和支架，所述支架上设置有置物平台，其中，所述置物平台包括第一端部和第二端部；炉体设置在所述置物平台上，所述炉体内部具有加热空腔；坩埚设置于所述加热空腔中，所述坩埚包括相互连接的第一管段和第二管段，所述第一管段的直径小于所述第二管段的直径；加热组件设置所述炉体上；真空组件设置在所述置物平台的第一端部，所述真空组件和所述坩埚的第一管段通过转动接头转动连接；驱动组件设置在所述置物平台的第二端部，所述驱动组件和所述坩埚的第二管段驱动连接。通过电机带动滚轴转动，进而带动整个坩埚转动，达到原料边旋转，边烘料，边抽真空目的，减少了高温条件下挥发造成的泄漏。
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公开(公告)号：CN222024552U
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202323414733.3
申请日：2023-12-14
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C30B11/00
Abstract: 本实用新型属于晶体生长设备技术领域，公开晶体生长坩埚及晶体生长炉，晶体生长坩埚包括坩埚组件和封盖组件，坩埚组件包括金属坩埚和石英坩埚，石英坩埚罩盖金属坩埚，石英坩埚与金属坩埚之间形成空气间隙；封盖组件包括内盖、外盖、密封圈以及螺纹紧固件，内盖嵌入石英坩埚的开口内，内盖设有连通空气间隙的排气通道，内盖的周部设有限位台，密封圈套设于内盖的周部，外盖通过螺纹紧固件连接于内盖，外盖朝密封圈凸设有抵推部，当锁紧螺纹紧固件时，抵推部将密封圈挤压推向限位台，密封圈被挤压弹性变形并将石英坩埚内壁与内盖外壁之间的间隙密封，能够避免因焊接而导致晶体原料被污染的情况出现，使石英坩埚可重复使用。
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公开(公告)号：CN221028761U
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202322799079.6
申请日：2023-10-18
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C30B11/00
Abstract: 本申请公开了一种晶体生长装置，涉及晶体生长技术领域。晶体生长装置包括炉体、支撑组件、升降驱动机构和冷却环。炉体形成炉腔，炉体的内侧设置有加热组件。支撑组件包括载物台与支撑轴，载物台位于炉腔内，用于放置坩埚。升降驱动机构用于驱动炉体和/或支撑组件，以使炉体相对于支撑组件升降。冷却环设置于炉腔内，冷却环内部形成供冷媒流动的冷却通道，冷却环通过第一管路和第二管路与炉体的外部连通。本申请的晶体生长装置，通过冷却环能够有效地对炉腔内温度场进行控制，为晶体生长提供合适的温度梯度，保证晶体生长质量。因此，本申请提供的晶体生长装置有利于制备大尺寸晶体。
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